JPH0348133B2 - - Google Patents
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- JPH0348133B2 JPH0348133B2 JP62029206A JP2920687A JPH0348133B2 JP H0348133 B2 JPH0348133 B2 JP H0348133B2 JP 62029206 A JP62029206 A JP 62029206A JP 2920687 A JP2920687 A JP 2920687A JP H0348133 B2 JPH0348133 B2 JP H0348133B2
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- decomposes
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- Expired - Lifetime
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Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材
料として有用な新規化合物であるYbGaZn2O5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4，Yb2Fe3O7，Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層，FeO1.5層，Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１，２，３…）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。
料として有用な新規化合物であるYbGaZn2O5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4，Yb2Fe3O7，Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層，FeO1.5層，Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１，２，３…）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/2に相当し、Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+
の代わりにZn2+を置きかえて得られた新規な化
合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のYbGaZn2O5で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではYb3+（Ga3+，Zn2+）
Zn2+O5 2-として記載され、その構造はYbO1.5層、
（Ga3+、Zn2+）O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオンの半数は
Ga3+と共に（Ga3+，Zn2+）O2.5層を作り、残り
の半数はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 ａ＝3.378±0.001（Å） ｃ＝21.98±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を示すと、表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
ｎ＝1/2に相当し、Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+
の代わりにZn2+を置きかえて得られた新規な化
合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のYbGaZn2O5で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではYb3+（Ga3+，Zn2+）
Zn2+O5 2-として記載され、その構造はYbO1.5層、
（Ga3+、Zn2+）O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオンの半数は
Ga3+と共に（Ga3+，Zn2+）O2.5層を作り、残り
の半数はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 ａ＝3.378±0.001（Å） ｃ＝21.98±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を示すと、表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビウ
ムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分解
される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリ
ウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、
Yb，GaおよびZnの割合が原子比１対１対２の割
合で混合し、該混合物を600℃以上の温度で、大
気中、酸化性雰囲気中あるいはYbおよびGaが
各々３価イオン状態、Znが２価イオン状態より
還元されない還元雰囲気中で加熱することによつ
て製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Yb，Ga，及びZnの割合で
原子比で１対１対２の割合であることが必要であ
る。これをはずすと目的とする化合物の単一相を
得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびGaが各々３価イオン状態、Znが２価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で600℃
以上のもとで加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたYbGaZn2O5化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
YbO1.5層、（Ga，Zn）O2.5層、およびZnO層の積
み重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化イツテルビウム
（Yb2O3）粉末、純度99.99％以上の酸化ガリウム
（Ga2O3）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛
（ZnO）粉末をモル比で１対１対４の割合に秤量
し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて、約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉末混合物を得
た。該混合物を白金管内に封入し、1300℃に設定
された管状シリコニツト炉内に入れ３日間加熱
し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速
に冷却した。得られた試料はYbGaZn2O5単一相
であり、粉末Ｘ線回折法によつて面指数（hkl）、
面間隔（dp）および相対反射強度（Ｉ％）を測定
した。その結果は表−２の通りであつた。 六方晶系としては格子定数は ａ＝3.378±0.001（Å） ｃ＝21.98±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビウ
ムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分解
される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリ
ウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、
Yb，GaおよびZnの割合が原子比１対１対２の割
合で混合し、該混合物を600℃以上の温度で、大
気中、酸化性雰囲気中あるいはYbおよびGaが
各々３価イオン状態、Znが２価イオン状態より
還元されない還元雰囲気中で加熱することによつ
て製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Yb，Ga，及びZnの割合で
原子比で１対１対２の割合であることが必要であ
る。これをはずすと目的とする化合物の単一相を
得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびGaが各々３価イオン状態、Znが２価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で600℃
以上のもとで加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたYbGaZn2O5化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
YbO1.5層、（Ga，Zn）O2.5層、およびZnO層の積
み重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化イツテルビウム
（Yb2O3）粉末、純度99.99％以上の酸化ガリウム
（Ga2O3）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛
（ZnO）粉末をモル比で１対１対４の割合に秤量
し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて、約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉末混合物を得
た。該混合物を白金管内に封入し、1300℃に設定
された管状シリコニツト炉内に入れ３日間加熱
し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速
に冷却した。得られた試料はYbGaZn2O5単一相
であり、粉末Ｘ線回折法によつて面指数（hkl）、
面間隔（dp）および相対反射強度（Ｉ％）を測定
した。その結果は表−２の通りであつた。 六方晶系としては格子定数は ａ＝3.378±0.001（Å） ｃ＝21.98±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ YbGaZn2O5で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビ
ウムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分
解される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガ
リウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解さ
れる化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしく
は加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、
Yb，GaおよびZnの割合が原子比で１対１対２の
割合で混合し、該混合物を600℃以上の温度で、
大気中、酸化性雰囲気中あるいはYbおよびGaが
各々３価イオン状態、Znが２価イオン状態より
還元されない還元雰囲気中で加熱することを特徴
とするYbGaZn2O5で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920687A JPS63195120A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＹｂＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920687A JPS63195120A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＹｂＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63195120A JPS63195120A (ja) | 1988-08-12 |
| JPH0348133B2 true JPH0348133B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=12269720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2920687A Granted JPS63195120A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＹｂＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63195120A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2920687A patent/JPS63195120A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63195120A (ja) | 1988-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |