JPS63176306A - ＴｍＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＴｍＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63176306A JPS63176306A JP547087A JP547087A JPS63176306A JP S63176306 A JPS63176306 A JP S63176306A JP 547087 A JP547087 A JP 547087A JP 547087 A JP547087 A JP 547087A JP S63176306 A JPS63176306 A JP S63176306A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材料として
有用な新規化合物であるＴｍＧａＺｎ２０５で示される
大方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
有用な新規化合物であるＴｍＧａＺｎ２０５で示される
大方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”０．）、ｌＦｅ”Ｏ（ｎは整数を
示す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
示す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｚＯａ 、ＹｂｚＦｅｉＯｔ、Ｙｂ４ｅｓＯ＋
ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ ３の六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、ｓ層、Ｆｅｄ、、。
ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋ ３の六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ＋、ｓ層、Ｆｅｄ、、。
層、 Ｆｅ、Ｏ□、２層の単位格子内における層数を示
すＹｂＦｅ０１がｎモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
すＹｂＦｅ０１がｎモルの割合で化合していると考えら
れる層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯｓ） ｆｉＦｅＯの化学式におい
て、ｎ＝２に相当し、Ｙｂ”の代わりにＴｌ１１３＋を
、Ｆｅ”の代わりにＧａ”を、Ｆｅ”の代わりにＺｎ”
を置きかえて得られた新規な化合物を提供するにある。
て、ｎ＝２に相当し、Ｙｂ”の代わりにＴｌ１１３＋を
、Ｆｅ”の代わりにＧａ”を、Ｆｅ”の代わりにＺｎ”
を置きかえて得られた新規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＴｍＧａＺｎ２Ｏ５で示される化合物は、イオ
ン結晶モデルではＴ、、２＋（Ｇａ３２ｚｎ２４ ）Ｚ
ｎ２＋０，２−として記載され、その構造はＴｍＯ＋、
ｓ層、 （Ｇａ”、Ｚｎ”）０□、６層およびＺｎＯ層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
つことがその特徴の一つである。Ｚｎ”＋イオンの半数
はＧａ”と共に（Ｇａ’″″。
ン結晶モデルではＴ、、２＋（Ｇａ３２ｚｎ２４ ）Ｚ
ｎ２＋０，２−として記載され、その構造はＴｍＯ＋、
ｓ層、 （Ｇａ”、Ｚｎ”）０□、６層およびＺｎＯ層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
つことがその特徴の一つである。Ｚｎ”＋イオンの半数
はＧａ”と共に（Ｇａ’″″。
Ｚｎ”）０□、３層を作り、残りの半数はＺｎＯ層を作
っている。六方晶系としての格子定数は次の通りである
。
っている。六方晶系としての格子定数は次の通りである
。
ａ ＝３．３９２ ± ０．００１ （人）Ｃ＝２
１．９３ ± ０．０１ （人）この化合物の面
指数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、
ｄｏは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度
（１％）を示すと、表−２の通りである。
１．９３ ± ０．０１ （人）この化合物の面
指数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、
ｄｏは計算値を示す）およびＸ線に対する相対反射強度
（１％）を示すと、表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材料等に有
用なものである。
用なものである。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱により
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウムある
いは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｔｍ、
ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対２の割合で混
合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中、酸化
性雰囲気中あるいはＴｍおよびＧａが各々３価状態、Ｚ
ｎが２価状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウムある
いは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｔｍ、
ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対２の割合で混
合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中、酸化
性雰囲気中あるいはＴｍおよびＧａが各々３価状態、Ｚ
ｎが２価状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍには不純物の混入を
きらうので、純度の高いことが好ましい。出発物質が加
熱により金属酸化物を得る化合物としては、それぞれの
金属の水酸化物。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍには不純物の混入を
きらうので、純度の高いことが好ましい。出発物質が加
熱により金属酸化物を得る化合物としては、それぞれの
金属の水酸化物。
炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｔｍ、 Ｇａ、及びＺｎの割合が原
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
子比で１対１対２の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＴｍおよ
びＧａが各々３価状態、 Ｚｎが２価状態から還元され
ない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで加熱する。加
熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇
温速度には制約はない。加熱終了後急冷するか、あるい
は大気中に急激に引き出せばよい。
びＧａが各々３価状態、 Ｚｎが２価状態から還元され
ない還元雰囲気中で６００℃以上のもとで加熱する。加
熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇
温速度には制約はない。加熱終了後急冷するか、あるい
は大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＴｍＧａＺｎ２０５化合物の粉末は無色であり
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、ＴｍＯ，，５層
、 （Ｇａ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の積
み重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、ＴｍＯ，，５層
、 （Ｇａ＋ Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層、およびＺｎＯ層の積
み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化ツリウム（ＴｍｚＯ：＋）
粉末。
粉末。
純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｚｅｓ）粉末
、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比で
１対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノール
を加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉末
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１３００
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ３日間加熱
し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却
した。得られた試料はＴｍＧａＺｎｔＯｓ単−相であり
、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｊり、面間隔（
ｄｏ）および相対反射強度（１％）を測定した。その結
果は表−２の通りであった。
、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比で
１対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノール
を加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉末
混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１３００
℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ３日間加熱
し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷却
した。得られた試料はＴｍＧａＺｎｔＯｓ単−相であり
、粉末Ｘ線回折法によって面指数（ｈｋｊり、面間隔（
ｄｏ）および相対反射強度（１％）を測定した。その結
果は表−２の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ ＝３．３９２ ±０．００１ （人）Ｃ＝２１．９
３ ±０．０１ （人）であった。
３ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ ７りよ
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
り算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
（人））と極めてよく一致した。
手続補正書
昭和６２年９月７７日
１ 事件の表示
昭和６２年特許願第００５４７０号
２ 発明の名称
ＴｍＧ認ｎ２０５で示される六方晶系の層状構造を有す
る化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 自発補正 （１）明細書第１０頁１行「特許出願人・・・・研究所
長」の上に次の文を加入する。
る化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 自発補正 （１）明細書第１０頁１行「特許出願人・・・・研究所
長」の上に次の文を加入する。
［発明の効果
Claims (2)
- （１）ＴｍＧａＺｎ＿２Ｏ＿５で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱
により酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｔ
ｍ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対１対２の割合
で混合し、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中、
酸化性雰囲気中あるいはＴｍおよびＧａが各々３価状態
、Ｚｎが２価状態より還元されない還元雰囲気中で加熱
することを特徴とするＴｍＧａＺｎ＿２Ｏ＿５、で示さ
れる六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP547087A JPS63176306A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ＴｍＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP547087A JPS63176306A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ＴｍＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63176306A true JPS63176306A (ja) | 1988-07-20 |
| JPH0359005B2 JPH0359005B2 (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=11612128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP547087A Granted JPS63176306A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ＴｍＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63176306A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606888A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Fukunari Imada | 超音波距離計 |
| JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP547087A patent/JPS63176306A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606888A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Fukunari Imada | 超音波距離計 |
| JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0359005B2 (ja) | 1991-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |