JPS63265825A - ＩｎＦｅＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＩｎＦｅＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63265825A JPS63265825A JP62098891A JP9889187A JPS63265825A JP S63265825 A JPS63265825 A JP S63265825A JP 62098891 A JP62098891 A JP 62098891A JP 9889187 A JP9889187 A JP 9889187A JP S63265825 A JPS63265825 A JP S63265825A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁性材料、半導体材料、触媒材料等として有用
な新規化合物であるＩｎＦｅＺｎ３Ｏ６で示される大方
晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関す
る。
な新規化合物であるＩｎＦｅＺｎ３Ｏ６で示される大方
晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関す
る。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｐｅ”０３）、Ｆｅ”０ （ｎは整数を
示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
Ｙｂ５ｅｓＯ＋ Ｙｂ５ＦｅｓＯ＋ ＹｂＪｅａＯＩｏ
及びＹｂ５ＦｅｓＯ＋ ：１の六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、ｓ層、 Ｆｅｄ、、５層、 Ｆｅ、０□
、３層の単位格子内における層数を示すと表−１の通り
である。
及びＹｂ５ＦｅｓＯ＋ ：１の六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、ｓ層、 Ｆｅｄ、、５層、 Ｆｅ、０□
、３層の単位格子内における層数を示すと表−１の通り
である。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｄ） １モルに対して、
ＹｂＦｅ０：＋がｎモル（ｎ＝１． ２． ３”・）の
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物
である。
ＹｂＦｅ０：＋がｎモル（ｎ＝１． ２． ３”・）の
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物
である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯｔ） 、ＦｅＯの化学式において
、ｎ＝１７３に相当し、Ｙｂ”＋の代わりにＩｎ”を、
Ｆｅ２＋の代わりにＺｎ ２ ＋を置きかえて得られた
新規な化合物を提供するにある。
、ｎ＝１７３に相当し、Ｙｂ”＋の代わりにＩｎ”を、
Ｆｅ２＋の代わりにＺｎ ２ ＋を置きかえて得られた
新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＩｎＦｅＺｎｚ０６で示される化合物は、イオ
ン結晶モデルでは、Ｉｎ”（Ｆｅ” ＋Ｚｎ”）Ｚｎｚ
”Ｑ６Ｚ−とじて記載され、その構造はＩｎＯ＋、ｓ層
、（Ｐｅ。
ン結晶モデルでは、Ｉｎ”（Ｆｅ” ＋Ｚｎ”）Ｚｎｚ
”Ｑ６Ｚ−とじて記載され、その構造はＩｎＯ＋、ｓ層
、（Ｐｅ。
Ｚｎ）０□、３層およびＺｎＯ層の積層によって形成さ
れており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の一
つである。Ｚｎ”イオンの１７３はＦｅ３＋と共に（ｐ
ｅ：ｌ＊、 ｚｎ！＋″）０２．５層を作り、残りの２
７３はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定
数は次の通りである。
れており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の一
つである。Ｚｎ”イオンの１７３はＦｅ３＋と共に（ｐ
ｅ：ｌ＊、 ｚｎ！＋″）０２．５層を作り、残りの２
７３はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定
数は次の通りである。
ａ ＝３．３００ ±０．００１ （人）ｃ ＝４
１．６８ ±０．０１ （人）この化合物の面指数
（ｈｋｊ２）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値＋ｄ
Ｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（
Ｉ（％））を示すと表−２の通りである。
１．６８ ±０．０１ （人）この化合物の面指数
（ｈｋｊ２）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値＋ｄ
Ｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（
Ｉ（％））を示すと表−２の通りである。
この化合物は磁性材料、半導体材料および触媒材料とし
て有用なものである。例えば、異方性の強い２次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
て有用なものである。例えば、異方性の強い２次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱に
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属鉄ある
いは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、Ｉｎ、 ＦｅおよびＺ
ｎの割合が原子比で１対１対３の割合で混合し、該混合
物を６５０℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あ
るいはＩｎおよびＦｅが各々３価イオン状態、Ｚｎが２
価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属鉄ある
いは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、Ｉｎ、 ＦｅおよびＺ
ｎの割合が原子比で１対１対３の割合で混合し、該混合
物を６５０℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あ
るいはＩｎおよびＦｅが各々３価イオン状態、Ｚｎが２
価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよ（、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよ（、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、磁性材料、半導体材料として用いる場合には不純
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｉｎ、 Ｆｅ、およびＺｎの割合が
原子比で１対１対３の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
原子比で１対１対３の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよ
びＦｅが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上で加熱す
る。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の
際の昇温速度には制約はない。
びＦｅが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上で加熱す
る。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の
際の昇温速度には制約はない。
加熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引き出
せばよい。
せばよい。
得られたＩｎＦｅＺｎ：＋Ｏｂ化合物の粉末は褐色であ
り、粉末ＸｖＡ回折法によって結晶構造を有することが
分かった。その結晶構造は層状構造であり、ＩｎＯ＋、
ｓ層、 （Ｆｅ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末ＸｖＡ回折法によって結晶構造を有することが
分かった。その結晶構造は層状構造であり、ＩｎＯ＋、
ｓ層、 （Ｆｅ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化インジウム（Ｉｎｚ０３）
粉末、純度９９．９％以上の酸化鉄（Ｆｅｚｅ、）粉末
、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比で
１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノール
を加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉状
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５０
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ４日間加熱
し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却
した。
粉末、純度９９．９％以上の酸化鉄（Ｆｅｚｅ、）粉末
、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比で
１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノール
を加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉状
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５０
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ４日間加熱
し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却
した。
得られた試料は、ＩｎＦｅＺｎ、０６の単−相であり、
粉末Ｘ線回折法によって、各面指数（ｈｋｌ）。
粉末Ｘ線回折法によって、各面指数（ｈｋｌ）。
面間隔（ｄｏ）及び相対反射強度を測定した結果は表−
２の通りであった。
２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は、
ａ ＝３．３００ ±０．００１ （人）ｃ ＝４１
．６８ ±０．０１ （人）であった。
．６８ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ Ｊ）よ
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
（人））と極めてよく一致している。
発明の効果
本発明は磁性材料、半導体材料および触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＩｎＦｅＺｎ＿３Ｏ＿６で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは
加熱により酸化インジウムに分解される化合物と、金属
鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｉｎ、Ｆｅおよ
びＺｎの割合が原子比で１対１対３の割合で混合し、該
混合物を６５０℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気
中あるいはＩｎおよびＦｅが各々３価イオン状態、Ｚｎ
が２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱
することを特徴とするＩｎＦｅＺｎ＿３Ｏ＿６で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098891A JPS63265825A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | ＩｎＦｅＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62098891A JPS63265825A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | ＩｎＦｅＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63265825A true JPS63265825A (ja) | 1988-11-02 |
| JPH0435409B2 JPH0435409B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=14231757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62098891A Granted JPS63265825A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | ＩｎＦｅＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63265825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104275187A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-01-14 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂InFeZn4O7及其制备方法 |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62098891A patent/JPS63265825A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104275187A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-01-14 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂InFeZn4O7及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0435409B2 (ja) | 1992-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |