JPS63256523A - ＬｕＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＬｕＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63256523A JPS63256523A JP9257387A JP9257387A JPS63256523A JP S63256523 A JPS63256523 A JP S63256523A JP 9257387 A JP9257387 A JP 9257387A JP 9257387 A JP9257387 A JP 9257387A JP S63256523 A JPS63256523 A JP S63256523A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物であるＬｕＧａＺｎ３０６で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物であるＬｕＧａＺｎ３０６で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来（Ｙｂ”Ｆｅ”０３）ｎＦｅ”Ｏ（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｆ４０４．Ｙｔ）ｚＦｅｔ０７． ＹｂＪｅＪ＋
ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋＊の六方晶系としての格子定数
、 ＹｂＯ＋、ｓ層、 ＦｅＯ＋、。
ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋＊の六方晶系としての格子定数
、 ＹｂＯ＋、ｓ層、 ＦｅＯ＋、。
層、 ＦｅｚＯ□、３層の単位格子内における層数を示
すと表−１の通りである。
すと表−１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄１モルに対して、ＹｂＦｅＯ３
がｎモルの割合で化合していると考えられる層状構造を
持つ化合物である。
がｎモルの割合で化合していると考えられる層状構造を
持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯ：＋） 、 ＦｅＯの化学式にお
いて、ｎ＝１／３に相当しｙｂ’＋の代わりにＬｕ”を
、ｐ ｅ ｆｆ ＋の代わりにＧａ”を、Ｆｅ２＋の代
わりにＺｎ”を置きかえて得られた新規化合物を提供す
るにある。
いて、ｎ＝１／３に相当しｙｂ’＋の代わりにＬｕ”を
、ｐ ｅ ｆｆ ＋の代わりにＧａ”を、Ｆｅ２＋の代
わりにＺｎ”を置きかえて得られた新規化合物を提供す
るにある。
発明の構成
本発明のＬｕＧａＺｎｆｆ０．、で示される化合物は、
イオン結晶モデルでは、Ｌａ”＜Ｇａ” ＋ Ｚｎ”）
Ｚｎ２”０５”−とじて記載され、その構造はＬｕＯ，
，５層 （Ｇａ ＋。
イオン結晶モデルでは、Ｌａ”＜Ｇａ” ＋ Ｚｎ”）
Ｚｎ２”０５”−とじて記載され、その構造はＬｕＯ，
，５層 （Ｇａ ＋。
Ｚｎ”）０□、５層およびＺｎＯ層の積層によって形成
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つである。Ｚｎ”″はイオン数の１７３はＧａ’＋と
共に（Ｇａ” 、 Ｚｎ”） Ｏｚ、 ｓ層を作り、残
りの２７３はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つである。Ｚｎ”″はイオン数の１７３はＧａ’＋と
共に（Ｇａ” 、 Ｚｎ”） Ｏｚ、 ｓ層を作り、残
りの２７３はＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。
ａ ＝３．３４４ ±０．００１ （人）Ｃ＝４０．
８８ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈｋ
ｊり、面間隔（ｄ（人））。
８８ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈｋ
ｊり、面間隔（ｄ（人））。
（ｄ、は実測値＋ ｄｃは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（１％）を示すと、表−２の通りで
ある。
対する相対反射強度（１％）を示すと、表−２の通りで
ある。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは加熱に
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｌ
ｕ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対３の割
合で混合し、該混合物を６５０℃以上の温度で大気中、
酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよびＧａが各々３価イオ
ン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰
囲気中で加熱することによって製造し得られる。
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｌ
ｕ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対３の割
合で混合し、該混合物を６５０℃以上の温度で大気中、
酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよびＧａが各々３価イオ
ン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰
囲気中で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
状が小さい方がよ（、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
状が小さい方がよ（、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｌｕ、 Ｇａ、およびＺｎの割合が
原子比で１対１対３の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
原子比で１対１対３の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよ
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷す
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＬｕＧａＺｎ：＋０．化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、Ｌｕ０１４層
＋ （Ｇａ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の積
み重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、Ｌｕ０１４層
＋ （Ｇａ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の積
み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化ルテチウム（Ｌｕｚ０３）
粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚｅ
３）粉末および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモ
ル比で１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。この混合物を白金管内に封入し、
１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、
２日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで
急速に冷却した。得られた試料はＬｕＧａＺｎ＋０６の
単−相であった。粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋ
Ａ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を測
定した。その結果は表−２の通りであった。
粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚｅ
３）粉末および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモ
ル比で１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。この混合物を白金管内に封入し、
１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、
２日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで
急速に冷却した。得られた試料はＬｕＧａＺｎ＋０６の
単−相であった。粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋ
Ａ）、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を測
定した。その結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ ＝３．３４４ ±０．００１ （人）ｃ ＝４０
．８８ ±０．０１ （人）であった。
．８８ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数及び表−２の面指数（ｈ ｋ １）より
算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ。
算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ。
（人））と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＬｕＧａＺｎ＿３Ｏ＿６で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは
加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｌｕ；ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対３
の割合で混合し、該混合物を６５０℃以上の温度で、大
気中、酸化性雰囲気中あるいはＬｕおよびＧａが各々３
価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない
還元雰囲気中で加熱することを特徴とするＬｕＧａＺｎ
＿３Ｏ＿６で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257387A JPS63256523A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | ＬｕＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257387A JPS63256523A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | ＬｕＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63256523A true JPS63256523A (ja) | 1988-10-24 |
| JPH0348134B2 JPH0348134B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=14058170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9257387A Granted JPS63256523A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | ＬｕＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63256523A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606887A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Fukunari Imada | 超音波距離計 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP9257387A patent/JPS63256523A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606887A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Fukunari Imada | 超音波距離計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348134B2 (ja) | 1991-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |