JPS63201016A - ＩｎＡｌＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＩｎＡｌＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物であるＩｎＡｌＺｎｚＯｓで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物であるＩｎＡｌＺｎｚＯｓで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ３°Ｏ８）、、Ｆｅ”Ｏ（ｎは整数
を示す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
を示す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｆ４０４＋ＹｂＪｅ３０ｔ、Ｙｂ３Ｆｅ４０＋ｏ
及びＹｂ４．Ｆｅ５０＋ｚの六方晶系としての格子定数
、ｙｂｏ、、５層、ｐｅｏｌ、ｓ層、 ＦｅｚＯｚ、ｓ
層の単位格子内における暦数を示すと表−１の通りであ
る。
及びＹｂ４．Ｆｅ５０＋ｚの六方晶系としての格子定数
、ｙｂｏ、、５層、ｐｅｏｌ、ｓ層、 ＦｅｚＯｚ、ｓ
層の単位格子内における暦数を示すと表−１の通りであ
る。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｄ） １モルに対して
、ＹｂＦｅ０ｉがｎモル（ｎ＝１．２．３−）の割合で
化合していると考えられる層状構造を持つ化合物である
。
、ＹｂＦｅ０ｉがｎモル（ｎ＝１．２．３−）の割合で
化合していると考えられる層状構造を持つ化合物である
。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯｉ）−ＦｅＯの化学式において、
ｎ禦〃に相当し、ｙｂ”の代わりにＩｎ”を、Ｐｅ”の
代わりにＡｌ３＋を、Ｆｅ”の代わりにＺｎ”を置きか
えて得られた新規な化合物を提供するにある。
ｎ禦〃に相当し、ｙｂ”の代わりにＩｎ”を、Ｐｅ”の
代わりにＡｌ３＋を、Ｆｅ”の代わりにＺｎ”を置きか
えて得られた新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＩｎＡｌＺｎｔＯｓで示される化合物は、イオ
ン結晶モデルではＩｎ”（Ａｌ”＋Ｚｎ” ）Ｚｎ”０
．”−として記載され、その構造はＩｎＯ＋、ｓ層、
（、Ａｌ”。
ン結晶モデルではＩｎ”（Ａｌ”＋Ｚｎ” ）Ｚｎ”０
．”−として記載され、その構造はＩｎＯ＋、ｓ層、
（、Ａｌ”。
Ｚｎ”） Ｏｔ、ｓ層およびＺｎＯ層の積層によって形
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。 Ｚｎ”＋イオンの半数はＡｌ”＋と共
に（Ａｌ” 、 Ｚｎ” ）Ｏｔ、ｓ層を作り、残りの
半数はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定
数は次の通りである。
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。 Ｚｎ”＋イオンの半数はＡｌ”＋と共
に（Ａｌ” 、 Ｚｎ” ）Ｏｔ、ｓ層を作り、残りの
半数はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定
数は次の通りである。
ａ −３，２９５±０．００１ （人）ｃ −２２，
５６± ０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈ
Ｍ）、面間隔（ｄ（人））（ｄＯは実測値＋ ｄＣは計
算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（１％）
を示すと、表−２の通りである。
５６± ０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈ
Ｍ）、面間隔（ｄ（人））（ｄＯは実測値＋ ｄＣは計
算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（１％）
を示すと、表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒本料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱に
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属アルミ
ニウムあるいは酸化アルミニウムもしくは加熱により酸
化アルミニウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、Ｉｎ。
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属アルミ
ニウムあるいは酸化アルミニウムもしくは加熱により酸
化アルミニウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、Ｉｎ。
ＡｌおよびＺｎの割合が原子比で１対１対２の割合で混
合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中。
合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中。
酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよびＡｌが各々３価イオ
ン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰
囲気中で加熱することによって製造し得られる。
ン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰
囲気中で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｉｎ、 Ａ１．及びＺｎの割合が原
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよ
びＡｌが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
びＡｌが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷す
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＩｎＡｌＺｎ２Ｏ５化合物の粉末は無色であり
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、ＩｎＯ＋、ｓ層
、 （Ａｌ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の積
み重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、ＩｎＯ＋、ｓ層
、 （Ａｌ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の積
み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化インジウム（ＩｎｚＯ，ｌ
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化アルミニウム（Ａ
ｈ（ｈ）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉
末をモル比で１対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入
し、１３００℃に設定された管状シリコニット炉内に入
れ３日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温ま
で急速に冷却した。得られた試料はＩｎＡｌＺｎ、０．
単−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｊ
！’）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を
測定した。その結果は表−２の通りであった。
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化アルミニウム（Ａ
ｈ（ｈ）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉
末をモル比で１対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入
し、１３００℃に設定された管状シリコニット炉内に入
れ３日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温ま
で急速に冷却した。得られた試料はＩｎＡｌＺｎ、０．
単−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｊ
！’）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を
測定した。その結果は表−２の通りであった。
大方晶系としての格子定数は
ａ ＝３．２９５ ±０．００１ （人）ｃ ＝２２．
５６ ±０．０１ （人）であった。
５６ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ ｌ）よ
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
（人））と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
瀬 高 信 ｍ−、・ 、−〒
響Ｖ−−− −嗜曇一一角
手続補正書
昭和２２年 ２月７７日
１ 事件の表示
昭和６２年特許願第０２９２Ｏ８号
化合物およびその製造法
３ 補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発補正
別紙
（１）明細書第１０頁４行から５行「て有用な・・・・
効果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供する。
効果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供する。
」と訂正する。
Claims (2)
- （１）ＩｎＡｌＺｎ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは
加熱により酸化インジウムに分解される化合物と、金属
アルミニウムあるいは酸化アルミニウムもしくは加熱に
より酸化アルミニウムに分解される化合物と、金属亜鉛
あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解さ
れる化合物とを、Ｉｎ、ＡｌおよびＺｎの割合が原子比
で１対１対２の割合で混合し、該混合物を６００℃以上
の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよび
Ａｌが各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より
還元されない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする
ＩｎＡｌＺｎ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920887A JPH0244243B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | Inalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920887A JPH0244243B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | Inalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201016A true JPS63201016A (ja) | 1988-08-19 |
| JPH0244243B2 JPH0244243B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12269778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2920887A Expired - Lifetime JPH0244243B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | Inalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244243B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994013851A1 (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent conductive film, transparent conductive base material, and conductive material |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2920887A patent/JPH0244243B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994013851A1 (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent conductive film, transparent conductive base material, and conductive material |
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| KR100306565B1 (ko) * | 1992-12-15 | 2001-11-30 | 도미나가 가즈토 | 투명도전막과그의제조방법,투명도전막이형성된도전성투명필름과도전성투명유리,및도전성재료 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244243B2 (ja) | 1990-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |