JPH0244248B2 - Scgaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho - Google Patents
Scgaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizohoInfo
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- JPH0244248B2 JPH0244248B2 JP2920387A JP2920387A JPH0244248B2 JP H0244248 B2 JPH0244248 B2 JP H0244248B2 JP 2920387 A JP2920387 A JP 2920387A JP 2920387 A JP2920387 A JP 2920387A JP H0244248 B2 JPH0244248 B2 JP H0244248B2
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒作用
として有用な新規化合物であるScGaZnMgO5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１、２、３…）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。
として有用な新規化合物であるScGaZnMgO5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１、２、３…）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/2に相当しYb3+の代わりにSc3+を、Fe3+の
代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに（Zn2+＋
Mg2+）を置きかえて得られる新規な化合物を提
供するにある。 発明の構成 本発明のScGaZnMgO5で示される化合物は、
イオン結晶モデルでは、Sc3+（Ga3+Zn2+）
Mg2+O5 2-として記載され、その構造はScO1.5層、
（Ga3+、Zn2+）O2.5層およびMgO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つてい
ることがその特徴の一つである。Zn2+はGa3+と
共に（Ga3+、Zn2+）O2.5層を作り、Mg2+はMgO
層を作つている。六方晶系としての格子定数は次
の通りである。 ａ＝3.276±0.001（Å） ｃ＝22.24±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料として有用なものである。
ｎ＝1/2に相当しYb3+の代わりにSc3+を、Fe3+の
代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに（Zn2+＋
Mg2+）を置きかえて得られる新規な化合物を提
供するにある。 発明の構成 本発明のScGaZnMgO5で示される化合物は、
イオン結晶モデルでは、Sc3+（Ga3+Zn2+）
Mg2+O5 2-として記載され、その構造はScO1.5層、
（Ga3+、Zn2+）O2.5層およびMgO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つてい
ることがその特徴の一つである。Zn2+はGa3+と
共に（Ga3+、Zn2+）O2.5層を作り、Mg2+はMgO
層を作つている。六方晶系としての格子定数は次
の通りである。 ａ＝3.276±0.001（Å） ｃ＝22.24±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料として有用なものである。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムも
しくは加熱により酸化スカンジウムに分解される
化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムも
しくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネ
シウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱に
より酸化マグネシウムに分解される化合物とを、
Sc、Ga、ZnおよびMgの割合が原子比で１対１
対１対１の割合で混合し、該混合物を600℃以上
の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはScお
よびGaが各々３価イオン状態、ZnおよびMgが
２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で
加熱することによつて得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Sc、Ga、Zn、Mgの割合
が原子比で１対１対１対１の割合であることが必
要である。これをはずすと目的とする化合物の単
一相を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
ScおよびGaが各々３価イオン状態、Znおよび
Mgが２価イオン状態から還元されない還元雰囲
気中で600℃以上で加熱する。加熱時間は数時間
もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度に
は制約はない。加熱終了後急冷するか、あるいは
大気中に急激に引き出せばよい。 得られたScGaZnMgO5化合物の粉末は無色で
あり、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有する
ことが分かつた。その結晶構造は層状構造であ
り、ScO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、およびMgO層
の積み重ねによつて形成されていることが分かつ
た。 実施例 純度99.99％以上の酸化スカンジウム（Sc2O3）
粉末、純度99.9％以上の酸化ガリウム（Ga2O3）
粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）および試薬特
級の酸化マグネシウム（MgO）粉末をモル比で
１対１対２対２の割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約30分間混合し、平均粒径
数μｍの微粉状混合物を得た。該混合物を白金管
内に封入し、1300℃に設定された管状シリコニツ
ト炉内に入れ、３日間加熱し、その後、試料を炉
外にとりだし、室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、ScGaZnMgO5単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔（dp）お
よび相対反射強度を測定した結果は表−２の通り
であつた。六方晶系としての格子定数は次の通り
であつた。 ａ＝3.276±0.001（Å） ｃ＝22.24±0.01（Å） 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムも
しくは加熱により酸化スカンジウムに分解される
化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムも
しくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネ
シウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱に
より酸化マグネシウムに分解される化合物とを、
Sc、Ga、ZnおよびMgの割合が原子比で１対１
対１対１の割合で混合し、該混合物を600℃以上
の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはScお
よびGaが各々３価イオン状態、ZnおよびMgが
２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で
加熱することによつて得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Sc、Ga、Zn、Mgの割合
が原子比で１対１対１対１の割合であることが必
要である。これをはずすと目的とする化合物の単
一相を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
ScおよびGaが各々３価イオン状態、Znおよび
Mgが２価イオン状態から還元されない還元雰囲
気中で600℃以上で加熱する。加熱時間は数時間
もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度に
は制約はない。加熱終了後急冷するか、あるいは
大気中に急激に引き出せばよい。 得られたScGaZnMgO5化合物の粉末は無色で
あり、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有する
ことが分かつた。その結晶構造は層状構造であ
り、ScO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、およびMgO層
の積み重ねによつて形成されていることが分かつ
た。 実施例 純度99.99％以上の酸化スカンジウム（Sc2O3）
粉末、純度99.9％以上の酸化ガリウム（Ga2O3）
粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）および試薬特
級の酸化マグネシウム（MgO）粉末をモル比で
１対１対２対２の割合に秤量し、めのう乳鉢内で
エタノールを加えて、約30分間混合し、平均粒径
数μｍの微粉状混合物を得た。該混合物を白金管
内に封入し、1300℃に設定された管状シリコニツ
ト炉内に入れ、３日間加熱し、その後、試料を炉
外にとりだし、室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、ScGaZnMgO5単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔（dp）お
よび相対反射強度を測定した結果は表−２の通り
であつた。六方晶系としての格子定数は次の通り
であつた。 ａ＝3.276±0.001（Å） ｃ＝22.24±0.01（Å） 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ScGaZnMgO5で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物。 ２ 金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウム
もしくは加熱により酸化スカンジウムに分解され
る化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウム
もしくは加熱により酸化ガリウムに分解される化
合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱
により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグ
ネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱
により酸化マグネシウムに分解される化合物と
を、Sc、Ga、ZnおよびMgの割合が原子比で１
対１対１対１の割合で混合し、該混合物を600℃
以上の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいは
ScおよびGaが各々３価イオン状態、Znおよび
Mgが２価イオン状態より還元されない還元雰囲
気中で加熱することを特徴とするScGaZnMgO5
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物の
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920387A JPH0244248B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | Scgaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920387A JPH0244248B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | Scgaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63195118A JPS63195118A (ja) | 1988-08-12 |
| JPH0244248B2 true JPH0244248B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12269634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2920387A Expired - Lifetime JPH0244248B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | Scgaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244248B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2920387A patent/JPH0244248B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63195118A (ja) | 1988-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |