JPS63256525A - InA1Zn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
InA1Zn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
- Publication number
- JPS63256525A JPS63256525A JP9135987A JP9135987A JPS63256525A JP S63256525 A JPS63256525 A JP S63256525A JP 9135987 A JP9135987 A JP 9135987A JP 9135987 A JP9135987 A JP 9135987A JP S63256525 A JPS63256525 A JP S63256525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- oxide
- compd
- indium
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物であるInAlZn5Oeで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物であるInAlZn5Oeで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、(Yb” Fe”0.、)nFe”O(nは整数
を示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され、知られている。
を示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され、知られている。
YbFezO4+YbJe30t、YbFe0+o及び
YbFe0i層、 Fe、0□、5層の単位格子内にお
ける層数を示すと表−1の通りである。
YbFe0i層、 Fe、0□、5層の単位格子内にお
ける層数を示すと表−1の通りである。
これらの化合物は酸化鉄(Fed) 1モルに対して
、YbFe0iがnモル(n=1.2,3.−) の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物で
ある。
、YbFe0iがnモル(n=1.2,3.−) の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物で
ある。
発明の目的
本発明は(YbFeO+)−FeOの化学式において、
n=175に相当し、Yb3+の代わりにIn”を、F
e3+の代わりにAlff+を、Fe”ゝの代わりにZ
n”を置きかえて得られた新規な化合物を提供するにあ
る。
n=175に相当し、Yb3+の代わりにIn”を、F
e3+の代わりにAlff+を、Fe”ゝの代わりにZ
n”を置きかえて得られた新規な化合物を提供するにあ
る。
発明の構成
本発明のInAlZn5Oaで示される化合物は、イオ
ン結晶モデルではIn”(Al” 、 Zn”)Zr+
4”0.′−として記載され、その構造はIn(L、s
層、 (Al” 。
ン結晶モデルではIn”(Al” 、 Zn”)Zr+
4”0.′−として記載され、その構造はIn(L、s
層、 (Al” 。
Zn”″)0□、1層およびZnO層の積層によって形
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。Zn”+イオンの115はAl’″″と
共に(Al” 、 Zn”)Oz、s層を作り、残りの
475はZnO層を作っている。大方晶系としての格子
定数は次の通りである。
成されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴
の一つである。Zn”+イオンの115はAl’″″と
共に(Al” 、 Zn”)Oz、s層を作り、残りの
475はZnO層を作っている。大方晶系としての格子
定数は次の通りである。
a =3.272 ± 0.001 (人)c =
56.80 ± 0.01 (人)この化合物の
面指数(hkj2)、面間隔(d(人))Cd、は実測
値、dcは計算値を示す〕およびX線に対する相対反射
強度(1%)を示すと表−2の通りである。
56.80 ± 0.01 (人)この化合物の
面指数(hkj2)、面間隔(d(人))Cd、は実測
値、dcは計算値を示す〕およびX線に対する相対反射
強度(1%)を示すと表−2の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱に
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属アルミ
ニウムあるいは酸化アルミニウムもしくは加熱により酸
化アルミニウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、In。
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属アルミ
ニウムあるいは酸化アルミニウムもしくは加熱により酸
化アルミニウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、In。
AtおよびZnの割合が原子比で1対1対5の割合で混
合し、該混合物を600℃以上の温度で、大気中。
合し、該混合物を600℃以上の温度で、大気中。
酸化性雰囲気中あるいはInおよびAlが各々3価イオ
ン状態、 lnが2価イオン状態より還元されない還元
雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
ン状態、 lnが2価イオン状態より還元されない還元
雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μm以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μm以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、In、 Al及びZnの割合が原子
比で1対1対5の割合であることが必要である。
比で1対1対5の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはInおよ
びAlが各々3価イオン状#Znが2価イオン状態から
還元されない還元雰囲気中で600℃以上のもとで加熱
する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱
の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷するか
、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びAlが各々3価イオン状#Znが2価イオン状態から
還元されない還元雰囲気中で600℃以上のもとで加熱
する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱
の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷するか
、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたInAlZn30B化合物の粉末は無色であり
、粉末X線回折法によると結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、InO+、s層
、 (Al、 Zn)Oz、s層、及びZnO層の積み
重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末X線回折法によると結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、InO+、s層
、 (Al、 Zn)Oz、s層、及びZnO層の積み
重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度99.99%以上のインジウム(Inz03)粉末
。
。
純度99.99%以上の酸化アルミニウム(A1203
)粉末、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモ
ル比で1対1対10の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエ
タノールを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μm
の微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、
1450℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ2
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし、室温まで
急速に冷却した。得られた試料はInAlZn5Oa単
−相であり、粉末X線回折法によって面指数(hkβ)
1面間隔(do)および相対反射強度(1%)を測定し
た。その結果は表−2の通りであった。
)粉末、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモ
ル比で1対1対10の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエ
タノールを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μm
の微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、
1450℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ2
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし、室温まで
急速に冷却した。得られた試料はInAlZn5Oa単
−相であり、粉末X線回折法によって面指数(hkβ)
1面間隔(do)および相対反射強度(1%)を測定し
た。その結果は表−2の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
a =3.272 ±0.001 (人)c =5
6.80 ±0.01 (人)であった。
6.80 ±0.01 (人)であった。
上記の格子定数および表−2の面指数(h k J)よ
り算出した面間隔(dc(人))は、実測の面間隔(d
。
り算出した面間隔(dc(人))は、実測の面間隔(d
。
(人))と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を特徴する 特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長 1瀬
高 信 雄
新規化合物を特徴する 特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長 1瀬
高 信 雄
Claims (2)
- (1)InAlZn_5O_8で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - (2)金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは
加熱により酸化インジウムに分解される化合物と、金属
アルミニウムあるいは酸化アルミニウムもしくは加熱に
より酸化アルミニウムに分解される化合物と、金属亜鉛
あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解さ
れる化合物とを、In、AlおよびZnの割合が原子比
で1対1対5の割合で混合し、該混合物を600℃以上
の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはInおよび
Alが各々3価イオン状態、Znが2価イオン状態より
還元されない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする
InAlZn_5O_8で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9135987A JPH0244245B2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Ina1zn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9135987A JPH0244245B2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Ina1zn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63256525A true JPS63256525A (ja) | 1988-10-24 |
JPH0244245B2 JPH0244245B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=14024193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9135987A Expired - Lifetime JPH0244245B2 (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | Ina1zn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0244245B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP9135987A patent/JPH0244245B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0244245B2 (ja) | 1990-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63210024A (ja) | InGaZn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPS63210022A (ja) | InGaZn↓3O↓6で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPS63256525A (ja) | InA1Zn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPH0244243B2 (ja) | Inalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPS63256520A (ja) | ScA1Zn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPS63274622A (ja) | LuGaZn↓70↓1↓0で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPH0244251B2 (ja) | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0435409B2 (ja) | ||
JPS63256523A (ja) | LuGaZn↓3O↓6で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPH0435408B2 (ja) | ||
JPS63277516A (ja) | LuAlZn↓7O↓1↓0で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPS63265816A (ja) | ScGaZn↓7O↓1↓0で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPS63295420A (ja) | YbGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPS63215518A (ja) | InAIZn↓3O↓6で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPH0435405B2 (ja) | ||
JPS63215514A (ja) | ScAlZn↓3O↓6で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPS63256524A (ja) | LuGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPS63210018A (ja) | ScAlZnMgO↓5で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPS63295430A (ja) | LuGaZn↓6O↓9で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPH0244247B2 (ja) | Scgazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPS63265815A (ja) | ScAlZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
JPH0246528B2 (ja) | Sca1zn609deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
JPH0359005B2 (ja) | ||
JPH0415171B2 (ja) | ||
JPH0377129B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |