JPH02289014A - Dram制御装置 - Google Patents

Dram制御装置

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JPH02289014A
JPH02289014A JP6345889A JP6345889A JPH02289014A JP H02289014 A JPH02289014 A JP H02289014A JP 6345889 A JP6345889 A JP 6345889A JP 6345889 A JP6345889 A JP 6345889A JP H02289014 A JPH02289014 A JP H02289014A
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JP
Japan
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timing pulse
address
data
circuit
signal
Prior art date
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Application number
JP6345889A
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English (en)
Inventor
Shuji Nakagawa
中川 修司
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、DRAMの制御を行うDRAM制御装置に関
する。
〔従来の技術〕
第3図は従来のDRAM制御装置を表わしたものである
この装置では、MPU (マイクロプロセッサ)1とD
RAM (ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
) 2の間にはタイミング発生回路3、アドレス切換回
路4、およびデコード回路5が配され、DRAM2を制
御するようになっている。
タイミング発生回路3は、種々のタイミングパルスをア
ドレス切換回路4およびデコード回路5に供給するよう
になっている。アドレス切換回路4は、MPUIからの
アドレスバス6をロウアドレスとカラムアドレスに切り
換えて、DRAM2のアドレス端子に供給する。
デコード回路5は、MPUIからの種々の制御信号を解
読し、その解読結果をD RA M 2の制御端子に与
えるようになっている。
MPUIからのデータバス7は、DRAM2のデータ人
出力端子に直接接続されており、MPU1のデータバス
幅とDRAM2の入出力ビット幅の合計は等しくなって
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
この従来用いられたDRAM制御装置では、DRAMの
ロウアドレスストローブ信号とカラムアドレスストロー
ブ信号を作成するために遅延素子を使用していた。また
、マイクロプロセッサのデータバスとDRAMのデータ
がデータバス7によって直結されていたので、MPUI
のビット数に対応したDRAM2が必要であった。例え
ば、16ビツトバスのMPUを1ワードが4ビツトタイ
プのDRAMに接続する場合には、DRAMを最低4個
必要とした。このように従来のDRAM制御装置では、
遅延素子が必要であるばかりでなく、データバスのビッ
ト数が多いと、DRAMの個数も多く必要とするという
問題があった。
そこで本発明の目的は、遅延素子を必要とせず、またD
RAMの個数を削減することのできるDRAM制御装置
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明では、(i)クロック信号を出力するマイクロプ
ロセッサと、(ii)このクロック信号を入力しタイミ
ングパルスを発生させるタイミングパルス発生手段と、
(iii >このタイミングパルス発生手段から出力さ
れるタイミングパルスを入力してロウアドレスとカラム
アドレスを切り換えるアドレス切換手段と、(iv)タ
イミングパルス発生手段から出力されるタイミングパル
スとアドレス切換手段が設定したアドレスを用いてロウ
アドレスストローブ信号とカラムアドレスストローブ信
号を作成するデコード手段と、(V)タイミングパルス
発生手段から出力されるタイミングパルスとライト信号
、リード信号およびデコード手段の作成する信号を用い
て、前記したマイクロプロセッサとの間でD RA M
に入出力されるデータをラッチするデータラッチ手段と
をDRAM制御装置に具備させる。
すなわち、本発明ではマイクロプロセッサから出力され
るクロック信号を基にしてタイミングパルスを発生させ
ることで、遅延素子を不要とする。
また、マイクロプロセッサとDRAMの間にデータラッ
チ手段を配置し、このデータラッチ手段の前後でデータ
バスの幅を変化させることで、DRAMの個数削減を行
う。
〔実施例〕
以下、実施例につき本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例におけるDRAM制御装置と
その周辺回路を表わしたものである。この実施例でDR
AM制御装置11は、MPU12と第1および第2のD
RAMI3、I4の間に配置されており、これら第1お
よび第2のDRAMI3.14の制御を行うようになっ
ている。
MPU12には16ビツトのパラレルデータを転送する
ためのデータバス16が接続されている。
データバス16は分岐してその一端がデータラッチ回路
17に接続されている。第1および第2のDRAMI3
.14は1ワードが4ビツトタイプの高速ページモード
で動作するメモリであり、両者で8ビツトパラレルのデ
ータを4ビツトずつに分割して取り扱うようになってい
る。このため、第1および第2のDRAMI 3.14
にはそれぞれ4ビツトパラレルのデータバス18.19
の一端が接続されており、これらの他端は合流してデー
タラッチ回路17に接続されている。
MPU 12に接続されたアドレスバス21は、途中で
分岐してDRAM制御装置11のアドレス切換回路22
とデコード回路23のそれぞれ入力端に接続されている
。アドレス切換回路22の出力側と第1および第2のD
RAMI3.14の間には、アドレスバス24が接続さ
れている。デコード回路23の出力側からは解読結果と
して3種類の信号が出力されるようになっている。この
うちRAS(ロウアドレスストローブ)信号26は、第
1および第2のDRAMI3.14のRAS端子に入力
される。また、CAS (カラムアドレスストローブ)
信号27は、第1右よび第2の1) RΔM13.14
のCAS端子に入力されるようになっている。データラ
ッチ用信号28は、データラッチ回路17に入力される
1vlPU12のライト(wR>i子から出力されるラ
イト信号29は、第1および第2のDRΔM13.14
のそれぞれライト端子と、データラッチ回路17に入力
されるようになっている。MPU12のリード(RD)
端子から出力されるリード信号31は、第1および第2
のDRAM13.14のそれぞれリード端子と、データ
ラッチ回路17に入力される。
また、MPU12のクロック端子(CLK)から出力さ
れるクロック信号32と、これに同期してこのMPU1
2のアドレスラッチイネーブル(ALE)端子から出力
されるアドレスチッチイネーブル信号33は、同じ<M
PUのリセット端子(RS T)から出力されるリセッ
ト信号35と共にタイミング発生回路34に入力される
ようになっている。タイミング発生回路36は、クロッ
ク信号32を基にして3種類のタイミングパルスを作成
する。このうちのアドレス切換タイミングパルス41は
、アドレス切換回路22に供給され、ロウアドレスとカ
ラムアドレスの切換制御が行われるようになっている。
また、テ゛コード回路タイミングパルス42はデコード
回路23に供給され、RAS信号とCAS信号の作成に
用いられる。最後のデータラッチタイミングパルス43
は、データラッチ回路17に供給されデータのラッチ制
御に用いられるようになっている。
第2図と共に、以上のような構成のDRAM制御装置の
動作を説明する。
(データの書き込み) まず、第1および第2のDRAM13.14に対するデ
ータの書き込み時の制御を説明する。
MPU12のアドレスラッチイネーブル(ALE)端子
からアドレスラッチイネーブル信号33(第2図b)が
出力されると、タイミング発生回路36はクロック信号
32 (第2図a)のカウントを開始し、前記したアド
レス切換タイミングパルス41、デコード回路タイミン
グパルス42およびデータラッチタイミングパルス43
の3種類のタイミングパルスを所定のタイミングで出力
することになる。すなわち、アドレスラッチイネーブル
信号33の立ち下がり後の最初のクロック信号32(T
l)の立ち下がりで、タイミング発生回路36はデコー
ド回路タイミングパルス42を発生させ、これをデコー
ド回路23に供給する。
デコード回路23は、アドレスバス21の一部の信号と
、デコード回路タイミングパルス42を基にしてL(ロ
ー)レベルのRAS信号26 (第2図C)を出力する
。このとき、アドレス切換回路22はアドレスバス24
にロウアドレスを出力しており(第2図e)、第1およ
び第2のDRAM13.14にロウアドレスの取り込み
が行われる。
RAS信号26がLレベルに変化してから次のクロック
信号32(T2)の立ち上がりで、タイミング発生回路
36はアドレス切換タイミングパルス41およびデータ
ラッチタイミングパルス43を出力する。アドレス切換
タイミングパルス41はアドレス切換回路22に供給さ
れる。アドレス切換回路22は、これによりアドレスバ
ス24に送出していたロウアドレスを第1のカラムアド
レスに切り換える(第2図e) 一方、データラッチタ
イミングパルス43は、データラッチ回路17に供給さ
れる。データラッチ回路17は、データラッチタイミン
グパルス43と、デコード回路23から出力されるデー
タラッチ用信号28と、MPU12のライト (WR)
端子から出力されているライト信号29 (第2図f)
のアクティブ条件とにより、MPtJ12のデータバス
16(第2図1)から供給されている16ビツトデータ
のうち下位8ビツトのデータをラッチし、第1の入力デ
ータ(第2図h)として8ピツ)I10バス20に出力
する。
更にこのクロック信号32(T2)の立ち下がりで、タ
イミング発生回路36からデコード回路タイミングパル
ス42が出力され、デコード回路23に供給される。デ
コード回路23は、アドレスバス21の一部の信号とデ
コード回路タイミングパルス42を基にしてLレベルの
CAS信号27 (第2図d)を出力する。このとき、
アドレス切換回路22は、前述のようにアドレスバス2
4に第1のカラムアドレスを出力しており、第1および
第2のDRAM13.14に第1のカラムアドレスの取
り込みが行われる(第2図e)。これにより、すでにデ
ータラッチ回路17から8ビツトI10バス20に出力
されている8ビツト構成の第1の入力データ(第2図h
)は、第1および第2のDRAM13.14の第1のカ
ラムアドレスに、各々4ビツトずつパラレルに書き込ま
れる。
次のクロック信号32(第3)の立ち上がりで、タイミ
ング発生回路36からデコード回路タイミングパルス4
2と、アドレス切換タイミングパルス41とデータラッ
チタイミングパルス43が出力される。デコード回路タ
イミングパルス42は、デコード回路23に供給される
。デコード回路23は、アドレスバス21の一部の信号
とデコード回路タイミングパルス42を基にしてH(ハ
イ)レベルのCAS信号27 (第2図d)を出力する
これにより、第1および第2のDRAM13.14のC
ASl子は、非アクテイブ状態となる。アドレス切換タ
イミングパルス41は、アドレス切換回路22に供給さ
れる。アドレス切換回路22は、これによりアドレスバ
ス24に送出していた7P、1のカラムアドレスを第2
0カラムアドレスに切り換える(第2図e)。第3のデ
ータランチタイミングパルス43は、データラッチ回路
17に供給される。データラッチ回路17は、このデー
タラッチタイミングパルス43と、デコード回路23か
ら出力されるデータランチ用信号28と、MP[J12
のライト端子(WR>から出力されているライト信号2
9のアクティブ条件とにより、MPU12のデータバス
)6から供給されている16ビツトデータのうち上位8
ビツトのデータをラッチし、第2の入力データとして8
ビツトI10バス20に出力する。
このクロック信号32(第3)の立ち下がりに、タイミ
ング発生回路36からデコード回路タイミングパルス4
2が出力される。デコード回路23は、アドレスバス2
1の一部の信号とデコード回路タイミングパルス42を
基にして再びLレベルのCAS信号27を出力する。こ
のとき、アドレス切換回路22は、前述のようにアドレ
スバス24に第2のカラムアドレスを出力しており、第
1および第2のDRAM13.14に第2のカラムアド
レスの取り込みが行われる。
これにより、すでにデータラッチ回路17から8ビツト
I10バス20に出力されている8ビツトの第2の入力
データは、第1および第2のDRAM13.14の第2
のカラムアドレスに、各々4ビツトずつパラレルに書き
込まれる。
更に次のクロック信号32(TW)の立ち上がりで、タ
イミング発生回路36からデコード回路タイミングパル
ス42と、アドレス切換タイミングパルス41と、デー
タラッチタイミングパルス43が出力される。第1のデ
コード回路タイミングパルス42はデコード回路23に
供給される。
デコード回路23は、アドレスバス21の一部の信号と
デコード回路タイミングパルス42を基にしてHレベル
のRAS信号26とCAS信号27を出力する。これに
より、第1および第2のDRAM13.14のRAS端
子とCAS端子は非アクテイブ状態となる。アドレス切
換タイミングパルス41は、アドレス切換回路22に供
給される。
これにより、アドレス切換回路22から出力されている
アドレスバス24はハイインピーダンス状態となる。デ
ータラッチタイミングパルス43は、データラッチ回路
17に供給される。これにより、データラッチ回路17
から出力されている8ピツ)1/○データバス20もハ
イインピーダンス状態となる。
以上のように、MPU 12より送出された16ビツト
のデータは、第1および第2のDRAMI3.14に各
々4ビツトずつ計8ビットの第1の入力データと第2の
入力データとして、2つの異なったアドレスに書き込ま
れる。
(データの読み込み) 次に、第1および第2のDRAM13.14からのデー
タの読み込み時の制御を説明する。
MPU 12のアドレスラッチイネーブル(ALE)端
子からアドレスラッチイネーブル信号33(第2図b)
が出力されると、タイミング発生回路36はクロック信
号32 (第2図a)のカウントを開始し、前記したア
ドレス切換タイミングパルス41、デコード回路タイミ
ングパルス42およびデータラッチタイミングパルス4
3の3種類のタイミングパルスを所定のタイミングで出
力することになる。すなわち、アドレスランチイネーブ
ル信号33の立ち下がり後の最初のクロック信号32(
TI)の立ち下がりで、タイミング発生回ii’836
はデコード回路タイミングパルス42を発生させ、デー
タの書き込み時と同様に第1および第2のDRAM13
.14にロウアドレスの取り込みが行われる。
RAS信号26がLレベルに変化してから次のタロツク
信号32(I2)の立ち上がりで、タイミング発生回路
36からアドレス切換タイミングパルス41が出力され
、アドレス切換回路22に供給される。アドレス切換回
路22は、これによりアドレスバス24に送出していた
ロウアドレスを第1のカラムアドレスに切り換える。
更にこのクロック信号32(I2)の立ち下がりで、タ
イミング発生回路36からデコード回路タイミングパル
ス42が出力され、デコード回路23に供給される。デ
コード回路23は、アドレスバス21の一部の信号とデ
コード回路タイミングパルス42を基にしてLレベルの
CAS信号27を出力する。このとき、アドレス切換回
路22は、前述のようにアドレスバス24に第1のカラ
ムアドレスを出力しており、第1および第2のDRAM
13.14に第10カラムアドレスの取り込みが行われ
る。このとき、MPU l 2のリード(RD)端子か
ら出力されているリード信号31(第2図g)のアクテ
ィブ条件により、第1および第2のDRAM13.14
の第1のカラムアドレスから各々4ピツトずつ計8ビッ
トのパラレルデータが、第1の出力データとして8ピツ
)I10データバス20に取り出されて、データラッチ
回路17によりラッチされる。
次のクロック信号32(I3)の立ち上がりで、タイミ
ング発生回路36からデコード回路タイミングパルス4
2と、アドレス切換タイミングパルス41が出力される
。デコード回路タイミングパルス42はデコード回路2
3に供給される。デコード回路23は、アドレスバス2
1の一部の信号とデコード回路タイミングパルス42を
基にしてHレベルのCAS信号27を出力する。これに
より、第1および第2のDRAM13.14のCAS端
子は非アクテイブ状態となる。アドレス切換タイミング
パルス41は、アドレス切換回路22に供給される。ア
ドレス切換回路22は、これによりアドレスバス24に
送出していた第1のカラムアドレスを第2のカラムアド
レスに切り換える。
このクロック信号32(I3)の立ち下がりに、タイミ
ング発生回路36からデコード回路タイミングパルス4
2が出力される。デコード回路23は、アドレスバス2
1の一部の信号とデコード回路タイミングパルス42を
基にして、再びLレベルのCAS信号27を出力する。
このとき、アドレス切換回路22は、前述のようにアド
レスバス24に第2のカラムアドレスを出力しており、
第1および第2のDRAMi3、I4に第2のカラムア
ドレスの取り込みが行われる。このとき、MPU12の
リード端子から出力されているリード信号31のアクテ
ィブ条件により、第1および第2のDRAM13.14
の第2のカラムアドレスから各々4ビツトずつ計8ビッ
トのパラレルデータが、第2の出力データ2として8ビ
ツトI10データバス20に取り出され、データラッチ
回路17によりラッチされる。このようにして、データ
ラッチ回路17によりラッチされた第1の出力データを
下位8ビツトとし、第2の出力データを上位8ビツトと
する16とットデータが、データバス16を経てMPU
1’2に取り込まれる。
更に次のクロック信号32(TW)の立ち上がりで、タ
イミング発生回路36からデコード回路タイミングパル
ス42と、アドレス切換タイミングパルス41が出力さ
れる。デコード回路タイミングパルス42はデコード回
路23に供給される。
デコード回路23は、アドレスバス21の一部の信号と
デコード回路タイミングパルス42を基にしてレベルの
RAS信号26とCAS信号27を出力する。これによ
り、第1および第2のDRΔM13.14のRAS端子
とCAS端子は非アクテイブ状態となる。アドレス切換
タイミングパルス41は、アドレス切換回路22に供給
される。
これにより、アドレス切換回路22から出力されている
アドレスバス24はハイインピーダンス状態となる。
以上のように、DRAM13.1402つの異なるアド
レスから、各4ビツトずつ計8ビットの第1の出力デー
タと第2の出力データが読み出され、16ビツト幅のデ
ータとしてMPU12に取り込まれることになる。
〔発明の効果〕
このように本発明によれば、マイクロプロセッサから出
力されるクロック信号を用いてタイミングパルス発生手
段でタイミングパルスを発生させ、データラッチ手段に
データをラッチさせながらDRAMにデータを分割して
書き込んだり、分割してデータの読み出しを行うことに
したので、従来のDRAMの制御装置と比較してDRA
Mの個数を削減することができ、遅延素子が不要となっ
たのと併せて装置のコスト低減と信頼性の向上を図るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例を説明するだめ
のもので、このうち第1図はDRAM制御装置およびそ
の周辺回路を示すブロック図、第2図はDRAM制御装
置の動作を説明するだめの各種タイミング図、第3図は
従来のDRAMの制御装置の簡略な例を示すブロック図
である。 12・・・・・・MPU、13・・・・・・第1のDR
AM。 14・・・・・・第2のDRAM。 16・・・・・・16ビツトパラレルのデータバス、1
7・・・・・・テ°−クラッチ回路、18.19・・・
・・・4ビツトパラレルのデータバス、22・・・・・
・アドレス切換回路、 23・・・・・・デコード回路、32・・・・・・クロ
ック信号、3G・・・・・・タイミング発生回路、41
・・・・・・アドレス切換タイミングパルス、42・・
・・・・テ゛コード回路タイミングパルス、43・・・
・・・データラッチタイミングパルス。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 クロック信号を出力するマイクロプロセッサと、このク
    ロック信号を入力しタイミングパルスを発生させるタイ
    ミングパルス発生手段と、 このタイミングパルス発生手段から出力されるタイミン
    グパルスを入力してロウアドレスとカラムアドレスを切
    り換えるアドレス切換手段と、前記タイミングパルス発
    生手段から出力されるタイミングパルスと前記アドレス
    切換手段が設定したアドレスを用いてロウアドレススト
    ローブ信号とカラムアドレスストローブ信号を作成する
    デコード手段と、 前記タイミングパルス発生手段から出力されるタイミン
    グパルスとライト信号、リード信号および前記デコード
    手段の作成する信号を用いて、前記マイクロプロセッサ
    との間でDRAMに入出力されるデータをラッチするデ
    ータラッチ手段とを具備することを特徴とするDRAM
    制御装置。
JP6345889A 1989-03-17 1989-03-17 Dram制御装置 Pending JPH02289014A (ja)

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JP6345889A JPH02289014A (ja) 1989-03-17 1989-03-17 Dram制御装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6584004B2 (en) 1991-02-28 2003-06-24 Hitachi, Ltd. Electronic circuit package
KR100459391B1 (ko) * 1997-10-24 2005-02-07 엘지전자 주식회사 디램의억세스타이밍제어장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6584004B2 (en) 1991-02-28 2003-06-24 Hitachi, Ltd. Electronic circuit package
US7425763B2 (en) 1991-02-28 2008-09-16 Hitachi, Ltd. Electronic circuit package
US7701743B2 (en) 1991-02-28 2010-04-20 Rising Silicon, Inc. Electronic circuit package
KR100459391B1 (ko) * 1997-10-24 2005-02-07 엘지전자 주식회사 디램의억세스타이밍제어장치

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