JPH0348131B2 - - Google Patents
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- JPH0348131B2 JPH0348131B2 JP62021559A JP2155987A JPH0348131B2 JP H0348131 B2 JPH0348131 B2 JP H0348131B2 JP 62021559 A JP62021559 A JP 62021559A JP 2155987 A JP2155987 A JP 2155987A JP H0348131 B2 JPH0348131 B2 JP H0348131B2
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- decomposes
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒作用
として有用な新規化合物であるYbGaZnMgO5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１、２、３…）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。
として有用な新規化合物であるYbGaZnMgO5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモル（ｎ＝１、２、３…）の割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/2に相当しFe3+の代わりにGaをFe2+の代わ
りに（Zn2+＋Mg2+）を置きかえて得られる新規
な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のYbGaZnMgO5で示される化合物は、
イオン結晶モデルでは、Yb3+（Ga3+Zn2+）
Mg2+O5 2-として記載され、その構造はYbO1.5
層、（Ga3+Zn2+）O2.5層およびMgO層の積層によ
つて形成されており、著しい構造異方性を持つて
いることがその特徴の一つである。Zn2+はGa3+
と共に（Ga3+，Zn2+）O2.5層を作り、Mg2+は
MgO層を作つている。六方晶系としての格子定
数は次を通りである。 ａ＝3.378±0.001（Å） ｃ＝21.83±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料として有用なものである。
ｎ＝1/2に相当しFe3+の代わりにGaをFe2+の代わ
りに（Zn2+＋Mg2+）を置きかえて得られる新規
な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明のYbGaZnMgO5で示される化合物は、
イオン結晶モデルでは、Yb3+（Ga3+Zn2+）
Mg2+O5 2-として記載され、その構造はYbO1.5
層、（Ga3+Zn2+）O2.5層およびMgO層の積層によ
つて形成されており、著しい構造異方性を持つて
いることがその特徴の一つである。Zn2+はGa3+
と共に（Ga3+，Zn2+）O2.5層を作り、Mg2+は
MgO層を作つている。六方晶系としての格子定
数は次を通りである。 ａ＝3.378±0.001（Å） ｃ＝21.83±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ（％））を示すと表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料および触
媒材料として有用なものである。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビウ
ムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分解
される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリ
ウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属
マグネシムあるいは酸化マグネシウムもしくは加
熱により酸化マグネシウムに分解される化合物と
を、Yb、Ga、ZnおよびMgの割合で原子比で１
対１対１対１の割合で混合し、該混合物を600℃
以上の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびGaが各々３価イオン状態、Znおよび
Mgが２価イオン状態より還元されない還元雰囲
気中で加熱することによつて得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Yb，Ga，Zn，Mgの割合
が原子比で１対１対１対１の割合であることが必
要である。これをはずすと目的とする化合物の単
一相を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびFeが各々３価イオン状態、Znおよび
Mgが各々２価イオン状態から還元されない還元
雰囲気中で600℃以上で加熱する。加熱時間は数
時間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速
度には制約はない。加熱終了後急冷するか、ある
いは大気中に急激に引き出せばよい。 得られたYbGaZnMgO5の化合物の粉末は無色
であり、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有す
ることが分かつた。その結晶構造は層状構造であ
り、YbO1.5層（Ga，Zn）O2.5層、およびMgO層
の積み重ねによつて形成されていることが分かつ
た。 実施例 純度99.99％以上の酸化イツテルビウム
（Yb2O3）粉末、純度99.9％以上の酸化ガリウム
（Ga2O3）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）お
よび試薬特級の酸化マグネシウム（MgO）粉末
をモル比で１対１対２対２の割合に秤量し、めの
う乳鉢内でエタノールを加えて、約30分間混合
し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。該混
合物を白金管内に封入し、1300℃に設定された管
状シリコニツト炉内に入れ、３日間加熱し、その
後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却し
た。 得られた試料は、YbGaZnMgO5単一相であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔
（dp）および相対反射強度を測定し結果は表−２
の通りであつた。六方晶系としての格子定数は次
の通りであつた。 ａ＝3.378±0.001（Å） ｃ＝21.83±0.01（Å） 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å）と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビウ
ムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分解
される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリ
ウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属
マグネシムあるいは酸化マグネシウムもしくは加
熱により酸化マグネシウムに分解される化合物と
を、Yb、Ga、ZnおよびMgの割合で原子比で１
対１対１対１の割合で混合し、該混合物を600℃
以上の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびGaが各々３価イオン状態、Znおよび
Mgが２価イオン状態より還元されない還元雰囲
気中で加熱することによつて得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。 また、光機能材料、半導体材料として用いる場
合には不純物の混入をきらうので、純度の高いこ
とが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化物
を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸化
物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Yb，Ga，Zn，Mgの割合
が原子比で１対１対１対１の割合であることが必
要である。これをはずすと目的とする化合物の単
一相を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
YbおよびFeが各々３価イオン状態、Znおよび
Mgが各々２価イオン状態から還元されない還元
雰囲気中で600℃以上で加熱する。加熱時間は数
時間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速
度には制約はない。加熱終了後急冷するか、ある
いは大気中に急激に引き出せばよい。 得られたYbGaZnMgO5の化合物の粉末は無色
であり、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有す
ることが分かつた。その結晶構造は層状構造であ
り、YbO1.5層（Ga，Zn）O2.5層、およびMgO層
の積み重ねによつて形成されていることが分かつ
た。 実施例 純度99.99％以上の酸化イツテルビウム
（Yb2O3）粉末、純度99.9％以上の酸化ガリウム
（Ga2O3）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）お
よび試薬特級の酸化マグネシウム（MgO）粉末
をモル比で１対１対２対２の割合に秤量し、めの
う乳鉢内でエタノールを加えて、約30分間混合
し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。該混
合物を白金管内に封入し、1300℃に設定された管
状シリコニツト炉内に入れ、３日間加熱し、その
後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却し
た。 得られた試料は、YbGaZnMgO5単一相であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔
（dp）および相対反射強度を測定し結果は表−２
の通りであつた。六方晶系としての格子定数は次
の通りであつた。 ａ＝3.378±0.001（Å） ｃ＝21.83±0.01（Å） 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å）と極めてよく一致していた。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ YbGaZnMgO5で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物。 ２ 金属イツテルビウムあるいは酸化イツテルビ
ウムもしくは加熱により酸化イツテルビウムに分
解される化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガ
リウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分解さ
れる化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしく
は加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金
属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしく
は加熱により酸化マグネシウムに分解される化合
物とを、Yb、Ga、ZnおよびMgの割合が原子比
で１対１対１対１の割合で混合し、該混合物を
600℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲気中ある
いはYbおよびGaが各々３価イオン状態、Znおよ
びMgが２価イオン状態より還元されない還元雰
囲気中で加熱することを特徴とする
YbGaZnMgO5で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155987A JPS63190714A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | ＹｂＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155987A JPS63190714A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | ＹｂＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190714A JPS63190714A (ja) | 1988-08-08 |
| JPH0348131B2 true JPH0348131B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=12058368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155987A Granted JPS63190714A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | ＹｂＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63190714A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
| JPS6024053A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP2155987A patent/JPS63190714A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
| JPS6024053A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63190714A (ja) | 1988-08-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |