JPS63190714A - ＹｂＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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Landscapes
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
して有用な新規化合物であるＹｂＧａＺｎＭｇＯ５で示
される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製
造法に関する。
される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製
造法に関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”０ｘ）ｎＦｅ”Ｏ（ｎは整数を示
す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｚＯ４１ＹｂｔＦｅｓＯｔ、 Ｙｂ４ＦｅｓＯ
＋ｚ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ｚの六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、ｓ層、 Ｆｅｄ、、Ｓ層、 Ｆｅａｓｔ
、 ｓ層の単位格子内における層数を示する層状構造を
持つ化合物である。
＋ｚ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ｚの六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、ｓ層、 Ｆｅｄ、、Ｓ層、 Ｆｅａｓｔ
、 ｓ層の単位格子内における層数を示する層状構造を
持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅ０３） 、ｌＦｅ０の化学式におい
て、ｎ＝Ａに相当しＦｅ”の代わりにＧａをＦｅ＋＋の
代わりに（Ｚｎ” ＋Ｍｇ”）を置きかえて得られる新
規な化合物を提供するにある。
て、ｎ＝Ａに相当しＦｅ”の代わりにＧａをＦｅ＋＋の
代わりに（Ｚｎ” ＋Ｍｇ”）を置きかえて得られる新
規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＹｂＧａＺｎＭｇＯ５で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、ｙｂ：＋＋（にａ＊＋ Ｚｎ２”
）Ｍｇ！＋Ｑ、！−とじて記載され、その構造はＹｂＯ
，、Ｓ層 （に ａ ３ ＊Ｚｎ”） ０□、２層およ
びＭｇＯ層の積層によって形成されており、著しい構造
異方性を持っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ
２＋はＧａ３＋と共に（Ｇａ”。
オン結晶モデルでは、ｙｂ：＋＋（にａ＊＋ Ｚｎ２”
）Ｍｇ！＋Ｑ、！−とじて記載され、その構造はＹｂＯ
，、Ｓ層 （に ａ ３ ＊Ｚｎ”） ０□、２層およ
びＭｇＯ層の積層によって形成されており、著しい構造
異方性を持っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ
２＋はＧａ３＋と共に（Ｇａ”。
Ｚｎ”） Ｏｚ、ｓ層を作り、Ｍｇｇ＊はＭｇＯ＠を作
ッテイル。
ッテイル。
六方晶系としての格子定数は次の通りである。
ａ ＝３．３７８ ±０．００１ （人）Ｃ＝２１．
８３ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈ
ｋｇ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄｃは計
算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（１（％
））を示すと表−２の通りである。
８３ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈ
ｋｇ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄｃは計
算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度（１（％
））を示すと表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料および触媒材料と
して有用なものである。
して有用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウムもしく
は加熱により酸化インテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物と、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムも
しくは加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物
とを、Ｙｂ、 Ｇａ、 ＺｎおよびＭｇの割合が原子比
で１対１対ｌ対ｌの割合で混合し、該混合物を６００℃
以上の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはｙｂおよ
びＧａが各々３価イオン状ｂ＋ ＺｎおよびＭｇが２価
イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱するこ
とによって得られる。
は加熱により酸化インテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物と、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムも
しくは加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物
とを、Ｙｂ、 Ｇａ、 ＺｎおよびＭｇの割合が原子比
で１対１対ｌ対ｌの割合で混合し、該混合物を６００℃
以上の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはｙｂおよ
びＧａが各々３価イオン状ｂ＋ ＺｎおよびＭｇが２価
イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱するこ
とによって得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μ−以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μ−以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｙｂ＋ Ｇａ、 Ｚｎ、 Ｍｇの割
合が原子比で１対１対１対１の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単−相を得る
ことができない。
合が原子比で１対１対１対１の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単−相を得る
ことができない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよ
びＦｅが各々３価イオン状ｋｌ Ｚ’およびｌ’１ｇが
各々２価イオン状態から還元されない還元雰囲気中で６
００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ
以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱
終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引き出せば
よい。
びＦｅが各々３価イオン状ｋｌ Ｚ’およびｌ’１ｇが
各々２価イオン状態から還元されない還元雰囲気中で６
００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ
以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱
終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引き出せば
よい。
得られたＹｂＧａＺｎＭｇ０Ｓ化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＹｂＯ＋、ｓ
層、（Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＭｇＯｊｉｇ
ｊの積み重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＹｂＯ＋、ｓ
層、（Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＭｇＯｊｉｇ
ｊの積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化イッテルビウム（ＹｂｚＯ
ｚ）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚ
ｅｓ）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）および試薬
特級の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末をモル比で１対
１対２対２の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノール
を加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉状
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１３００
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、３日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
ｚ）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚ
ｅｓ）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）および試薬
特級の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）粉末をモル比で１対
１対２対２の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノール
を加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉状
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１３００
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、３日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
得られた試料は、ＹｂＧａＺｎＭｇＯ５単−相であり、
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）および
相対反射強度を測定した結果は衷−２の通りであった。
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）および
相対反射強度を測定した結果は衷−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は次の通りであった。
ａ ＝３．３７８ ±０．００１ （人）Ｃ＝２１
．８３ ±０．０１ （人）上記の格子定数および
表−２の各面指数（ｈ ｋ Ｊ）より算出した面間隔（
ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄｏ（人））と極めて
よく一致していた。
．８３ ±０．０１ （人）上記の格子定数および
表−２の各面指数（ｈ ｋ Ｊ）より算出した面間隔（
ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄｏ（人））と極めて
よく一致していた。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長潮 高
信 雄 手続補正書 昭和４２年 ７月ｌり日 １ 事件の表示 昭和６２年特許願第０２１５５９号 ２ 発明の名称 ＴｈＧａＺｎＭｇＯ５で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発補正 ５ 補正の対象 ：１）明細書第１１頁６行から７行「て有用な・・・・
効果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供する。
信 雄 手続補正書 昭和４２年 ７月ｌり日 １ 事件の表示 昭和６２年特許願第０２１５５９号 ２ 発明の名称 ＴｈＧａＺｎＭｇＯ５で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁目１番地自発補正 ５ 補正の対象 ：１）明細書第１１頁６行から７行「て有用な・・・・
効果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供する。
」と訂正する。
Claims (2)
- （１）ＹｂＧａＺｎＭｇＯ＿５で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウム
もしくは加熱により酸化イッテルビウムに分解される化
合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加
熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛
あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解さ
れる化合物と、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシ
ウムもしくは加熱により酸化マグネシウムに分解される
化合物とを、Ｙｂ、Ｇａ、ＺｎおよびＭｇの割合が原子
比で１対１対１対１の割合で混合し、該混合物を６００
℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂお
よびＧａが各々３価イオン状態、ＺｎおよびＭｇが２価
イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱するこ
とを特徴とするＹｂＧａＺｎＭｇＯ＿５で示される六方
晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155987A JPS63190714A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | ＹｂＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155987A JPS63190714A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | ＹｂＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190714A true JPS63190714A (ja) | 1988-08-08 |
| JPH0348131B2 JPH0348131B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=12058368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155987A Granted JPS63190714A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | ＹｂＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63190714A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
| JPS6024053A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP2155987A patent/JPS63190714A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
| JPS6024053A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348131B2 (ja) | 1991-07-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |