JPH0435410B2 - - Google Patents
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- JPH0435410B2 JPH0435410B2 JP62098892A JP9889287A JPH0435410B2 JP H0435410 B2 JPH0435410 B2 JP H0435410B2 JP 62098892 A JP62098892 A JP 62098892A JP 9889287 A JP9889287 A JP 9889287A JP H0435410 B2 JPH0435410 B2 JP H0435410B2
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- Japan
- Prior art keywords
- compound
- heated
- oxide
- decomposes
- metallic
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Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は磁性材料、半導体材料、触媒材料等と
して有用な新規化合物であるInFeZn7O10で示さ
れる六方晶系の層状構造を有する化合物およびそ
の製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+Ｏ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4，Yb2Fe3O7，Yb3Fe4O10及びYb4Fe5
O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5層、
FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における層数
を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１，２，３……）の
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。
して有用な新規化合物であるInFeZn7O10で示さ
れる六方晶系の層状構造を有する化合物およびそ
の製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+Ｏ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4，Yb2Fe3O7，Yb3Fe4O10及びYb4Fe5
O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5層、
FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における層数
を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１，２，３……）の
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/7に相当し、Yb3+の代わりにIn3+を、Fe2+
の代わりにZn2+を置きかえて得られた新規な化
合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のInFeZn7O10で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、In3+（Fe3+，Zn2+）Zn6 2+
O10 2-として記載され、その構造はInO1.5層、
（Fe，Zn）O2.5層およびZnO層の積層によつて形
成されており、著しい構造異方性を持つことがそ
の特徴の一つである。Zn2+イオンの1/7はFe3+と
共に（Fe3+、Zn2+）O2.5層を作り、残りの6/7は
ZnO層を作つている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。 ａ＝3.279±0.001（Å） ｃ＝72.85±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は磁性材料、半導体材料および触媒
材料として有用なものである。例えば、異方性の
強い２次元的性質を持つ磁性体・半導体および触
媒物質としての利用の可能性が考えられる。
ｎ＝1/7に相当し、Yb3+の代わりにIn3+を、Fe2+
の代わりにZn2+を置きかえて得られた新規な化
合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のInFeZn7O10で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、In3+（Fe3+，Zn2+）Zn6 2+
O10 2-として記載され、その構造はInO1.5層、
（Fe，Zn）O2.5層およびZnO層の積層によつて形
成されており、著しい構造異方性を持つことがそ
の特徴の一つである。Zn2+イオンの1/7はFe3+と
共に（Fe3+、Zn2+）O2.5層を作り、残りの6/7は
ZnO層を作つている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。 ａ＝3.279±0.001（Å） ｃ＝72.85±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は磁性材料、半導体材料および触媒
材料として有用なものである。例えば、異方性の
強い２次元的性質を持つ磁性体・半導体および触
媒物質としての利用の可能性が考えられる。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸
化鉄に分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸
化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される
化合物とを、In，FeおよびZnの割合が原子比で
１対１対７の割合で混合し、該混合物を650℃以
上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはIn
およびFeが各々３価イオン状態、Znが２価イオ
ン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μm
以下であることが好ましい。 また、磁性材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高いこと
が好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物を
得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、In，Fe、およびZnの割合
が原子比で１対１対７の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単一相
を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
InおよびFeが各々３価イオン状態、Znが２価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で650℃
以上で加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ
以上である。加熱の際の昇温速度には制約はな
い。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急
激に引き出せばよい。 得られたInFeZn7O10化合物の粉末は褐色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
InO1.5層、（Fe，Zn）O2.5層、およびZnO層の積
み重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化インジウム（In2O3）粉
末、純度99.9％以上の酸化鉄（Fe2O3）粉末、お
よび試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）粉末をモル比で
１対１対14の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約30分間混合し、平均粒径数
μmの微粉状混合物を得た。該混合物を白金管内
に封入し、1450℃に設定された管状シリコニツト
炉内に入れ５日間加熱し、その後、試料を炉外に
とりだし室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、InFeZn7O10の単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて、各面指数（hkl）、面間
隔（dp）及び相対反射強度を測定した結果は表−
２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は、 ａ＝3.279±0.001（Å） ｃ＝72.85±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は磁性材料、半導体材料および触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸
化鉄に分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸
化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される
化合物とを、In，FeおよびZnの割合が原子比で
１対１対７の割合で混合し、該混合物を650℃以
上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはIn
およびFeが各々３価イオン状態、Znが２価イオ
ン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μm
以下であることが好ましい。 また、磁性材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高いこと
が好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物を
得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、In，Fe、およびZnの割合
が原子比で１対１対７の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単一相
を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
InおよびFeが各々３価イオン状態、Znが２価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で650℃
以上で加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ
以上である。加熱の際の昇温速度には制約はな
い。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急
激に引き出せばよい。 得られたInFeZn7O10化合物の粉末は褐色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
InO1.5層、（Fe，Zn）O2.5層、およびZnO層の積
み重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化インジウム（In2O3）粉
末、純度99.9％以上の酸化鉄（Fe2O3）粉末、お
よび試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）粉末をモル比で
１対１対14の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約30分間混合し、平均粒径数
μmの微粉状混合物を得た。該混合物を白金管内
に封入し、1450℃に設定された管状シリコニツト
炉内に入れ５日間加熱し、その後、試料を炉外に
とりだし室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、InFeZn7O10の単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて、各面指数（hkl）、面間
隔（dp）及び相対反射強度を測定した結果は表−
２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は、 ａ＝3.279±0.001（Å） ｃ＝72.85±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は磁性材料、半導体材料および触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ InFeZn7O10で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属インジウムあるいは酸化インジウムもし
くは加熱により酸化インジウムに分解される化合
物と、金属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により
酸化鉄に分解される化合物と、金属亜鉛あるいは
酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解され
る化合物とを、In，FeおよびZnの割合が原子比
で１対１対７の割合で混合し、該混合物を650℃
以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいは
InおよびFeが各々３価イオン状態、Znが２価イ
オン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱す
ることを特徴とするInFeZn7O10で示される六方
晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098892A JPS63265826A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | ＩｎＦｅＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098892A JPS63265826A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | ＩｎＦｅＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63265826A JPS63265826A (ja) | 1988-11-02 |
| JPH0435410B2 true JPH0435410B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=14231783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62098892A Granted JPS63265826A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | ＩｎＦｅＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63265826A (ja) |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62098892A patent/JPS63265826A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63265826A (ja) | 1988-11-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |