JPS63195120A - ＹｂＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63195120A JPS63195120A JP2920687A JP2920687A JPS63195120A JP S63195120 A JPS63195120 A JP S63195120A JP 2920687 A JP2920687 A JP 2920687A JP 2920687 A JP2920687 A JP 2920687A JP S63195120 A JPS63195120 A JP S63195120A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物であるＹｂＧａＺｎ、Ｑ５で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物であるＹｂＧａＺｎ、Ｑ５で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”Ｏ＋）ａＦｅ”０（ｎは整数を示
す）で示される六方晶系の層状構造を存する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す）で示される六方晶系の層状構造を存する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅ２Ｏ４，ＹｂｚＦｅｓＯｔ、ＹｂＦｅ２Ｏ＋ｏ
及びＹｂａＦｅｓＯｌの六方晶系としての格子定数、Ｙ
ｂＯ＋、ｓ層、Ｆｅｄ、、。
及びＹｂａＦｅｓＯｌの六方晶系としての格子定数、Ｙ
ｂＯ＋、ｓ層、Ｆｅｄ、、。
層、 Ｆｅ、０□、３層の単位格子内における層数を示
すと表−１の通りである。
すと表−１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｄ） １モルに対して、
ＹｂＦｅ０．がｎモル（ｎ＝１．２．３・・・）の割合
で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物であ
る。
ＹｂＦｅ０．がｎモル（ｎ＝１．２．３・・・）の割合
で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物であ
る。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯｚ） 、ｌＦｅ０の化学式におい
て、ｎ＝２に相当し、Ｆｅ ３ ＋の′代わりにＧａ”
を、Ｆｅ”の代わりにＺｎ２°を置きかえて得られた新
規な化合物を提供するにある。
て、ｎ＝２に相当し、Ｆｅ ３ ＋の′代わりにＧａ”
を、Ｆｅ”の代わりにＺｎ２°を置きかえて得られた新
規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＹｂＧａＺｎ２０５で示される化合物は、イオ
ン結晶モデルではＹｂ”（Ｇａ”、Ｚｎ” ）Ｚｎ”０
５”−として記載され、その構造はＹｂＯ，、Ｓ層＋（
Ｇａ”＋Ｚｎ”） ０！、！１層およびＺｎＯ層の積層
によって形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Ｚｎ”″″イオン半数はＧａ
’＋と共に（Ｇａ” 、 Ｚｎ” ）Ｏ，、、層を作り
、残りの半数はＺｎＯ層を作っている。六方晶系として
の格子定数は次の通りである。
ン結晶モデルではＹｂ”（Ｇａ”、Ｚｎ” ）Ｚｎ”０
５”−として記載され、その構造はＹｂＯ，、Ｓ層＋（
Ｇａ”＋Ｚｎ”） ０！、！１層およびＺｎＯ層の積層
によって形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Ｚｎ”″″イオン半数はＧａ
’＋と共に（Ｇａ” 、 Ｚｎ” ）Ｏ，、、層を作り
、残りの半数はＺｎＯ層を作っている。六方晶系として
の格子定数は次の通りである。
ａ ＝３．３７８ ±０．００１ （人）ｃ ＝２
１．９８ ± ０．０１ （人）この化合物の面
指数（ｈｋＩｌ）、面間隔（ｄＣ人））（ｄ、は実測値
＋ｄＣは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強
度（１％）を示すと、表−２の湧りである。
１．９８ ± ０．０１ （人）この化合物の面
指数（ｈｋＩｌ）、面間隔（ｄＣ人））（ｄ、は実測値
＋ｄＣは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強
度（１％）を示すと、表−２の湧りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウムもしく
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、Ｙｂ。
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、Ｙｂ。
ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対２の割合で混
合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中。
合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中。
酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＧａが各々３価イオ
ン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰
囲気中で加熱することによって製造し得られる。
ン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰
囲気中で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｌ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｌ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｙｂ、 Ｇａ、及びＺｎの割合が原
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはｙｂおよ
びＧａが各々３価イオン状Ｂ、ｚｎが２価イオン状態か
ら還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びＧａが各々３価イオン状Ｂ、ｚｎが２価イオン状態か
ら還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＹｂＧａＺｎ２Ｏ５化合物の粉末は無色であり
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、Ｙｂ０ｒ、ｓ層
、 （Ｇａ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ Ｎ、およびＺｎＯＮ
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、Ｙｂ０ｒ、ｓ層
、 （Ｇａ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ Ｎ、およびＺｎＯＮ
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化イッテルビウム（ＹｂｚＯ
：＋）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇ
ａｚＯｚ）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）
粉末をモル比で１対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢
内でエタノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径
数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封
入し、１３００℃に設定された管状シリコニット炉内に
入れ３日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温
まで急速に冷却した。得られた試料はＹｂＧａＺｎ２Ｏ
５単−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋ
ｌ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を測
定した。その結果は表＝２の通りであった。
：＋）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇ
ａｚＯｚ）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）
粉末をモル比で１対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢
内でエタノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径
数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封
入し、１３００℃に設定された管状シリコニット炉内に
入れ３日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温
まで急速に冷却した。得られた試料はＹｂＧａＺｎ２Ｏ
５単−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋ
ｌ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を測
定した。その結果は表＝２の通りであった。
大方晶系としての格子定数は
ａ ＝３．３７８ ±ｏ、ｏｏｉ ｃ人）Ｃ＝２１
．９８ ±０．０１ （人）であった。
．９８ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ Ｉりよ
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
（人）〉と極めてより一至文した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長用 高
信 雄 手続補正７Ｆ 昭和１２年 ２月７２日 ｌ 事件の表示 昭和６２年特許願第０２９２０６号 ２ 発明の名称 ＹｂＧａｚｎ２０５で示される大方晶系の層状構造を有
する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発補正 ５ 補正の対象 （１） 明細書第１０頁４行から５行「て有用な・・
・・効果を有する。」を［て有用な新規化合物を提供す
る。」と訂正する。
信 雄 手続補正７Ｆ 昭和１２年 ２月７２日 ｌ 事件の表示 昭和６２年特許願第０２９２０６号 ２ 発明の名称 ＹｂＧａｚｎ２０５で示される大方晶系の層状構造を有
する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発補正 ５ 補正の対象 （１） 明細書第１０頁４行から５行「て有用な・・
・・効果を有する。」を［て有用な新規化合物を提供す
る。」と訂正する。
Claims (2)
- （１）ＹｂＧａＺｎ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウム
もしくは加熱により酸化イッテルビウムに分解される化
合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加
熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛
あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解さ
れる化合物とを、Ｙｂ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比
で１対１対２の割合で混合し、該混合物を６００℃以上
の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよび
Ｇａが各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より
還元されない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする
ＹｂＧａＺｎ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920687A JPS63195120A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＹｂＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920687A JPS63195120A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＹｂＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63195120A true JPS63195120A (ja) | 1988-08-12 |
| JPH0348133B2 JPH0348133B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=12269720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2920687A Granted JPS63195120A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＹｂＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63195120A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2920687A patent/JPS63195120A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348133B2 (ja) | 1991-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |