JPS63295440A - ＹｂＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63295440A JPS63295440A JP62129072A JP12907287A JPS63295440A JP S63295440 A JPS63295440 A JP S63295440A JP 62129072 A JP62129072 A JP 62129072A JP 12907287 A JP12907287 A JP 12907287A JP S63295440 A JPS63295440 A JP S63295440A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G49/00—Compounds of iron
- C01G49/009—Compounds containing, besides iron, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
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- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/76—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by a space-group or by other symmetry indications
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用公費
本発明は磁性材料、半導体材料及び触媒材料等として有
用な新規化合物であるマｂＦｓＺｎ＠６１２で示されろ
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
用な新規化合物であるマｂＦｓＺｎ＠６１２で示されろ
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（マｂ”Ｆｅ”６１）＠Ｆｓ”６（ｎは整数を示
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅ２１５４．マｂ、Ｆｅ１６７、マｂｌＦｅａ６
１ｏ及びＹｂ４Ｆｅ５（５，＠の六方晶系としての格子
定数、ｙｂｏ、、ｓ層ｅ Ｆｅ６＋ ｅ’！１層、 Ｆ
ｅ２６２ｍ５層の単位格子内における層数を示すと表−
１の通りである。
１ｏ及びＹｂ４Ｆｅ５（５，＠の六方晶系としての格子
定数、ｙｂｏ、、ｓ層ｅ Ｆｅ６＋ ｅ’！１層、 Ｆ
ｅ２６２ｍ５層の単位格子内における層数を示すと表−
１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｅ） １モルに対して、
ＹｂＦｅ０．がｎ モアＬ、 （ｎ＝ １ 、２ 、３
−・・）の割合で化合していると考えられる層状構造を
持つ化合物である。
ＹｂＦｅ０．がｎ モアＬ、 （ｎ＝ １ 、２ 、３
−・・）の割合で化合していると考えられる層状構造を
持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯ，）、Ｆｅ６の化学式において、
ｎ −’ ／ ＠に相当しＦｅ２°の代わりにＺｎ”を
置きかえて得られろ新規な化合物を提供するにある。
ｎ −’ ／ ＠に相当しＦｅ２°の代わりにＺｎ”を
置きかえて得られろ新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＹｂＦｅＺｎ＠ｏ、 ２で示される化合物は、
イオン結晶モデルでは、マｂ３°（Ｆｅ”Ｚｎ”）Ｚｎ
＠”°ｏ＋２”−として記載され、その構造はＹｂ６．
、、層、 （Ｆａ、Ｚｎ）０２．５層およびＺｎｅ
１層の積層によって形成されており著しい構造異方性を
持っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ”イオン
の１／・はＦｅ”と共に（Ｆｅ”Ｚｎ”）ｅ１２，５層
を作り、残りの＠／。はＺｎ０層を作っている。六方晶
系としての格子定数は次の通りである。
イオン結晶モデルでは、マｂ３°（Ｆｅ”Ｚｎ”）Ｚｎ
＠”°ｏ＋２”−として記載され、その構造はＹｂ６．
、、層、 （Ｆａ、Ｚｎ）０２．５層およびＺｎｅ
１層の積層によって形成されており著しい構造異方性を
持っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ”イオン
の１／・はＦｅ”と共に（Ｆｅ”Ｚｎ”）ｅ１２，５層
を作り、残りの＠／。はＺｎ０層を作っている。六方晶
系としての格子定数は次の通りである。
１＝３．２９６±０．００１（Ａ）
ｃ＝８７．７９±ｏ 、ｏ １（Ａ）
この化合物の面指数（ｈ ｋ ｅ Ｌ面間隔（ｄ（Ａ）
）（ｄＯは実測値ｐ ｄｃは計算値を示す）およびｘｌ
に対する相対反射強度（１（％））を示すと表−２の通
りである。
）（ｄＯは実測値ｐ ｄｃは計算値を示す）およびｘｌ
に対する相対反射強度（１（％））を示すと表−２の通
りである。
この化合物は磁性材料、半導体材料および触媒材料とし
て有用なものである。例えば、異方性の強い２次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
て有用なものである。例えば、異方性の強い２次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウムもしく
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Ｙｂ、 Ｆ
ｅおよびＺｎの割合が原子比で１対１対９の割合で混合
し、該混合物を６５０℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはＹｂおよびＦｅが各々３価イオン状態
、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中
で加熱することによって製造し得られる。
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Ｙｂ、 Ｆ
ｅおよびＺｎの割合が原子比で１対１対９の割合で混合
し、該混合物を６５０℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはＹｂおよびＦｅが各々３価イオン状態
、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中
で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させろためには粒
径が小さい方がよ（、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させろためには粒
径が小さい方がよ（、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、磁性材料、半導体材料として用いる場合には不純
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱によゆ金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げら
れる。
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱によゆ金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げら
れる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｙｂ、 Ｆｅ、およびＺｎの割合が
原子比で１対１対９の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
原子比で１対１対９の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよ
びＦｅが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びＦｅが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたマｂＦｅＺｎ＠Ｃ１１２化合物の粉末は褐色で
あり、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが
分かった。その結晶構造は層状構造であり、Ｙ ｂ （
５１ｍ ５層−（Ｆｅ、 Ｚｎ）口３．２層、およびＺ
ｎ１ｊ層の積重ねによって形成されていることが分かっ
た。
あり、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが
分かった。その結晶構造は層状構造であり、Ｙ ｂ （
５１ｍ ５層−（Ｆｅ、 Ｚｎ）口３．２層、およびＺ
ｎ１ｊ層の積重ねによって形成されていることが分かっ
た。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化イッテルビウム（Ｙｂ。
０、）粉＊、純度９９．９％以上の酸化鉄（Ｆｅ２６ｇ
）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＱ）粉末を１モル
比で１対１対１８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、５
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。
）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＱ）粉末を１モル
比で１対１対１８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、５
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。
得られた試料は、ＹｂＦｅＺｎ＠（５１１の単−相であ
り、粉末Ｘ線回折法によって、各面指数（ｈｋｔ）。
り、粉末Ｘ線回折法によって、各面指数（ｈｋｔ）。
面間隔（ｄ、）および相対反射強度を測定しｔ：結果は
表−２の通りであった。
表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ＝３．２９６±０．００１（Ａ）
ｃ＝８７．７９±０．０１ （Ａ）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈｋｌ）より算
出した面間隔（ｄ ｃ（Ａ ））は、実測の面間隔（ｄ
Ｏ（Ａ））と極めてよく一致している。
出した面間隔（ｄ ｃ（Ａ ））は、実測の面間隔（ｄ
Ｏ（Ａ））と極めてよく一致している。
発明の効果
本発明は磁性材料、半導体材料および触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＹｂＦｅＺｎ＿９Ｏ＿１＿２で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物 - （２）金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウム
もしくは加熱により酸化イッテルビウムに分解される化
合物と、金属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化
鉄に分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Ｙｂ
、ＦｅおよびＺｎの割合が原子比で１対１対９の割合で
混合し、該混合物を６５０℃以上の温度で大気中、酸化
性雰囲気中あるいはＹｂおよびＦｅが各々３価イオン状
態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰囲気
中で加熱することを特徴とするＹｂＦｅＺｎ＿９Ｏ＿１
＿２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62129072A JPS63295440A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62129072A JPS63295440A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295440A true JPS63295440A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0435424B2 JPH0435424B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=15000387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62129072A Granted JPS63295440A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＦｅＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295440A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006098432A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2008-08-28 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 磁性半導体材料 |
| JP2009259906A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Osaka Prefecture Univ | 絶縁材料、半導体装置 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP62129072A patent/JPS63295440A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006098432A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2008-08-28 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 磁性半導体材料 |
| JP4647654B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-03-09 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 磁性半導体材料 |
| JP2009259906A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Osaka Prefecture Univ | 絶縁材料、半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0435424B2 (ja) | 1992-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |