JPS63295421A - ＹｂＧａＺｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＧａＺｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63295421A JPS63295421A JP12905887A JP12905887A JPS63295421A JP S63295421 A JPS63295421 A JP S63295421A JP 12905887 A JP12905887 A JP 12905887A JP 12905887 A JP12905887 A JP 12905887A JP S63295421 A JPS63295421 A JP S63295421A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用公費
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料として有
用な新規化合物であるＹｂＧａＺｎ１５ｍで示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
用な新規化合物であるＹｂＧａＺｎ１５ｍで示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”１５３）ＩＦｅ”１５（ｎは整数
を示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
を示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅ１ｅ１４． Ｙｂ２Ｆｅｌ１５７． Ｙｂ１Ｆ
ｅ４ｅｌｌｏ及びＹｂ４Ｆｅ５Ｊｉの六方晶系としての
格子定数、Ｙｂｅｌ、 、、層、 ＦｅＱｌ 、５層、
Ｆｅ３６１ ｅ５層の単位格子内における暦数を示す
と表−１の通りである。
ｅ４ｅｌｌｏ及びＹｂ４Ｆｅ５Ｊｉの六方晶系としての
格子定数、Ｙｂｅｌ、 、、層、 ＦｅＱｌ 、５層、
Ｆｅ３６１ ｅ５層の単位格子内における暦数を示す
と表−１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｏ） １モルに対して、
ＹｂＦｅ５３がｎモルの割合で化合していると考えられ
る層状構造を持つ化合物である。
ＹｂＦｅ５３がｎモルの割合で化合していると考えられ
る層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅｅｌ、）ｎＦｅ６の化学式において
、ｎ ；ｌ ／、に相当しＦｅ”の代わりにＧａ”をＦ
ｅ”の代わりにＺｎ”を置きかえて得られろ新規な化合
物を提供するにある。
、ｎ ；ｌ ／、に相当しＦｅ”の代わりにＧａ”をＦ
ｅ”の代わりにＺｎ”を置きかえて得られろ新規な化合
物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＹｂＧａＺｎ５０＠で示される化合物は、イオ
ン結晶モデルでは、Ｙｂ”（Ｇａ”Ｚｎ”）Ｚｎ４”Ｑ
＠”−として記載され、その構造はＹｂｅｌ、 、５層
、 （Ｇａ”Ｚｎ”）０□、６層およびＺｎ０層の積
層によって形成されており、著しい構造異方性を持って
いることがその特徴の一つである。Ｚｎ”の′１５はＧ
ａ”と共に（Ｇａ”、Ｚｎ”″）Ｑ＊ ＊５層を作り、
残りの４／、はＺｎ６層を作っている。六方晶系として
の格子定数は次の通りである。
ン結晶モデルでは、Ｙｂ”（Ｇａ”Ｚｎ”）Ｚｎ４”Ｑ
＠”−として記載され、その構造はＹｂｅｌ、 、５層
、 （Ｇａ”Ｚｎ”）０□、６層およびＺｎ０層の積
層によって形成されており、著しい構造異方性を持って
いることがその特徴の一つである。Ｚｎ”の′１５はＧ
ａ”と共に（Ｇａ”、Ｚｎ”″）Ｑ＊ ＊５層を作り、
残りの４／、はＺｎ６層を作っている。六方晶系として
の格子定数は次の通りである。
ａ＝３，３２２±０．００１（Ａ）
ｃ＝５６．３９±０．０１ （Ａ）
この化合物の面指数（ｈ ｋ １ ）、面間隔（ｄ（Ａ
））（ｄＯは実測値ｐ ｄＣは計算値を示す）およびＸ
線に対する相対反射強度（■ ％）を示すと表−２の通
りである。
））（ｄＯは実測値ｐ ｄＣは計算値を示す）およびＸ
線に対する相対反射強度（■ ％）を示すと表−２の通
りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料および触媒材料に
有用なものである。
有用なものである。
表 −２
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウムあるいは酸化イブテルビウムもしく
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物と、Ｙｂ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対５の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはｙｂおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することによって製造し得ら
れろ。
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物と、Ｙｂ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対５の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはｙｂおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することによって製造し得ら
れろ。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよ（、特に１０ｕｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよ（、特に１０ｕｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうのモ、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうのモ、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られろ。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られろ。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｙｂ、 Ｇａ、及びＺｎの割合が原
子比で１対１対５の割合であることが必要である。これ
をはずすと目的とする化合物の単−相を得ろことができ
ない。
子比で１対１対５の割合であることが必要である。これ
をはずすと目的とする化合物の単−相を得ろことができ
ない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはｙｂおよ
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＹｂＧａＺｎ５ｅｌ＠化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、マｂ６． 、
、層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｓ−ｓ層、およびＺｎｌｊ
層の積重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、マｂ６． 、
、層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｓ−ｓ層、およびＺｎｌｊ
層の積重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化イッテルビウム（Ｙｂ２６
３ ）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ
２ｅ１３）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＱ）粉末を
モル比で１対１対１０の割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数μ
ｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し
、１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ
、４日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温ま
で急速に冷却した。
３ ）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ
２ｅ１３）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＱ）粉末を
モル比で１対１対１０の割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数μ
ｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し
、１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ
、４日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温ま
で急速に冷却した。
得られた試料は、’ｌ ｂ Ｇ １１ Ｚ ｎ ５ Ｑ
＠単−相であり、粉末ｘｓ回折法によって面指数（ｈ
ｋｅ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度を測定した
結果は表−２の通りであった。
＠単−相であり、粉末ｘｓ回折法によって面指数（ｈ
ｋｅ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度を測定した
結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ＝３，３２２±０．００１（Ａ）
ｃ＝５６．３９±０．０１ （Ａ）
であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ ｔ ）
よ口算出した面間隔（ｄ、（人））は、実測の面間隔（
ｄＯ（λ））と極めてよく一致していた。
よ口算出した面間隔（ｄ、（人））は、実測の面間隔（
ｄＯ（λ））と極めてよく一致していた。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＹｂＧｎＺｎ＿５Ｏ＿６で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物 - （２）金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウム
もしくは加熱により酸化イッテルビウムに分解される化
合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加
熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛
あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解さ
れる化合物と、Ｙｂ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で
１対１対５の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の
温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＧａ
が各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする ＹｂＧａＺｎ＿５Ｏ＿６で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12905887A JPS63295421A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12905887A JPS63295421A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295421A true JPS63295421A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0333648B2 JPH0333648B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=15000047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12905887A Granted JPS63295421A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295421A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12905887A patent/JPS63295421A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0333648B2 (ja) | 1991-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |