JPS63295424A - TmGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
TmGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63295424A JPS63295424A JP12906287A JP12906287A JPS63295424A JP S63295424 A JPS63295424 A JP S63295424A JP 12906287 A JP12906287 A JP 12906287A JP 12906287 A JP12906287 A JP 12906287A JP S63295424 A JPS63295424 A JP S63295424A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料として有
用な新規化合物であるTmGaZn4Q7で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
用な新規化合物であるTmGaZn4Q7で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
従来技術
従来、(マb”Fe”Q3)@Fe”°6(nは整数を
示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
示す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
マbFe164. Yb2Fe167、 Yb1Fe4
51(1及びYb4Fe5613の六方晶系としての格
子定数、Yb151−s層e Fef51 os層m
F a 2152 a s層の単位格子内における層数
を示すと表−1の通9である。
51(1及びYb4Fe5613の六方晶系としての格
子定数、Yb151−s層e Fef51 os層m
F a 2152 a s層の単位格子内における層数
を示すと表−1の通9である。
これらの化合物は酸化鉄(Feo) 1モルに対して、
YbFeelsがnモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
YbFeelsがnモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は(YbFe6.)@Fe6の化学式において、
n 21 /4に相当しYbl”の代わりにTm”をF
e”の代わりにGa”を Fe”の代わりにZn”を置
きかえて得られる新規な化合物を提供するにある。
n 21 /4に相当しYbl”の代わりにTm”をF
e”の代わりにGa”を Fe”の代わりにZn”を置
きかえて得られる新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のTaGaZna6tで示される化合物は、イオ
ン結晶モデルでは、Tm” (Ga”Zn”)Znl”
07”−とじて記載され、その構造はτmC111,5
層、 (Ga”Zn”)62.5層およびZnf5層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の一つである。Zn”の1/4
はGa”と共に(Ga” ” pZn” ” )o2
a5層を作り、残りの3/4はZn0層を作っている。
ン結晶モデルでは、Tm” (Ga”Zn”)Znl”
07”−とじて記載され、その構造はτmC111,5
層、 (Ga”Zn”)62.5層およびZnf5層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の一つである。Zn”の1/4
はGa”と共に(Ga” ” pZn” ” )o2
a5層を作り、残りの3/4はZn0層を作っている。
六方晶系としての格子定数は次の通りである。
a=3,331±0.001 己)
c=32.38±0.01 (入)この化合物の面
指数(h k i )、面間隔(d(A))(dOは実
測値、dcは計算値を示す)およびX線に対する相対反
射強度(1(%))を示すと表−2の通りである。
指数(h k i )、面間隔(d(A))(dOは実
測値、dcは計算値を示す)およびX線に対する相対反
射強度(1(%))を示すと表−2の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料および触媒材料等
に有用なものである。
に有用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱により
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウムある
いは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、T■、 C
aおよびZnの割合が原子比で1対1対4の割合で混合
し、該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはTmおよびGaが各々3価イオン状態
、Znが2価イオン状態より還元されない還元雰囲気中
で加熱することによって製造し得られる。
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウムある
いは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、T■、 C
aおよびZnの割合が原子比で1対1対4の割合で混合
し、該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはTmおよびGaが各々3価イオン状態
、Znが2価イオン状態より還元されない還元雰囲気中
で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μm以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μm以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる基金には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいCよアルコール類、アセトン等
と共に充分に混合する。
と共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ts、 Ga、及びZnの割合が原
子比で1対1対40割合であることが必要である。これ
を(よずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
子比で1対1対40割合であることが必要である。これ
を(よずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはT−およ
びGaが各々3価イオン状態、 Znが各々2価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で600℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びGaが各々3価イオン状態、 Znが各々2価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で600℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたTmGaZ口、oア化合物の粉末は無色であり
、粉末X線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、T ll61
@ S層# (Ga、 Zn)Ox−s層、およびZn
O層の積重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末X線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、T ll61
@ S層# (Ga、 Zn)Ox−s層、およびZn
O層の積重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度99.99%以上の酸化ツリウム(T■鵞Os)粉
末、純度99.9%以上の酸化ガリウム(Ga161)
粉末、試薬特級の酸化亜鉛(Zn15)粉末をモル比で
1対1対 8の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μmの微粉
末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、145
0℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、4日間
加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に
冷却しな。
末、純度99.9%以上の酸化ガリウム(Ga161)
粉末、試薬特級の酸化亜鉛(Zn15)粉末をモル比で
1対1対 8の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約30分間部合し、平均粒径数μmの微粉
末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、145
0℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、4日間
加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に
冷却しな。
得られた試料は、τ−GaZn4Q7単−相であり、粉
末X線回折法によって面指数(hkえ)2面間隔(do
)および相対反射強度(1%)を測定した。その結果は
表−2の通りであった。
末X線回折法によって面指数(hkえ)2面間隔(do
)および相対反射強度(1%)を測定した。その結果は
表−2の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
IL=3.331−1:Q、001 (X)c=32
.38±0.01 (λ)であった。
.38±0.01 (λ)であった。
上記の格子定数および表−2の面指数(hkl)より算
出した面間隔(d、(入))は、実測の面間隔(dO(
λ))と極めてよく一致していた。
出した面間隔(d、(入))は、実測の面間隔(dO(
λ))と極めてよく一致していた。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- (1)TmGaZn_4O_7で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物 - (2)金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱
により酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Tm
、GaおよびZnの割合が原子比で1対1対4の割合で
混合し、該混合物を600℃以上の温度で大気中、酸化
性雰囲気中あるいはTmおよびGaが各々3価イオン状
態、Znが2価イオン状態より還元されない還元雰囲気
中で加熱することを特徴とするTmGaZn_4O_7
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12906287A JPS63295424A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | TmGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12906287A JPS63295424A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | TmGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63295424A true JPS63295424A (ja) | 1988-12-01 |
JPH0333651B2 JPH0333651B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=15000144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12906287A Granted JPS63295424A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | TmGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63295424A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12906287A patent/JPS63295424A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0333651B2 (ja) | 1991-05-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |