JPH0244251B2 - Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho - Google Patents
Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizohoInfo
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- JPH0244251B2 JPH0244251B2 JP4115987A JP4115987A JPH0244251B2 JP H0244251 B2 JPH0244251 B2 JP H0244251B2 JP 4115987 A JP4115987 A JP 4115987A JP 4115987 A JP4115987 A JP 4115987A JP H0244251 B2 JPH0244251 B2 JP H0244251B2
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- Japan
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- Expired - Lifetime
Links
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Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材
料として有用な新規化合物であるScGaZn3O6で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１、２、３…）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。
料として有用な新規化合物であるScGaZn3O6で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１、２、３…）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/3に相当し、Yb3+の代わりにSc3+を、Fe3+
の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにZn2+を置き
かえて得られた新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のScGaZn3O6で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではSc3+（Ga3+、Zn2+）
Zn2 2+O6 2-として記載され、その構造はScO1.5層、
（Ga3+、Zn2+）O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオンの1/3は
Ga3+と共に（Ga3+、Zn2+）O2.5層を作り、残り
の2/3はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 ａ＝3.263±0.001（Å） ｃ＝41.54±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を示すと、表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
ｎ＝1/3に相当し、Yb3+の代わりにSc3+を、Fe3+
の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにZn2+を置き
かえて得られた新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のScGaZn3O6で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではSc3+（Ga3+、Zn2+）
Zn2 2+O6 2-として記載され、その構造はScO1.5層、
（Ga3+、Zn2+）O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオンの1/3は
Ga3+と共に（Ga3+、Zn2+）O2.5層を作り、残り
の2/3はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 ａ＝3.263±0.001（Å） ｃ＝41.54±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を示すと、表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムも
しくは加熱により酸化スカンジウムに分解される
化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムも
しくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物とを、Sc、Ga
およびZnの割合が原子比で１対１対３の割合で
混合し、該混合物を800℃以上の温度で、大気中、
酸化性雰囲気中あるいはScおよびGaが各々３価
イオン状態、Znが２価イオン状態より還元され
ない還元雰囲気中で加熱することによつて製造し
得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Sc、Ga、及びZnの割合が
原子比で１対１対３の割合であることが必要であ
る。これをはずすと目的とする化合物の単一相を
得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
ScおよびGaが各々３価イオン状態、Znが２価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で800℃
以上のもとで加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたScGaZn3O6化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
ScO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、およびZnO層の積
み重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化スカンジウム（Sc2O3）
粉末、純度99.99％以上の酸化ガリウム（Ga2O3）
粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）粉末を
モル比で１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢
内でエタノールを加えて、約30分間混合し、平均
粒径数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白
金管内に封入し、1450℃に設定された管状シリコ
ニツト炉内に入れ４日間加熱し、その後、試料を
炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。得られ
た試料はScGaZn3O6単一相であり、粉末Ｘ線回
折法によつて面指数（hkl）、面間隔（dp）および
相対反射強度（Ｉ％）を測定した。その結果は表
−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.263±0.001（Å） ｃ＝41.54±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムも
しくは加熱により酸化スカンジウムに分解される
化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムも
しくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物とを、Sc、Ga
およびZnの割合が原子比で１対１対３の割合で
混合し、該混合物を800℃以上の温度で、大気中、
酸化性雰囲気中あるいはScおよびGaが各々３価
イオン状態、Znが２価イオン状態より還元され
ない還元雰囲気中で加熱することによつて製造し
得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Sc、Ga、及びZnの割合が
原子比で１対１対３の割合であることが必要であ
る。これをはずすと目的とする化合物の単一相を
得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
ScおよびGaが各々３価イオン状態、Znが２価イ
オン状態から還元されない還元雰囲気中で800℃
以上のもとで加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約
はない。加熱終了後急冷するか、あるいは大気中
に急激に引き出せばよい。 得られたScGaZn3O6化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
ScO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、およびZnO層の積
み重ねによつて形成されていることが分かつた。 実施例 純度99.99％以上の酸化スカンジウム（Sc2O3）
粉末、純度99.99％以上の酸化ガリウム（Ga2O3）
粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）粉末を
モル比で１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢
内でエタノールを加えて、約30分間混合し、平均
粒径数μｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白
金管内に封入し、1450℃に設定された管状シリコ
ニツト炉内に入れ４日間加熱し、その後、試料を
炉外にとりだし室温まで急速に冷却した。得られ
た試料はScGaZn3O6単一相であり、粉末Ｘ線回
折法によつて面指数（hkl）、面間隔（dp）および
相対反射強度（Ｉ％）を測定した。その結果は表
−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.263±0.001（Å） ｃ＝41.54±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ScGaZn3O6で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウム
もしくは加熱により酸化スカンジウムに分解され
る化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウム
もしくは加熱により酸化ガリウムに分解される化
合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱
により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Sc、
GaおよびZnの割合が原子比で１対１対３の割合
で混合し、該混合物を800℃以上の温度で、大気
中、酸化性雰囲気中あるいはScおよびGaが各々
３価イオン状態、Znが２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することを特徴とす
るScGaZn3O6で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115987A JPH0244251B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115987A JPH0244251B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210021A JPS63210021A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0244251B2 true JPH0244251B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12600640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115987A Expired - Lifetime JPH0244251B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244251B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0468366U (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-17 |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP4115987A patent/JPH0244251B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0468366U (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63210021A (ja) | 1988-08-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |