JPS63210021A - ＳｃＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＳｃＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63210021A JPS63210021A JP4115987A JP4115987A JPS63210021A JP S63210021 A JPS63210021 A JP S63210021A JP 4115987 A JP4115987 A JP 4115987A JP 4115987 A JP4115987 A JP 4115987A JP S63210021 A JPS63210021 A JP S63210021A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物である５ｃＧａＺｎ３０ａで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物である５ｃＧａＺｎ３０ａで示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｗｂ”Ｆｅ”Ｏｓ）＊Ｆｅ”０（ｎは整数を示
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅ＝０． 、ＹｂｔＰｅ＋Ｏｒ、Ｙｂ＋Ｆｅｍ０
＋ｏ及びｖｂ４ＦｅｓＯ＋＊の六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、ｓ層、ＦｅＯ＋、ｓ層＋ Ｆ ｅ ｚ
Ｏｚ 、ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−１
の通りである。
＋ｏ及びｖｂ４ＦｅｓＯ＋＊の六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、ｓ層、ＦｅＯ＋、ｓ層＋ Ｆ ｅ ｚ
Ｏｚ 、ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−１
の通りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｄ） １モルに対して
、ＹｂＦｅ０．がｎモル（ｎ＝１．２．３・・・）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物で
ある。
、ＹｂＦｅ０．がｎモル（ｎ＝１．２．３・・・）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物で
ある。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅ０３） 、ＦｅＯの化学式において
、ｎ＝ｌ／３に相当し、ｖｂ”の代わりにＳｃ！＋を、
ｐｅ ２ ＋の代わりにＧａ”を、Ｐｅ”の代わりにＺ
ｎ”を置きかえて得られた新規な化合物を提供するにあ
る。
、ｎ＝ｌ／３に相当し、ｖｂ”の代わりにＳｃ！＋を、
ｐｅ ２ ＋の代わりにＧａ”を、Ｐｅ”の代わりにＺ
ｎ”を置きかえて得られた新規な化合物を提供するにあ
る。
発明の構成
本発明の５ｃＧａＺｎ、Ｏ，で示される化合物は、イオ
ン結晶モデルではＳｃ”（Ｇａ”、Ｚｎ” ）Ｚｎ、”
Ｏｂ”−として記載され、その構造はＳｃＯ＋、ｓ Ｋ
１． （Ｇａ”＋Ｚｎ”つ０□１３層およびＺｎＯ層の
積層によって形成されており、著しい構造異方性を持つ
ことがその特徴の一つである＠ Ｚｎ”イオジの１／３
はＧａＩ＋と共に（Ｇａ” 、 Ｚｎ” ）Ｏｉ、ｓ層
を作り、残りの２７３はＺｎＯ層を作っている。六方晶
系としての格子定数は次の通りである。
ン結晶モデルではＳｃ”（Ｇａ”、Ｚｎ” ）Ｚｎ、”
Ｏｂ”−として記載され、その構造はＳｃＯ＋、ｓ Ｋ
１． （Ｇａ”＋Ｚｎ”つ０□１３層およびＺｎＯ層の
積層によって形成されており、著しい構造異方性を持つ
ことがその特徴の一つである＠ Ｚｎ”イオジの１／３
はＧａＩ＋と共に（Ｇａ” 、 Ｚｎ” ）Ｏｉ、ｓ層
を作り、残りの２７３はＺｎＯ層を作っている。六方晶
系としての格子定数は次の通りである。
ａ −３，２６３±０．ＯＱ１ （人）Ｃ＝４１．５
４ ± ０．０１ （人）この化合物の面指数（
ｈＭ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄｃは計
算値を示す）およびＸ＆１に対する相対反射強度（１％
）を示すと、表−２の通りである。
４ ± ０．０１ （人）この化合物の面指数（
ｈＭ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄｃは計
算値を示す）およびＸ＆１に対する相対反射強度（１％
）を示すと、表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもしくは加
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対
３の割合で混合し、該混合物を８００℃以上の温度で、
大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが各々
３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる
。
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対
３の割合で混合し、該混合物を８００℃以上の温度で、
大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが各々
３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元されな
い還元雰囲気中で加熱することによって製造し得られる
。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μ鶴以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μ鶴以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｓｃ、 Ｇａ、及びＺｎの割合が原
子比で１対１対３の割合であることが必要である。
子比で１対１対３の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよ
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で８００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で８００℃以上のもとで
加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。
加熱の際の昇温速度には制約はない、加熱終了後急冷す
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
るか、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＳｃＧａＺｎ３Ｏ６化合物の粉末は無色であり
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、５ｃＯｔ、ｓ層
＋ （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｘ、ｓ Ｎ＋ およびＺｎＱ
Ｊｉの積み重ねによって形成されていることが分かった
。
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、５ｃＯｔ、ｓ層
＋ （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｘ、ｓ Ｎ＋ およびＺｎＱ
Ｊｉの積み重ねによって形成されていることが分かった
。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化スカンジウム（Ｓｃｚ０３
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｇ
Ｏ＋）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
をモル比で１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μ
ｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し
、１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ
４日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで
急速に冷却した。得られた試料は５ｃＧａＺｎｘＯｈ単
−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｌ）
、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を測定し
た。その結果は表−２の通りであった。
）粉末、純度９９．９９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｇ
Ｏ＋）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末
をモル比で１対１対６の割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μ
ｍの微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し
、１４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ
４日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで
急速に冷却した。得られた試料は５ｃＧａＺｎｘＯｈ単
−相であり、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｌ）
、面間隔（ｄｏ）および相対反射強度（１％）を測定し
た。その結果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ ＝３．２６３ ±ｏ、ｏｏｉ ＜人）ｃ ＝４１．
５４ ±０．０１ （人）であった。
５４ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈｋｌ）より算
出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ。
出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ。
（入））と極めてよく一致した。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供 ５ ″ −する。
新規化合物を提供 ５ ″ −する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長 パ瀬
高 信 雄
高 信 雄
Claims (2)
- （１）ＳｃＧａＺｎ＿３Ｏ＿６で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもし
くは加熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物とを、Ｓｃ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対３の割合で混合し、該混合物を８００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする ＳｃＧａＺｎ＿３Ｏ＿６で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115987A JPH0244251B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115987A JPH0244251B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210021A true JPS63210021A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0244251B2 JPH0244251B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12600640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115987A Expired - Lifetime JPH0244251B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244251B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0468366U (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-17 |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP4115987A patent/JPH0244251B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244251B2 (ja) | 1990-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |