JPS63210019A - ＳｃＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＳｃＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63210019A JPS63210019A JP4115587A JP4115587A JPS63210019A JP S63210019 A JPS63210019 A JP S63210019A JP 4115587 A JP4115587 A JP 4115587A JP 4115587 A JP4115587 A JP 4115587A JP S63210019 A JPS63210019 A JP S63210019A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒作用として有
用な新規化合物である５ｃＧａＺｎａＯｑで示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
用な新規化合物である５ｃＧａＺｎａＯｑで示される六
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”０ｓ）ａＦｅ”Ｏ（ｎは整数を表
わす）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
わす）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＰｅｇＯａ ＋Ｙｂ＊Ｐｅ５Ｏｔ＋Ｙｂ３ＦｅａＯ
＋ｏ及びＹｂＦｅＯ＋３の六方晶系としての格子定数、
ＹｂＯ＋、 ｓＮ＋ＦｅＯ＋、 ｓ層＊ ＰｅＺＯｌ−
Ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−１の通りで
ある。
＋ｏ及びＹｂＦｅＯ＋３の六方晶系としての格子定数、
ＹｂＯ＋、 ｓＮ＋ＦｅＯ＋、 ｓ層＊ ＰｅＺＯｌ−
Ｓ層の単位格子内における層数を示すと表−１の通りで
ある。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｄ） １モルに対して、
ＹｂＦｅＯ３がモル（ｎ＝１．２．３＝）の割合で化合
していると考えられる層状構造を持つ化合物である。
ＹｂＦｅＯ３がモル（ｎ＝１．２．３＝）の割合で化合
していると考えられる層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は前記（ＹｂＦｅＯｓ） 、ＦｅＯの化学式にお
いて、ｎ−１／４に相当し、ｙｂ３＋の代わりにＳｃを
、Ｆｅ”の代わりにＧａｈを、Ｆｅ”の代わりにＺｎ”
を置きかえて得られる新規な化合物を提供するにある。
いて、ｎ−１／４に相当し、ｙｂ３＋の代わりにＳｃを
、Ｆｅ”の代わりにＧａｈを、Ｆｅ”の代わりにＺｎ”
を置きかえて得られる新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明の５ｃＧａＺｎ４０ｔで示される化合物は、イオ
ン結晶モデルでは、Ｓｃ”（Ｇａ” Ｚｎ”）Ｚｎ３”
Ｏｙ”−とじて記載され、その構造は、ＳｃＯ＋、ｓ層
（Ｇ ａ ２ ＊Ｚｎ”つＯＲ，１層およびＺｎＯ層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の一つである。 Ｚｎ”イオン
数の１／４はＧａ”と共に（Ｇａ” 、 Ｚｎ”）Ｏｘ
、 ｓ層を作り、残りの３７４はＺｎＯ層作っている。
ン結晶モデルでは、Ｓｃ”（Ｇａ” Ｚｎ”）Ｚｎ３”
Ｏｙ”−とじて記載され、その構造は、ＳｃＯ＋、ｓ層
（Ｇ ａ ２ ＊Ｚｎ”つＯＲ，１層およびＺｎＯ層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の一つである。 Ｚｎ”イオン
数の１／４はＧａ”と共に（Ｇａ” 、 Ｚｎ”）Ｏｘ
、 ｓ層を作り、残りの３７４はＺｎＯ層作っている。
六方晶系としての格子定数は次の通りである。
ａ ＝３．２６２ ±０．００１ （人）Ｃ−３２，
８９±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈｋ
Ｊｔ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値＋ ａＣは
計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（１（
％））を示すと表−２の通りである。
８９±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈｋ
Ｊｔ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値＋ ａＣは
計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（１（
％））を示すと表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒材料とし
て有用なものである。
て有用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもしくは加
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ＋ Ｇａ。
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
を、Ｓｃ＋ Ｇａ。
およびＺｎの割合が原子比で１対１対４の割合で混合し
、該混合物を８００℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲
気中あるいはＳｃおよびＧａが各々３価イオン状態、
Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で
加熱することによって得られる。
、該混合物を８００℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲
気中あるいはＳｃおよびＧａが各々３価イオン状態、
Ｚｎが２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で
加熱することによって得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい、
この出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物とし
ては、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が
挙げられる。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい、
この出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物とし
ては、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が
挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｓｃ、 Ｇａ、 Ｚｎの割合が原子
比で１対１対４０割合であることが必要である。これを
はずすと目的とする化合物の単−相を得ることができな
い。
比で１対１対４０割合であることが必要である。これを
はずすと目的とする化合物の単−相を得ることができな
い。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよ
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で８００℃以上で加熱す
る。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の
際の昇温速度には制約はない。
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で８００℃以上で加熱す
る。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の
際の昇温速度には制約はない。
加熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引き出
せばよい。
せばよい。
得られた５ｃＧａＺｎ、０７化合物の粉末は無色であり
、粉末ＸｖＡ回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ＋、ｓ
層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｔ、ｓ層、およびＺｎＯ層の
積み重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末ＸｖＡ回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＳｃＯ＋、ｓ
層、 （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｔ、ｓ層、およびＺｎＯ層の
積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化スカンジウム（Ｓｃｔ０３
）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（ＧａｔＯ
＊）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比
で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて約３０分間混合し、平均粒径数μ腸の微粉状
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５０
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、５日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（ＧａｔＯ
＊）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比
で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノー
ルを加えて約３０分間混合し、平均粒径数μ腸の微粉状
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５０
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、５日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
得られた試料は５ｃＧａＺｎ４０−Ｉ単−相であり、粉
末ＸＮ１Ａ回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）およ
び相対反射強度を測・定した結果は表−２の通りであっ
た。大方晶系としての格子定数は次の通りであった。
末ＸＮ１Ａ回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）およ
び相対反射強度を測・定した結果は表−２の通りであっ
た。大方晶系としての格子定数は次の通りであった。
ａ −３，２６２±０．００１ （人）ｃ −３２，８
９±０．０１ （人）上記の格子定数および表−２の
各面指数（ｈ ｋβ）より算出した面間隔（ｄｃ（人）
）は、実測の面間隔（ｄ、（人））と極めてよく一致し
ていた。
９±０．０１ （人）上記の格子定数および表−２の
各面指数（ｈ ｋβ）より算出した面間隔（ｄｃ（人）
）は、実測の面間隔（ｄ、（人））と極めてよく一致し
ていた。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供 −゛する。
新規化合物を提供 −゛する。
Claims (2)
- （１）ＳｃＧａＺｎ＿４Ｏ＿７で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもし
くは加熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物を、Ｓｃ、Ｇａ、およびＺｎの割合が原子比で１対
１対４の割合で混合し、該混合物を８００℃以上の温度
で大気中、酸化性雰囲気中あるいはＳｃおよびＧａが各
々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元され
ない還元雰囲気中で加熱することを特徴とするＳｃＧａ
Ｚｎ＿４Ｏ＿７で示される六方晶系の層状構造を有する
化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115587A JPH0244249B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn4o7deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115587A JPH0244249B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn4o7deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210019A true JPS63210019A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0244249B2 JPH0244249B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12600530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115587A Expired - Lifetime JPH0244249B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn4o7deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244249B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP4115587A patent/JPH0244249B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244249B2 (ja) | 1990-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |