JPH0333646B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0333646B2 JPH0333646B2 JP12905487A JP12905487A JPH0333646B2 JP H0333646 B2 JPH0333646 B2 JP H0333646B2 JP 12905487 A JP12905487 A JP 12905487A JP 12905487 A JP12905487 A JP 12905487A JP H0333646 B2 JPH0333646 B2 JP H0333646B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- oxide
- heated
- ybgazn
- decomposes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
- C01G15/006—Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料
として有用な新規化合物であるYbGaZn4θ7で示
される六方晶系の層状構造を有する化合物および
その製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+θ3）oFe2+θ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2θ4、Yb2Fe3θ7、Yb3Fe4θ10及び
Yb4Fe5θ13の六方晶系としての格子定数、Ybθ1.5
層、Feθ1.5層、Fe2θ2.5層の単位格子内における層
数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（Feθ）１モルに対し
て、YbFeθ3がｎモルの割合で化合していると考
えられる層状構造を持つ化合物である。
として有用な新規化合物であるYbGaZn4θ7で示
される六方晶系の層状構造を有する化合物および
その製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+θ3）oFe2+θ（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2θ4、Yb2Fe3θ7、Yb3Fe4θ10及び
Yb4Fe5θ13の六方晶系としての格子定数、Ybθ1.5
層、Feθ1.5層、Fe2θ2.5層の単位格子内における層
数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（Feθ）１モルに対し
て、YbFeθ3がｎモルの割合で化合していると考
えられる層状構造を持つ化合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeθ3）oFeθの化学式において、ｎ
＝1/4に相当しFe3+の代わりにGa3+をFe2+の代わ
りにZn2+を置きかえて得られる新規な化合物を
提供するにある。 発明の構成 本発明のYbGaZn4θ7で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、Yb3+（Ga3+Zn2+）
Zn3 2+θ7 2-として記載され、その構造はYbθ1.5層、
（Ga3+Zn2+）θ2.5層およびZnθ層の積層によつて形
成されており、著しい構造異方性を持つているこ
とがその特徴の一つである。Zn2+の1/4はGa3+と
共に（Ga3+、Zn2+）θ2.5層を作り、残りの3/4は
Znθ層を作つている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。 ａ＝3.334±0.001（Å） ｃ＝32.38±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料として有用なものである。
＝1/4に相当しFe3+の代わりにGa3+をFe2+の代わ
りにZn2+を置きかえて得られる新規な化合物を
提供するにある。 発明の構成 本発明のYbGaZn4θ7で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、Yb3+（Ga3+Zn2+）
Zn3 2+θ7 2-として記載され、その構造はYbθ1.5層、
（Ga3+Zn2+）θ2.5層およびZnθ層の積層によつて形
成されており、著しい構造異方性を持つているこ
とがその特徴の一つである。Zn2+の1/4はGa3+と
共に（Ga3+、Zn2+）θ2.5層を作り、残りの3/4は
Znθ層を作つている。六方晶系としての格子定数
は次の通りである。 ａ＝3.334±0.001（Å） ｃ＝32.38±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料として有用なものである。
【表】
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビウ
ムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分解
される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリ
ウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Yb、
GaおよびZnの割合が原子比で１対１対４の割合
で混合し、該混合物を650℃以上の温度で、大気
中、酸化性雰囲気中あるいはYbおよびGaが各々
３価イオン状態、Znが２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することによつて得
られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Yb、Ga、Znの割合が原子
比で１対１対４の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単一相を得る
ことができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびGaが各々３価イオン状態、Znが各々２
価イオン状態から還元されない還元雰囲気中で
650℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたYbGaZn4θ7化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
Ybθ1.5層、（Ga、Zn）θ2.5層、およびZnθ層の積重
ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化イツテルビウム
（Yb2θ3）粉末、純度99.9％以上の酸化ガリウム
（Ga2θ3）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Znθ）粉末
をモル比で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳
鉢内でエタノールを加えて、約30分間混合し、平
均粒径数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を
白金管内に封入し、1450℃に設定された管状シリ
コニツト炉内に入れ、４日間加熱し、その後、試
料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、YbGaZn4θ7単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔（dp）お
よび相対反射強度を測定した結果は表−２の通り
であつた。六方晶系としての格子定数は次の通り
であつた。 ａ＝3.334±0.001（Å） ｃ＝32.38±0.01（Å） 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（do（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビウ
ムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分解
される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリ
ウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、Yb、
GaおよびZnの割合が原子比で１対１対４の割合
で混合し、該混合物を650℃以上の温度で、大気
中、酸化性雰囲気中あるいはYbおよびGaが各々
３価イオン状態、Znが２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することによつて得
られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Yb、Ga、Znの割合が原子
比で１対１対４の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単一相を得る
ことができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびGaが各々３価イオン状態、Znが各々２
価イオン状態から還元されない還元雰囲気中で
650℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたYbGaZn4θ7化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
Ybθ1.5層、（Ga、Zn）θ2.5層、およびZnθ層の積重
ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化イツテルビウム
（Yb2θ3）粉末、純度99.9％以上の酸化ガリウム
（Ga2θ3）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Znθ）粉末
をモル比で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳
鉢内でエタノールを加えて、約30分間混合し、平
均粒径数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を
白金管内に封入し、1450℃に設定された管状シリ
コニツト炉内に入れ、４日間加熱し、その後、試
料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、YbGaZn4θ7単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔（dp）お
よび相対反射強度を測定した結果は表−２の通り
であつた。六方晶系としての格子定数は次の通り
であつた。 ａ＝3.334±0.001（Å） ｃ＝32.38±0.01（Å） 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（do（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ YbGaZn4θ7で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビ
ウムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分
解される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガ
リウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解さ
れる化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしく
は加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、
Yb、GaおよびZnの割合が原子比で１対１対４の
割合で混合し、該混合物を650℃以上の温度で大
気中、酸化性雰囲気中あるいはYbおよびGaが
各々３価イオン状態、Znが２価イオン状態より
還元されない還元雰囲気中で加熱することを特徴
とするYbGaZn4θ7で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12905487A JPS63295420A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12905487A JPS63295420A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295420A JPS63295420A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0333646B2 true JPH0333646B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=14999945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12905487A Granted JPS63295420A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295420A (ja) |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12905487A patent/JPS63295420A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63295420A (ja) | 1988-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0244262B2 (ja) | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244260B2 (ja) | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244258B2 (ja) | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244259B2 (ja) | ||
| JPH0435407B2 (ja) | ||
| JPH0435424B2 (ja) | ||
| JPH0248488B2 (ja) | Lualzn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0333646B2 (ja) | ||
| JPH0333650B2 (ja) | ||
| JPH0244251B2 (ja) | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0333648B2 (ja) | ||
| JPH0314779B2 (ja) | ||
| JPH0333655B2 (ja) | ||
| JPH0333653B2 (ja) | ||
| JPH0435408B2 (ja) | ||
| JPH0333645B2 (ja) | ||
| JPH0244243B2 (ja) | Inalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435409B2 (ja) | ||
| JPH0348133B2 (ja) | ||
| JPH0248487B2 (ja) | Ybalzn9o12deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0333652B2 (ja) | ||
| JPH0333651B2 (ja) | ||
| JPH0333654B2 (ja) | ||
| JPH0333649B2 (ja) | ||
| JPH0244254B2 (ja) | Scgazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |