JPS63215522A - ScFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ScFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63215522A JPS63215522A JP4567387A JP4567387A JPS63215522A JP S63215522 A JPS63215522 A JP S63215522A JP 4567387 A JP4567387 A JP 4567387A JP 4567387 A JP4567387 A JP 4567387A JP S63215522 A JPS63215522 A JP S63215522A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 27
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 18
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 Scandium metal Chemical class 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁性材料、半導体材料、触媒材料等として有用
な新規化合物である5cFeZn、Otで示される六方
晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関す
る。
な新規化合物である5cFeZn、Otで示される六方
晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関す
る。
従来技術
従来、(Yb”Pe”°03)PI Fe”0(nは整
数を示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は本出願人によって合成され知られている。
数を示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は本出願人によって合成され知られている。
YbFezO41YbFezO41,Yb5FeiOt
o及びYbFesO+ 3の六方晶系としての格子定数
、YbOt、s層、 FeOt、s層+ PetOl−
5層の単位格子内における暦数を示すと表−1の通りで
ある。
o及びYbFesO+ 3の六方晶系としての格子定数
、YbOt、s層、 FeOt、s層+ PetOl−
5層の単位格子内における暦数を示すと表−1の通りで
ある。
これらの化合物は酸化鉄(Fed) 1モルに対して
、YbFeOsがnモル(n=1.2.3・)の割合で
化合していると考えられる層状構造を持つ化合物である
。
、YbFeOsがnモル(n=1.2.3・)の割合で
化合していると考えられる層状構造を持つ化合物である
。
発明の目的
本発明は(YbFeOs)nFeOの化学式において、
n−1/4に相当し、yb3+の代わりにSc 3 +
を、Fe”の代わりにZn”を置きかえて得られた新規
な化合物を提供するにある。
n−1/4に相当し、yb3+の代わりにSc 3 +
を、Fe”の代わりにZn”を置きかえて得られた新規
な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のScFeZn4O7で示される化合物は、イオ
ン結晶モデルでは、Sc”(Fe”+Zn”)Zn+t
″Q、2−として記載され、その構造はScO+、s層
+ (Fe、Zn)Oz、 s層およびZnO層の積層
によって形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。znトイオンの174はFe
j+と共に(Fe3°。
ン結晶モデルでは、Sc”(Fe”+Zn”)Zn+t
″Q、2−として記載され、その構造はScO+、s層
+ (Fe、Zn)Oz、 s層およびZnO層の積層
によって形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。znトイオンの174はFe
j+と共に(Fe3°。
Zn”)Ox、 s層を作り、残りの374はZnO層
を作っている。六方晶系としての格子定数は次の通りで
ある。
を作っている。六方晶系としての格子定数は次の通りで
ある。
a =3.271 ±0.001 (人)C=32.
92 ±0.01 (人)この化合物の面指数(h
k i)、面間隔(d(人))(d、は実測値+ d
Cは計算値を示す)およびX線に対する相対反射強度(
I(%))を示すと表−2の通りである。
92 ±0.01 (人)この化合物の面指数(h
k i)、面間隔(d(人))(d、は実測値+ d
Cは計算値を示す)およびX線に対する相対反射強度(
I(%))を示すと表−2の通りである。
この化合物は磁性材料、半導体材料および触媒材料とし
て有用なものである0例えば、異方性の強い2次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
て有用なものである0例えば、異方性の強い2次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもしくは加
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物とを、Sc、 Feお
よびZnの割合が原子比で1対1対4の割合で混合し、
該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲
気中あるいはScおよびFeが各々3価イオン状態、Z
nが2価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加
熱することによって製造し得られる。
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物とを、Sc、 Feお
よびZnの割合が原子比で1対1対4の割合で混合し、
該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲
気中あるいはScおよびFeが各々3価イオン状態、Z
nが2価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加
熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μm以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μm以下であることが好
ましい。
また、磁性材料2半導体材料として用いる場合には不純
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Sc、 Fe、およびZnの割合が
原子比で1対1対4の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
原子比で1対1対4の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはScおよ
びFeが各々3価イオン状態、Znが2価イオン状態か
ら還元されない還元雰囲気中で600℃以上で加熱する
。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際
の昇温速度には制約はない。
びFeが各々3価イオン状態、Znが2価イオン状態か
ら還元されない還元雰囲気中で600℃以上で加熱する
。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際
の昇温速度には制約はない。
加熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引き出
せばよい。
せばよい。
得られた5cFeZn、、O,化合物の粉末は褐色であ
り、粉末X線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ScO+、s
層、 (Fe、Zn)Ox、 s層、およびZnO層の
積み重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末X線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ScO+、s
層、 (Fe、Zn)Ox、 s層、およびZnO層の
積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度99.99%以上の酸化スカンジウム(SczOs
)粉末、純度99.9%以上の酸化鉄(FetO+)粉
末、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモル比
で1対1対8の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μ慣の微粉
状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、145
0℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ6日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
)粉末、純度99.9%以上の酸化鉄(FetO+)粉
末、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモル比
で1対1対8の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μ慣の微粉
状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、145
0℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ6日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
得られた試料は、5cFeZn、、0.の単−相であり
、粉末X線回折法によって、各面指数(hkl)。
、粉末X線回折法によって、各面指数(hkl)。
面間隔(do)及び相対反射強度を測定した結果は表−
2の通りであった。
2の通りであった。
六方晶系としての格子定数は、
a =3.271 ±0.001 (人)c −32
,92±0.01 (人)であった。
,92±0.01 (人)であった。
上記の格子定数および表−2の面指数(h k 1)よ
り算出した面間隔(dC(人))は、実測の面間隔(d
。
り算出した面間隔(dC(人))は、実測の面間隔(d
。
(人))と極めてよく一致している。
発明の効果
本発明は磁性材料2半導体材料および触媒として有用な
新規化合物を提供 ゛ する。
新規化合物を提供 ゛ する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長部 高
信 雄
信 雄
Claims (2)
- (1)ScFeZn_4O_7で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - (2)金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもし
くは加熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と
、金属鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、 Sc、FeおよびZnの割合が原子比で1対1対4の割
合で混合し、該混合物を600℃以上の温度で、大気中
、酸化性雰囲気中あるいはScおよびFeが各々3価イ
オン状態、Znが2価イオン状態より還元されない還元
雰囲気中で加熱することを特徴とするScFeZn_4
O_7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物の
製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4567387A JPS63215522A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | ScFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4567387A JPS63215522A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | ScFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63215522A true JPS63215522A (ja) | 1988-09-08 |
JPH0360778B2 JPH0360778B2 (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=12725907
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4567387A Granted JPS63215522A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | ScFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63215522A (ja) |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP4567387A patent/JPS63215522A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0360778B2 (ja) | 1991-09-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |