JPS63295429A - LuGaZn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
LuGaZn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63295429A JPS63295429A JP12907387A JP12907387A JPS63295429A JP S63295429 A JPS63295429 A JP S63295429A JP 12907387 A JP12907387 A JP 12907387A JP 12907387 A JP12907387 A JP 12907387A JP S63295429 A JPS63295429 A JP S63295429A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
- C01G15/006—Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物であるLuGaZn5Osで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物であるLuGaZn5Osで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、(Yb”Fe”Os)+m Fe”O(nは整数
を示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
を示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
YbPe1Oa、Yb1FelOy 、 Yb、Fe*
0+e及びYbFeO+sの六方晶系としての格子定数
、ybot、s層* Fe0t、s層、 Fe1on、
s層の単位格子内における層数を示すと表−1の通り
である。
0+e及びYbFeO+sの六方晶系としての格子定数
、ybot、s層* Fe0t、s層、 Fe1on、
s層の単位格子内における層数を示すと表−1の通り
である。
これらの化合物は酸化鉄(Fed) 1モルに対して、
YbFeO3がnモル(n=1.2.3−)の割合で化
合していると考えられる層状構造を持つ化合物である。
YbFeO3がnモル(n=1.2.3−)の割合で化
合していると考えられる層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は(YbFeOs)、 FeOの化学式において
、n=175に相当し、Yb”の代わりにLu3+を、
Fe3+の代わりにGa″+を、Pa”の代わりにzn
lを置きかえて得られた新規な化合物を提供するにある
。
、n=175に相当し、Yb”の代わりにLu3+を、
Fe3+の代わりにGa″+を、Pa”の代わりにzn
lを置きかえて得られた新規な化合物を提供するにある
。
発明の構成
本発明のLuGaZn5O*で示される化合物は、イオ
ン結晶モデルでは、Lu”(Ga” 、Zn”)ZnO
”0@”−とじて記載され、その構造は1u01.s層
(にa!+。
ン結晶モデルでは、Lu”(Ga” 、Zn”)ZnO
”0@”−とじて記載され、その構造は1u01.s層
(にa!+。
Zn”つ08.S層およびZnO層の積層によって形成
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つであるe Zn”+イオンの175はGa”と共に
(Ga”、 Zn”)01. s層を作り、残りの41
5はZnO層を作っている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。
されており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の
一つであるe Zn”+イオンの175はGa”と共に
(Ga”、 Zn”)01. s層を作り、残りの41
5はZnO層を作っている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。
a =3.320 ±0.001 (人)c =5
6.44 ±0.01 (人)この化合物の面指数
(hkl)、面間隔(d(人))(d、は実測値+ d
eは計算値を示す)およびX線に対する相対反射強度(
I(%))を示すと表−2の通りである。
6.44 ±0.01 (人)この化合物の面指数
(hkl)、面間隔(d(人))(d、は実測値+ d
eは計算値を示す)およびX線に対する相対反射強度(
I(%))を示すと表−2の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは加熱に
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、L
u、 GaおよびZnの割合が原子比で1対1対5の割
合で混合し、該混合物を650℃以上の温度で、大気中
、#I化性雰囲気中あるいはLuおよびGaが各々3価
イオン状態、Znが2価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、L
u、 GaおよびZnの割合が原子比で1対1対5の割
合で混合し、該混合物を650℃以上の温度で、大気中
、#I化性雰囲気中あるいはLuおよびGaが各々3価
イオン状態、Znが2価イオン状態より還元されない還
元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μ−以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μ−以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい、
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい、
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Lu、 Ga、およびZnの割合が
原子比で1対1対5の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
原子比で1対1対5の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはLuおよ
びGaが各々3価イオン状br Znが2価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で650℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
びGaが各々3価イオン状br Znが2価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で650℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
加熱の際の昇温速度に制約はない、加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたLuGaZn4.Os化合物の粉末は無色であ
り、粉末X線回折法によると結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、Lu0t、s
層+ (Ga、Zn)0.s層、およびZnO層の積み
重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末X線回折法によると結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、Lu0t、s
層+ (Ga、Zn)0.s層、およびZnO層の積み
重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度99.99%以上の酸化ルテチウム(Lumps)
粉末、純度99.99%以上の酸化ガリウム(Game
s)粉末、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末を
モル比で1対1対10の割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μ
−の微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し
、1450℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ
4日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし、室温ま
で急速に冷却した。得られた試料はLuGaZn5O−
の単−相であり、粉末X線回折法によって面指数(hk
j)、面間隔(do)および相対反射強度(1%)を測
定した。その結果は表−2の通りであった。
粉末、純度99.99%以上の酸化ガリウム(Game
s)粉末、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末を
モル比で1対1対10の割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μ
−の微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し
、1450℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ
4日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし、室温ま
で急速に冷却した。得られた試料はLuGaZn5O−
の単−相であり、粉末X線回折法によって面指数(hk
j)、面間隔(do)および相対反射強度(1%)を測
定した。その結果は表−2の通りであった。
六方晶系としての格子定数は、
a −3,320±0.001 (人)C−56,44
±0.01 (人) であった。
±0.01 (人) であった。
上記の格子定数および表−2の面指数(h k 1)よ
り算出した面間隔(aC(人))は、実測の面間隔(d
。
り算出した面間隔(aC(人))は、実測の面間隔(d
。
(人))と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- (1)LuGaZn_5O_8で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - (2)金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは
加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Lu、GaおよびZnの割合が原子比で1対1対5
の割合で混合し、該混合物を650℃以上の温度で、大
気中、酸化性雰囲気中あるいはLuおよびGaが各々3
価イオン状態、Znが2価イオン状態より還元されない
還元雰囲気中で加熱することを特徴とするLuGaZn
_5O_8で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物の製造法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12907387A JPS63295429A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | LuGaZn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
EP88109377A EP0295606B1 (en) | 1987-05-26 | 1988-06-13 | An automatic ink feeding apparatus in an offset proof press machine |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12907387A JPS63295429A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | LuGaZn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63295429A true JPS63295429A (ja) | 1988-12-01 |
JPH0333656B2 JPH0333656B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=15000411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12907387A Granted JPS63295429A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | LuGaZn↓5O↓8で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63295429A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | X線ct装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12907387A patent/JPS63295429A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | X線ct装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0333656B2 (ja) | 1991-05-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |