JPS63277522A - InFeZn↓8O↓1↓1で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
InFeZn↓8O↓1↓1で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63277522A JPS63277522A JP62111408A JP11140887A JPS63277522A JP S63277522 A JPS63277522 A JP S63277522A JP 62111408 A JP62111408 A JP 62111408A JP 11140887 A JP11140887 A JP 11140887A JP S63277522 A JPS63277522 A JP S63277522A
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Landscapes
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- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁性材料、半導体材料、触媒材料等として有用
な新規化合物であるrnFeZn、Ollで示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
な新規化合物であるrnFeZn、Ollで示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
従来技術
従来、(Yb”Fe’″−03) +sFe”O(nは
整数を示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化
合物は本出願人によって合成され知られている。
整数を示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化
合物は本出願人によって合成され知られている。
YbFe0a 、 YbgFesOy、 Yb3Fe*
Oro及びYb3Fe*Oroの六方晶系としての格子
定数、YbO+、s層、 Fed、、。
Oro及びYb3Fe*Oroの六方晶系としての格子
定数、YbO+、s層、 Fed、、。
層、 FezOz、 s層の単位格子内における暦数を
示すと表−1の通りである。
示すと表−1の通りである。
これらの化合物は酸化鉄(Fed) 1モルに対して、
YbFe0aがnモル(n=1.2.3”・)の割合で
化合していると考えられる層状構造を持つ化合物である
。
YbFe0aがnモル(n=1.2.3”・)の割合で
化合していると考えられる層状構造を持つ化合物である
。
発明の目的
本発明は(YbFeOz) 、1FeOの化学式におい
て、n−1/8に相当し、Yb3″′の代わりにIn”
をp e 2 +の代わりにZn”を置きかえて得られ
た新規な化合物を提供するにある。
て、n−1/8に相当し、Yb3″′の代わりにIn”
をp e 2 +の代わりにZn”を置きかえて得られ
た新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のInFeZn5O+ Iで示される化合物は、
イオン結晶モデルでは、In”(Fe”、Zn”つZn
7”0. 、2−とじて記載され、その構造はInO,
、、層、(Fe。
イオン結晶モデルでは、In”(Fe”、Zn”つZn
7”0. 、2−とじて記載され、その構造はInO,
、、層、(Fe。
Zn )(h、s層およびZnO層の積層によって形成
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つである。Zn”+イオンの1/8はFe3+と共に
(Fe”、 Zn”) Oz、s層を作り、残りの77
8はZnO層を作っている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つである。Zn”+イオンの1/8はFe3+と共に
(Fe”、 Zn”) Oz、s層を作り、残りの77
8はZnO層を作っている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。
a =3.276 ±0.001 (人)C=53.
75 ±o、oi <人)この化合物の面指数(h
、に、g)、面間隔(d(人))(d、は実測値、dc
は計算値を示す)およびX線に対する相対反射強度(1
(%))を示すと表−2の通りである。
75 ±o、oi <人)この化合物の面指数(h
、に、g)、面間隔(d(人))(d、は実測値、dc
は計算値を示す)およびX線に対する相対反射強度(1
(%))を示すと表−2の通りである。
この化合物は磁性材料、半導体材料および触媒材料とし
て有用なものである0例えば、異方性の強い2次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
て有用なものである0例えば、異方性の強い2次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱に
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属鉄ある
いは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、In、 FeおよびZ
nの割合が原子比で1対1対8の割合で混合し、該混合
物を700℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あ
るいはInおよびFeが各々3価イオン状態、Znが2
価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属鉄ある
いは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、In、 FeおよびZ
nの割合が原子比で1対1対8の割合で混合し、該混合
物を700℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あ
るいはInおよびFeが各々3価イオン状態、Znが2
価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μm以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μm以下であることが好
ましい。
また、磁性材料、半導体材料として用いる場合には不純
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい、出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい、出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、In、 Fe、およびZnの割合が
原子比で1対1対8の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
原子比で1対1対8の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはInおよ
びFeが各々3価イオン状g、znが2価イオン状態か
ら還元されない還元雰囲気中で700℃以上で加熱する
。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際
の昇温速度には制約はない。
びFeが各々3価イオン状g、znが2価イオン状態か
ら還元されない還元雰囲気中で700℃以上で加熱する
。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際
の昇温速度には制約はない。
加熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引き出
せばよい。
せばよい。
得られたInFeZn110+ 1化合物の粉末は褐色
であり、粉末X線回折法によって結晶構造を有すること
が分かった。その結晶構造は層状構造であり、InO+
、s層、 (Fe+ Zn)Ot、s層、およびZnO
層の積み重ねによって形成されていることが分かった。
であり、粉末X線回折法によって結晶構造を有すること
が分かった。その結晶構造は層状構造であり、InO+
、s層、 (Fe+ Zn)Ot、s層、およびZnO
層の積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度99.99%以上の酸化インジウム(InzO3)
粉末、純度99.9%以上の酸化鉄(FezO3)粉末
、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモル比で
1対1対16の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μlの微粉
状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、145
0℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ6日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
粉末、純度99.9%以上の酸化鉄(FezO3)粉末
、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモル比で
1対1対16の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μlの微粉
状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、145
0℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ6日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
得られた試料は、InFeZn5O+ +の単−相であ
り、粉末X線回折法によって、各面指数(hkl)。
り、粉末X線回折法によって、各面指数(hkl)。
面間隔(do)及び相対反射強度を測定した結果は表−
2の通りであった。
2の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
a =3.276 ±0.001 (人)c =53
.75 ±0.01 (人)であった。
.75 ±0.01 (人)であった。
上記の格子定数および表−2の面指数(h k (1)
より算出した面間隔(dc(人))は、実測の面間隔(
a。
より算出した面間隔(dc(人))は、実測の面間隔(
a。
(人))と極めてよ(一致している。
発明の効果
本発明は磁性材料、半導体材料および触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- (1)InFeZn_8O_1_1で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物。 - (2)金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは
加熱により酸化インジウムに分解される化合物と、金属
鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物とを、In、Feおよ
びZnの割合が原子比で1対1対8の割合で混合し、該
混合物を700℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気
中あるいはInおよびFeが各々3価イオン状態、Zn
が2価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱
することを特徴とするInFeZn_8O_1_1で示
される六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62111408A JPS63277522A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | InFeZn↓8O↓1↓1で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62111408A JPS63277522A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | InFeZn↓8O↓1↓1で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63277522A true JPS63277522A (ja) | 1988-11-15 |
JPH0435411B2 JPH0435411B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=14560401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62111408A Granted JPS63277522A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | InFeZn↓8O↓1↓1で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63277522A (ja) |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111408A patent/JPS63277522A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0435411B2 (ja) | 1992-06-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |