JPS63195118A - ＳｃＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＳｃＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63195118A JPS63195118A JP2920387A JP2920387A JPS63195118A JP S63195118 A JPS63195118 A JP S63195118A JP 2920387 A JP2920387 A JP 2920387A JP 2920387 A JP2920387 A JP 2920387A JP S63195118 A JPS63195118 A JP S63195118A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半扉体材料及び触媒作用として有
用な新規化合物であるＳｃＧａＺｎＭｇ０ｒ、で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造・
法に関する。
用な新規化合物であるＳｃＧａＺｎＭｇ０ｒ、で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造・
法に関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”０ｓ）ｎＦｅ”Ｏ（ｎは整数を示
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｚＯ４＋ ＹｂｇＰｅｉＯ）、 Ｙｂ、Ｆｅ４
０＋ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ｉの六方晶系としての格子
定数、ＹｂＯ＋、ｓ層＋ ＦｅＯ＋、ｓ層、 ＦｅｚＯ
ｇ、ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−１の通
りである。
０＋ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ｉの六方晶系としての格子
定数、ＹｂＯ＋、ｓ層＋ ＦｅＯ＋、ｓ層、 ＦｅｚＯ
ｇ、ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−１の通
りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｐｅａ） １モルに対して、
ＹｂＦｅ０＊がｎモル（ｎ＝１．２．３・・・）の割合
で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物であ
る。
ＹｂＦｅ０＊がｎモル（ｎ＝１．２．３・・・）の割合
で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物であ
る。
発明の目的
りに（Ｚｎ”＋Ｍｇ”）を置きかえて得られる新規な化
合物を提供するにある。
合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＳｃＧａＺｎＭｇ０５で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、Ｓｃ”（Ｇａコ°２’、ｎ”）
Ｍｇ”°０．！−とじて記載され、その構造は５ｃＯｔ
、ｓ層 （Ｇ％＋Ｚｎ”） Ｏ□、、ＮおよびＭｇＯ層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ ２ ”−
はＧａ”と共に（Ｇａ’“。
オン結晶モデルでは、Ｓｃ”（Ｇａコ°２’、ｎ”）
Ｍｇ”°０．！−とじて記載され、その構造は５ｃＯｔ
、ｓ層 （Ｇ％＋Ｚｎ”） Ｏ□、、ＮおよびＭｇＯ層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ ２ ”−
はＧａ”と共に（Ｇａ’“。
Ｚｎ”°）（ｈ、ｓ層を作り、ＭｇＺ＋はＭｇＯ層を作
っている。
っている。
六方晶系としての格子定数は次の通りである。
ａ ＝３．２７６ ±０．００１ （入）ｃ ＝２
２．２４ ±０．０１ （人）この化合物の面指数
（ｈｋｊ？）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値＋
ｄｅは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度
（１（％））を示すと表−２の通りである。
２．２４ ±０．０１ （人）この化合物の面指数
（ｈｋｊ？）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値＋
ｄｅは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度
（１（％））を示すと表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料および触媒材料と
して有用なものである。
して有用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもしくは加
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは
加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物とを、
Ｓｃ、 Ｇａ、 ＺｎおよびＭｇの割合が原子比で１対
１対１対１の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の
温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａ
が各々３価イオン状ｊＬＱ＋ ＺｎおよびＭｇが２価イ
オン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱すること
によって得られる。
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは
加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物とを、
Ｓｃ、 Ｇａ、 ＺｎおよびＭｇの割合が原子比で１対
１対１対１の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の
温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａ
が各々３価イオン状ｊＬＱ＋ ＺｎおよびＭｇが２価イ
オン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱すること
によって得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｓｃ、 Ｇａ、 Ｚｎ、 Ｍｇの割
合が原子比で１対１対１対１の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単−相を得る
ことができない。
合が原子比で１対１対１対１の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単−相を得る
ことができない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳ・およ
び驚が各々３価イオン状態、ｚ・およびＭｇが各々２価
イオン状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以
上で加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上であ
る。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急
冷するか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
び驚が各々３価イオン状態、ｚ・およびＭｇが各々２価
イオン状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以
上で加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上であ
る。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急
冷するか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＳｃＧａＺｎＭｇ０５化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ，，５
層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ ｉ、およびＭｇＯ層
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ，，５
層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ ｉ、およびＭｇＯ層
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化スカンジウム（ＳＣ２０３
）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（ＧａｚＯ
：＋）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）および試薬
特級の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末をモル比で１対
１対２対２の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノール
を加えて、約３０分間混合し、平均粒径数μｍの微粉状
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１３００
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、３日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（ＧａｚＯ
：＋）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）および試薬
特級の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末をモル比で１対
１対２対２の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノール
を加えて、約３０分間混合し、平均粒径数μｍの微粉状
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１３００
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、３日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
得られた試料は、ＳｃＧａＺｎＭｇＯ５単−相であり、
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）および
相対反射強度を測定した結果は表−２の通りであった。
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）および
相対反射強度を測定した結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は次の通りであった。
ａ ＝３．２７ら ±０．００１ （人）ｃ ＝２
２．２４ ±０．０１ （人）上記の格子定数およ
び表−２の各面指数（ｈｋＡ）より算出した面間隔（ｄ
ｃ（人））は、実測の面間隔（ｄｏ（人））と極めてよ
く一敗していた。
２．２４ ±０．０１ （人）上記の格子定数およ
び表−２の各面指数（ｈｋＡ）より算出した面間隔（ｄ
ｃ（人））は、実測の面間隔（ｄｏ（人））と極めてよ
く一敗していた。
発明の効果
本発明は光機能材料、半弓体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長部 高
信 雄 手続補正書 昭和１１年 ２月７７０ ＼１１：゛
信 雄 手続補正書 昭和１１年 ２月７７０ ＼１１：゛
Claims (2)
- （１）ＳｃＧａＺｎＭｇＯ＿５で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもし
くは加熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物と、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムも
しくは加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物
とを、Ｓｃ、Ｇａ、ＺｎおよびＭｇの割合が原子比で１
対１対１対１の割合で混合し、該混合物を６００℃以上
の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧ
ａが各々３価イオン状態、ＺｎおよびＭｇが２価イオン
状態より還元されない還元雰囲気中で加熱することを特
徴とするＳｃＧａＺｎＭｇＯ＿５で示される六方晶系の
層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920387A JPH0244248B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | Scgaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920387A JPH0244248B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | Scgaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63195118A true JPS63195118A (ja) | 1988-08-12 |
| JPH0244248B2 JPH0244248B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12269634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2920387A Expired - Lifetime JPH0244248B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | Scgaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244248B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2920387A patent/JPH0244248B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244248B2 (ja) | 1990-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |