JPH0435415B2 - - Google Patents
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- JPH0435415B2 JPH0435415B2 JP62029209A JP2920987A JPH0435415B2 JP H0435415 B2 JPH0435415 B2 JP H0435415B2 JP 62029209 A JP62029209 A JP 62029209A JP 2920987 A JP2920987 A JP 2920987A JP H0435415 B2 JPH0435415 B2 JP H0435415B2
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- heating
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Description
産業上の利用分野
本発明は磁性材料，半導体材料および触媒材料
として有用な新規化合物であるTmFeZnMgO5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+Ｏ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4，Yb2Fe3O7，Yb3Fe4O10及びYb4Fe5
O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5層，
FeO1.5層，Fe2O2.5層の単位格子内における層数
を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１，２，３……）の
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。
として有用な新規化合物であるTmFeZnMgO5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+Ｏ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4，Yb2Fe3O7，Yb3Fe4O10及びYb4Fe5
O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5層，
FeO1.5層，Fe2O2.5層の単位格子内における層数
を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１，２，３……）の
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにTm3+を、
Fe2+の代わりに（Zn2+＋Mg2+）を置きかえて得
られる新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のTmFeZnMgO5で示される化合物は、
イオン結晶モデルではTm3+（Fe3+Zn2+）Mg2+O5
２−として記載され、その構造はTmO1.5層，（Fe3+
Zn2+）O2.5層およびMgO層の積層によつて形成
されており、著しい構造異方性を持つことがその
特徴の一つである。Zn2+はFe3+と共に（Fe3+，
Zn2+）O2.5層を作り、Mg2+はMgO層を作つてい
る。六方晶系としての格子定数は次の通りであ
る。 ａ＝3.411±0.001（Å） ｃ＝22.81±0.01 （Å） この化合物の面指数（hkl），面間隔（dp（Å））
（dpは実測値，dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度〔Ｉ（％）〕を示すと表−２の
通りである。 この化合物は磁性材料，半導体材料および触媒
材料として有用なものである。例えば異方性の強
い２次元的性質を持つ磁性体，半導体および触媒
物質としての利用の可能性が考えられる。
ｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにTm3+を、
Fe2+の代わりに（Zn2+＋Mg2+）を置きかえて得
られる新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のTmFeZnMgO5で示される化合物は、
イオン結晶モデルではTm3+（Fe3+Zn2+）Mg2+O5
２−として記載され、その構造はTmO1.5層，（Fe3+
Zn2+）O2.5層およびMgO層の積層によつて形成
されており、著しい構造異方性を持つことがその
特徴の一つである。Zn2+はFe3+と共に（Fe3+，
Zn2+）O2.5層を作り、Mg2+はMgO層を作つてい
る。六方晶系としての格子定数は次の通りであ
る。 ａ＝3.411±0.001（Å） ｃ＝22.81±0.01 （Å） この化合物の面指数（hkl），面間隔（dp（Å））
（dpは実測値，dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度〔Ｉ（％）〕を示すと表−２の
通りである。 この化合物は磁性材料，半導体材料および触媒
材料として有用なものである。例えば異方性の強
い２次元的性質を持つ磁性体，半導体および触媒
物質としての利用の可能性が考えられる。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加
熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、金
属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に
分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛
もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物
と、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウム
もしくは加熱により酸化マグネシウムに分解され
る化合物とを、Tm，Fe，Zn及びMgの割合が原
子比で１対１対１対１の割合で混合し、該混合物
を600℃以上の温度で大気中，酸化性雰囲気中あ
るいはTmおよびFeが各々３価イオン状態，Zn
およびMgが２価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによつて得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには、粒径が小さい方がよく、特に
10μm以下であることが好ましい。 また、磁性材料，半導体材料として用いる場合
には、不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物，炭酸塩，硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのままあるいはアルコール類，アセト
ン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Tm，Fe，Zn，Mgの割合
が原子比で、１対１対１対１の割合であることが
必要である。これをはずすと目的とする化合物の
単一相を得ることができない。 この混合物を大気中，酸化性雰囲気中あるいは
TmおよびFeが各々３価イオン状態，Znおよび
Mgが各々２価イオン状態から還元されない還元
雰囲気中で600℃以上で加熱する。加熱時間は数
時間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速
度には制約はない。加熱終了後急冷するか、ある
いは大気中に急激に引き出せばよい。 得られたTmFeZnMgO5化合物の粉末は褐色で
あり、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有する
ことが分かつた。その結晶構造は層状構造であ
り、TmO1.5層，（Fe，Zn）O2.5層およびMgO層
の積み重ねによつて形成されていることが分かつ
た。 実施例 純度99.99％以上の酸化ツリウム（Tm2O3）粉
末，純度99.9％以上の酸化鉄（Fe2O3）粉末，試
薬特級の酸化亜鉛（ZnO）および試薬特級の酸化
マグネシウム（MgO）粉末をモル比で１対１対
２対２の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約30分間混合し、平均粒径数μmの
微粉状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入
し、1300℃に設定された管状シリコニツト炉内に
入れ、３日間加熱し、その後、試料を炉外に取り
出し室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、TmFeZnMgO5の単一相であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔
（dp）および相対反射強度を測定した結果は表−
２の通りであつた。六方晶系としての格子定数は
次の通りであつた。 ａ＝3.411±0.001（Å） ｃ＝21.81±0.01 （Å） 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は磁性材料、半導体材料及び触媒として
有用な新規化合物を提供する。
る。 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加
熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、金
属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に
分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛
もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物
と、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウム
もしくは加熱により酸化マグネシウムに分解され
る化合物とを、Tm，Fe，Zn及びMgの割合が原
子比で１対１対１対１の割合で混合し、該混合物
を600℃以上の温度で大気中，酸化性雰囲気中あ
るいはTmおよびFeが各々３価イオン状態，Zn
およびMgが２価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによつて得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには、粒径が小さい方がよく、特に
10μm以下であることが好ましい。 また、磁性材料，半導体材料として用いる場合
には、不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物，炭酸塩，硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのままあるいはアルコール類，アセト
ン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Tm，Fe，Zn，Mgの割合
が原子比で、１対１対１対１の割合であることが
必要である。これをはずすと目的とする化合物の
単一相を得ることができない。 この混合物を大気中，酸化性雰囲気中あるいは
TmおよびFeが各々３価イオン状態，Znおよび
Mgが各々２価イオン状態から還元されない還元
雰囲気中で600℃以上で加熱する。加熱時間は数
時間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速
度には制約はない。加熱終了後急冷するか、ある
いは大気中に急激に引き出せばよい。 得られたTmFeZnMgO5化合物の粉末は褐色で
あり、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有する
ことが分かつた。その結晶構造は層状構造であ
り、TmO1.5層，（Fe，Zn）O2.5層およびMgO層
の積み重ねによつて形成されていることが分かつ
た。 実施例 純度99.99％以上の酸化ツリウム（Tm2O3）粉
末，純度99.9％以上の酸化鉄（Fe2O3）粉末，試
薬特級の酸化亜鉛（ZnO）および試薬特級の酸化
マグネシウム（MgO）粉末をモル比で１対１対
２対２の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約30分間混合し、平均粒径数μmの
微粉状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入
し、1300℃に設定された管状シリコニツト炉内に
入れ、３日間加熱し、その後、試料を炉外に取り
出し室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、TmFeZnMgO5の単一相であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔
（dp）および相対反射強度を測定した結果は表−
２の通りであつた。六方晶系としての格子定数は
次の通りであつた。 ａ＝3.411±0.001（Å） ｃ＝21.81±0.01 （Å） 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は磁性材料、半導体材料及び触媒として
有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ TmFeZnMgO5で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物。 ２ 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは
加熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、
金属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄
に分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜
鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合
物と、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウ
ムもしくは加熱により酸化マグネシウムに分解さ
れる化合物とを、Tm，Fe，Zn及びMgの割合が
原子比で１対１対１対１の割合で混合し、該混合
物を600℃以上の温度で大気中，酸化性雰囲気中
あるいはTm及びFeが各々３価イオン状態，Zn
およびMgが２価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することを特徴とする
TmFeZnMgO5で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62029209A JPS63201017A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＴｍＦｅＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62029209A JPS63201017A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＴｍＦｅＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201017A JPS63201017A (ja) | 1988-08-19 |
| JPH0435415B2 true JPH0435415B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=12269803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62029209A Granted JPS63201017A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＴｍＦｅＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63201017A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2587004C1 (ru) * | 2013-03-26 | 2016-06-10 | Ой Сеисакусе Ко., Лтд. | Пильный шкив и блок пильного шкива |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP62029209A patent/JPS63201017A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63201017A (ja) | 1988-08-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |