JPS63295419A - ＹｂＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63295419A JPS63295419A JP12905187A JP12905187A JPS63295419A JP S63295419 A JPS63295419 A JP S63295419A JP 12905187 A JP12905187 A JP 12905187A JP 12905187 A JP12905187 A JP 12905187A JP S63295419 A JPS63295419 A JP S63295419A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 claims abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用公費
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料として有
用な新規化合物であろＹｂ１ｌ：ａＺｎｌＱ＠で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
用な新規化合物であろＹｂ１ｌ：ａＺｎｌＱ＠で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”０１）＠Ｆｓ”°（５（ｎは整数
を示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成、され知られている。
を示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成、され知られている。
ＹｂＦｔａ＠６４． ’１ｂ２Ｆｅｚ０１． Ｙｂ３Ｆ
ｅ４１５１（、及びＹｂ、Ｆｅ５６゜の六方晶系として
の格子定数、Ｙｂ６＋−ｓ層ｐ Ｆｅ６１ ｍ５層、
Ｆｅ２０１．１層の単位格子内における層数を示すと表
−１の通りである。
ｅ４１５１（、及びＹｂ、Ｆｅ５６゜の六方晶系として
の格子定数、Ｙｂ６＋−ｓ層ｐ Ｆｅ６１ ｍ５層、
Ｆｅ２０１．１層の単位格子内における層数を示すと表
−１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｏ） １モルに対して、
ＹｂＦｅ０．がｎモルの割合で化合していると考えられ
る層状構造を持つ化合物である。
ＹｂＦｅ０．がｎモルの割合で化合していると考えられ
る層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
代わりにＺｎ”を置きかえて得られる新規な化合物を提
供するにある。
供するにある。
発明の構成
本発明のＹｂＧａＺｎ１口、で示されろ化合物は、イオ
ン結晶モデルでは、Ｙｂ”（Ｇａ”Ｚｎ”）Ｚｎ２”Ｃ
５ｅ’−として記載され、その構造はＹｂＯ＋−ｓ層、
（にａ”Ｚｎ”）ｆｆｉ２．５層およびＺｎＯ層の積層
によって形成されており、著しい構造異方性を持ってい
ることがその特徴の一つである。Ｚｎ”の’／ｓはＧａ
”と共に（Ｇａ”、Ｚｎ”）６２５層を作り、残りの２
／３はＺｎ６層を作っている。六方晶系としての格子定
数は次の通りである。
ン結晶モデルでは、Ｙｂ”（Ｇａ”Ｚｎ”）Ｚｎ２”Ｃ
５ｅ’−として記載され、その構造はＹｂＯ＋−ｓ層、
（にａ”Ｚｎ”）ｆｆｉ２．５層およびＺｎＯ層の積層
によって形成されており、著しい構造異方性を持ってい
ることがその特徴の一つである。Ｚｎ”の’／ｓはＧａ
”と共に（Ｇａ”、Ｚｎ”）６２５層を作り、残りの２
／３はＺｎ６層を作っている。六方晶系としての格子定
数は次の通りである。
ａ＝３．３５２±０．００１（Ａ）
ｂ＝４０．７６±０．０１ （Ａ）この化合物の面
指数（ｈ ｋ ｔ ）、面間隔（ｄ（Ａ））（ｄＯは実
測値、ｄ、は計算値を示す）およびＸ線に対する相対反
射強度（Ｎ％））を示すと表−２の通りである。
指数（ｈ ｋ ｔ ）、面間隔（ｄ（Ａ））（ｄＯは実
測値、ｄ、は計算値を示す）およびＸ線に対する相対反
射強度（Ｎ％））を示すと表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料および触媒材料と
して有用なものである。
して有用なものである。
表−２
乙の化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウムもしく
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱によゆ酸化亜鉛に分解される化
合物と、Ｙｂ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対３の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することによって得られる。
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱によゆ酸化亜鉛に分解される化
合物と、Ｙｂ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対３の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することによって得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いろ場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｙｂ、 Ｇａ、 Ｚｎの割合が原子
比で１対１対３の割合であることが必要である。
比で１対１対３の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはマｂおよ
びＦｅが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びＦｅが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＹｂＧａＺｎ５ｅｌ＠化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、マｂ０．１１
％層＃ （”＃ Ｚｎ）ｏ＊’ ｓ層、およヒＺｎＯ層
の積重ねによって形成されていることが′分かった。
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、マｂ０．１１
％層＃ （”＃ Ｚｎ）ｏ＊’ ｓ層、およヒＺｎＯ層
の積重ねによって形成されていることが′分かった。
実施例
純度９９．９９％９％以上化イッテルビウム（Ｙｂｚ１
５ｉ）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇ轟
２ｏ３）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ６）粉末をモ
ル比で１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、４
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。
５ｉ）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇ轟
２ｏ３）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ６）粉末をモ
ル比で１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、４
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。
得られた試料は、マｂＧａＺｎ３０ ＠単−相であり、
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）および
相対反射強度を測定した結果は表−２の通りであった。
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）および
相対反射強度を測定した結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は次の通りであった。
ａ＝３，３５２±０．００１（久）
ｂ＝４０．７６±ｏ、ｏｌ （Ａ）
上記の格子定数および表−２の各面指数（ｈ ｋ ｌ
）よゆ算出した面間隔（ｄｃ（Ａ））は、実測の面間隔
（ｄＯ（入）） と極めてよく一致していた。
）よゆ算出した面間隔（ｄｃ（Ａ））は、実測の面間隔
（ｄＯ（入）） と極めてよく一致していた。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＹｂＧａＺｎ＿３Ｏ＿６で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物 - （２）、金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウ
ムもしくは加熱により酸化イッテルビウムに分解される
化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜
鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解
される化合物と、Ｙｂ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比
で１対１対３の割合で混合し、該混合物を６００℃以上
の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＧ
ａが各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還
元されない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする ＹｂＧａＺｎ＿３Ｏ＿６で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12905187A JPS63295419A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12905187A JPS63295419A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295419A true JPS63295419A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0333645B2 JPH0333645B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=14999869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12905187A Granted JPS63295419A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295419A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12905187A patent/JPS63295419A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0333645B2 (ja) | 1991-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |