JPS63295424A - ＴｍＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＴｍＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63295424A JPS63295424A JP12906287A JP12906287A JPS63295424A JP S63295424 A JPS63295424 A JP S63295424A JP 12906287 A JP12906287 A JP 12906287A JP 12906287 A JP12906287 A JP 12906287A JP S63295424 A JPS63295424 A JP S63295424A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料として有
用な新規化合物であるＴｍＧａＺｎ４Ｑ７で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
用な新規化合物であるＴｍＧａＺｎ４Ｑ７で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
従来技術
従来、（マｂ”Ｆｅ”Ｑ３）＠Ｆｅ”°６（ｎは整数を
示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
マｂＦｅ１６４． Ｙｂ２Ｆｅ１６７、 Ｙｂ１Ｆｅ４
５１（１及びＹｂ４Ｆｅ５６１３の六方晶系としての格
子定数、Ｙｂ１５１−ｓ層ｅ Ｆｅｆ５１ ｏｓ層ｍ
Ｆ ａ ２１５２ ａ ｓ層の単位格子内における層数
を示すと表−１の通９である。
５１（１及びＹｂ４Ｆｅ５６１３の六方晶系としての格
子定数、Ｙｂ１５１−ｓ層ｅ Ｆｅｆ５１ ｏｓ層ｍ
Ｆ ａ ２１５２ ａ ｓ層の単位格子内における層数
を示すと表−１の通９である。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｏ） １モルに対して、
ＹｂＦｅｅｌｓがｎモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
ＹｂＦｅｅｌｓがｎモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅ６．）＠Ｆｅ６の化学式において、
ｎ ２１ ／４に相当しＹｂｌ”の代わりにＴｍ”をＦ
ｅ”の代わりにＧａ”を Ｆｅ”の代わりにＺｎ”を置
きかえて得られる新規な化合物を提供するにある。
ｎ ２１ ／４に相当しＹｂｌ”の代わりにＴｍ”をＦ
ｅ”の代わりにＧａ”を Ｆｅ”の代わりにＺｎ”を置
きかえて得られる新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＴａＧａＺｎａ６ｔで示される化合物は、イオ
ン結晶モデルでは、Ｔｍ” （Ｇａ”Ｚｎ”）Ｚｎｌ”
０７”−とじて記載され、その構造はτｍＣ１１１，５
層、 （Ｇａ”Ｚｎ”）６２．５層およびＺｎｆ５層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ”の１／４
はＧａ”と共に（Ｇａ” ” ｐＺｎ” ” ）ｏ２
ａ５層を作り、残りの３／４はＺｎ０層を作っている。
ン結晶モデルでは、Ｔｍ” （Ｇａ”Ｚｎ”）Ｚｎｌ”
０７”−とじて記載され、その構造はτｍＣ１１１，５
層、 （Ｇａ”Ｚｎ”）６２．５層およびＺｎｆ５層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ”の１／４
はＧａ”と共に（Ｇａ” ” ｐＺｎ” ” ）ｏ２
ａ５層を作り、残りの３／４はＺｎ０層を作っている。
六方晶系としての格子定数は次の通りである。
ａ＝３，３３１±０．００１ 己）
ｃ＝３２．３８±０．０１ （入）この化合物の面
指数（ｈ ｋ ｉ ）、面間隔（ｄ（Ａ））（ｄＯは実
測値、ｄｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反
射強度（１（％））を示すと表−２の通りである。
指数（ｈ ｋ ｉ ）、面間隔（ｄ（Ａ））（ｄＯは実
測値、ｄｃは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反
射強度（１（％））を示すと表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料および触媒材料等
に有用なものである。
に有用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱により
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウムある
いは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Ｔ■、 Ｃ
ａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対４の割合で混合
し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはＴｍおよびＧａが各々３価イオン状態
、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中
で加熱することによって製造し得られる。
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウムある
いは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Ｔ■、 Ｃ
ａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対４の割合で混合
し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはＴｍおよびＧａが各々３価イオン状態
、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中
で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる基金には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいＣよアルコール類、アセトン等
と共に充分に混合する。
と共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｔｓ、 Ｇａ、及びＺｎの割合が原
子比で１対１対４０割合であることが必要である。これ
を（よずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
子比で１対１対４０割合であることが必要である。これ
を（よずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＴ−およ
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＴｍＧａＺ口、ｏア化合物の粉末は無色であり
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、Ｔ ｌｌ６１
＠ Ｓ層＃ （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｘ−ｓ層、およびＺｎ
Ｏ層の積重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、Ｔ ｌｌ６１
＠ Ｓ層＃ （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｘ−ｓ層、およびＺｎ
Ｏ層の積重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化ツリウム（Ｔ■鵞Ｏｓ）粉
末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ１６１）
粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ１５）粉末をモル比で
１対１対 ８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉
末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５
０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、４日間
加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に
冷却しな。
末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ１６１）
粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ１５）粉末をモル比で
１対１対 ８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉
末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５
０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、４日間
加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に
冷却しな。
得られた試料は、τ−ＧａＺｎ４Ｑ７単−相であり、粉
末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋえ）２面間隔（ｄｏ
）および相対反射強度（１％）を測定した。その結果は
表−２の通りであった。
末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋえ）２面間隔（ｄｏ
）および相対反射強度（１％）を測定した。その結果は
表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ＩＬ＝３．３３１−１：Ｑ、００１ （Ｘ）ｃ＝３２
．３８±０．０１ （λ）であった。
．３８±０．０１ （λ）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈｋｌ）より算
出した面間隔（ｄ、（入））は、実測の面間隔（ｄＯ（
λ））と極めてよく一致していた。
出した面間隔（ｄ、（入））は、実測の面間隔（ｄＯ（
λ））と極めてよく一致していた。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＴｍＧａＺｎ＿４Ｏ＿７で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物 - （２）金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱
により酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Ｔｍ
、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対４の割合で
混合し、該混合物を６００℃以上の温度で大気中、酸化
性雰囲気中あるいはＴｍおよびＧａが各々３価イオン状
態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰囲気
中で加熱することを特徴とするＴｍＧａＺｎ＿４Ｏ＿７
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12906287A JPS63295424A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＴｍＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12906287A JPS63295424A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＴｍＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295424A true JPS63295424A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0333651B2 JPH0333651B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=15000144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12906287A Granted JPS63295424A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＴｍＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295424A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12906287A patent/JPS63295424A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0333651B2 (ja) | 1991-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |