JPS63265816A - ＳｃＧａＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＳｃＧａＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63265816A JPS63265816A JP9889387A JP9889387A JPS63265816A JP S63265816 A JPS63265816 A JP S63265816A JP 9889387 A JP9889387 A JP 9889387A JP 9889387 A JP9889387 A JP 9889387A JP S63265816 A JPS63265816 A JP S63265816A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物である５ｃＧａＺｎ、Ｏ，。で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
有用な新規化合物である５ｃＧａＺｎ、Ｏ，。で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”（１＋） ｎ Ｆｅ”０（ｎは整
数を示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は本出願人によって合成され知られている。
数を示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅ２Ｏ４、ＹｂＦｅ２Ｏ４，ＹｂＪｅｎｏ＋ｏ及
びＹｂＪｅｓＯ＋ｉの六方晶系としての格子定数、Ｙｂ
Ｏ＋、ｓ層、 Ｆｅｄ、、。
びＹｂＪｅｓＯ＋ｉの六方晶系としての格子定数、Ｙｂ
Ｏ＋、ｓ層、 Ｆｅｄ、、。
層、 Ｆｅ、０□、５層の単位格子内における層数を示
すと表−１の通りである。
すと表−１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄１モルに対して、ＹｂＦｅ０．
がｎモルの割合で化合していると考えられる層状構造を
持つ化合物である。
がｎモルの割合で化合していると考えられる層状構造を
持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯ３）、、ＦｅＯの化学式において
、ｎ−１／７に相当し、Ｙｂ’＋の代わりにＳｃ”″を
、Ｆｅ’・の代わりにＧａ３°を、Ｆｅ”″の代わりに
Ｚｎ２＋を置きかえて得られた新規な化合物を提供する
にある。
、ｎ−１／７に相当し、Ｙｂ’＋の代わりにＳｃ”″を
、Ｆｅ’・の代わりにＧａ３°を、Ｆｅ”″の代わりに
Ｚｎ２＋を置きかえて得られた新規な化合物を提供する
にある。
発明の構成
本発明の５ｃＧａＺｎ７０＋ ｏで示される化合物は、
イオン結晶モデルでは、Ｓｃ”（（ｙａ” 、Ｚｎ”）
Ｚｎ６”″０１０”−として記載され、その構造はＳｃ
Ｏ＋、ｓ層、 （ｅａ”。
イオン結晶モデルでは、Ｓｃ”（（ｙａ” 、Ｚｎ”）
Ｚｎ６”″０１０”−として記載され、その構造はＳｃ
Ｏ＋、ｓ層、 （ｅａ”。
Ｚｎ”）Ｏ□、１層およびＺｎＯ層の積層によって形成
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つである。ｚ ｎ ｇ ＋イオンの１７７はＧａ３＋
と共に（Ｇａ”、 Ｚｎ”）Ｏｚ、ｓ層を作り、残りの
６７７はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子
定数は次の通りである。
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つである。ｚ ｎ ｇ ＋イオンの１７７はＧａ３＋
と共に（Ｇａ”、 Ｚｎ”）Ｏｚ、ｓ層を作り、残りの
６７７はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子
定数は次の通りである。
ａ ＝３．２５８ ±０．００１ （人）Ｃ＝７２
．７４ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（
ｈ ｋ ｌ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄ
ｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（
１％）を示すと表−２０通りである。
．７４ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（
ｈ ｋ ｌ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄ
ｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（
１％）を示すと表−２０通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもしくは加
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対
７の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、
大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが各々
３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態より還元され
ない還元雰囲気中で加熱することによって製造し得られ
る。
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対
７の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、
大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが各々
３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態より還元され
ない還元雰囲気中で加熱することによって製造し得られ
る。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｓｃ、 Ｇａ、及びＺｎの割合が原
子比で１対１対７の割合であることが必要である。
子比で１対１対７の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよ
びＧａが各々３価イオン状＆Ｉ Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
びＧａが各々３価イオン状＆Ｉ Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
加熱の際の昇温速度に制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られた５ｃＧａＺｎ７０＋ｏ化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ＋、ｓ
層、（Ｇａ＋Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の積み
重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ＋、ｓ
層、（Ｇａ＋Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の積み
重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化スカンジウム（ＳｃｚＯｉ
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚ
Ｏ：＋）粉末および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
をモル比で１対１対１４０割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入
し、１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入
れ５日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし、室温
まで急速に冷却した。得られた試料は５ｃＧａＺｎ、Ｏ
＋。の単−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（
ｈｋβ）１面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）
を測定した。結果は表−２の通りであった。
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚ
Ｏ：＋）粉末および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
をモル比で１対１対１４０割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数
μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入
し、１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入
れ５日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし、室温
まで急速に冷却した。得られた試料は５ｃＧａＺｎ、Ｏ
＋。の単−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（
ｈｋβ）１面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）
を測定した。結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は、
ａ ＝３．２５８ ±０．００１ （人）ｃ ＝７２
．７４ ±０．０１ （人）であった。
．７４ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ ７！＞
より算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（
ｄ。
より算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（
ｄ。
（人））と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半回体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＳｃＧａＺｎ＿７Ｏ＿１＿０で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物。 - （２）金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもし
くは加熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、Ｓｃ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対７の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする ＳｃＧａＺｎ＿７Ｏ＿１＿０で示される六方晶系の層状
構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9889387A JPH0244254B2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | Scgazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9889387A JPH0244254B2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | Scgazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63265816A true JPS63265816A (ja) | 1988-11-02 |
| JPH0244254B2 JPH0244254B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=14231813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9889387A Expired - Lifetime JPH0244254B2 (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | Scgazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244254B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP9889387A patent/JPH0244254B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244254B2 (ja) | 1990-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |