JPS63195119A - ＴｍＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＴｍＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63195119A JPS63195119A JP2920487A JP2920487A JPS63195119A JP S63195119 A JPS63195119 A JP S63195119A JP 2920487 A JP2920487 A JP 2920487A JP 2920487 A JP2920487 A JP 2920487A JP S63195119 A JPS63195119 A JP S63195119A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料等として有用な新規化
合物であるＴｍＧａＺｎＭｇＯ５で示される六方晶系の
層状構造を有する化合物及びその製造法に関する。
合物であるＴｍＧａＺｎＭｇＯ５で示される六方晶系の
層状構造を有する化合物及びその製造法に関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｐｅ”０＊） 、Ｆｅ”０（ｎは整数を
表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は、本出願人によって合成され知られている。
表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は、本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｔＯａ ＋ＹｂＪｅ３０．＋ＹｔｌｓＦｅ４０
１゜及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋３の六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ，、、層、Ｆｅｄ、、。
１゜及びＹｂ４ＦｅｓＯ＋３の六方晶系としての格子定
数、ＹｂＯ，、、層、Ｆｅｄ、、。
層、 Ｆｅ、０□、３層の単位格子内における層数を示
すと表−１の通りである。
すと表−１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｄ） １モルに対してＹ
ｂＦｅＯ３がｎ （ｎ＝Ｌ、２．３． ・・・）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物
である。
ｂＦｅＯ３がｎ （ｎ＝Ｌ、２．３． ・・・）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物
である。
発明の目的
本発明は前記（ＹｂＦｅＯ３）−ＦｅＯの化学式におい
てｎ＝％に相当し、ｙｂ’＋の代わりにＴＩＩ＋３＋を
、Ｆｅ”の代わりにＧａ”を、Ｆｅ”°の代わりに（Ｚ
ｎ２＋ ＋ Ｍｇ！＋）を置きかえられた新規化合物を
提供するにある。
てｎ＝％に相当し、ｙｂ’＋の代わりにＴＩＩ＋３＋を
、Ｆｅ”の代わりにＧａ”を、Ｆｅ”°の代わりに（Ｚ
ｎ２＋ ＋ Ｍｇ！＋）を置きかえられた新規化合物を
提供するにある。
発明の構成
本発明の化合物はＴｍＧａＺｎＭｇＯ５で示され、イオ
ン結晶モデルではＴｍ”（Ｇａ’ＺＺｎ”″） Ｍｇ”
Ｏｓ”−として記述され、その構造は、Ｔｏ＋０ 、
、 ｓ層＋（Ｇａ＋Ｚｎ）Ｏｘ、 ５Ｊ１１およびｌ’
１ｇＯ層の積層によって形成されており、著しい構造異
方性を持っていることが特徴の一つである。
ン結晶モデルではＴｍ”（Ｇａ’ＺＺｎ”″） Ｍｇ”
Ｏｓ”−として記述され、その構造は、Ｔｏ＋０ 、
、 ｓ層＋（Ｇａ＋Ｚｎ）Ｏｘ、 ５Ｊ１１およびｌ’
１ｇＯ層の積層によって形成されており、著しい構造異
方性を持っていることが特徴の一つである。
Ｚｎ”はＧａ”と共に（Ｇａ ＋ Ｚｎ ）Ｏｘ−ｓ層
を作り、ＭｇトはＭｇＯ層を作っている。六方晶系とし
ての格子定数は以下の通りである。
を作り、ＭｇトはＭｇＯ層を作っている。六方晶系とし
ての格子定数は以下の通りである。
ａ ＝３．３９１ ± ０．００１ （人）Ｃ＝２
１．８２ ± ０．０１ （人）この化合物の面
指数（ｈｋＪ）、面間隔（ｄ、（人））（ｄｏは実測値
＋ ｄｃは計算値を示す〕及びＸ線に対する相対反射強
度（１％）を表−２に示す。
１．８２ ± ０．０１ （人）この化合物の面
指数（ｈｋＪ）、面間隔（ｄ、（人））（ｄｏは実測値
＋ ｄｃは計算値を示す〕及びＸ線に対する相対反射強
度（１％）を表−２に示す。
この化合物は光機能材料、手厚体材料及び触媒材料とし
て有用なものである。
て有用なものである。
蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱により
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウムある
いは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネ
シウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸
化マグネシウムに分解される化合物とを、ツリウム、ガ
リウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比で１対１
対１対１になるように混合して、該混合物を６００℃以
上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはツリウム
及びガリウムが各々３価イオン状態、亜鉛及びマグネシ
ウムが各々２価イオン状態より還元されない程度の還元
雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウムある
いは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウムに分
解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは
加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネ
シウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸
化マグネシウムに分解される化合物とを、ツリウム、ガ
リウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比で１対１
対１対１になるように混合して、該混合物を６００℃以
上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはツリウム
及びガリウムが各々３価イオン状態、亜鉛及びマグネシ
ウムが各々２価イオン状態より還元されない程度の還元
雰囲気中で加熱することによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま使用して
もよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒径
が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好ま
しい。また、光機能材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高い物が好まし
い。この原料をそのままあるいはアルコール類もしくは
アセトンと共に充分混合する。
もよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒径
が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好ま
しい。また、光機能材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高い物が好まし
い。この原料をそのままあるいはアルコール類もしくは
アセトンと共に充分混合する。
これらの混合割合は、Ｔｍ、 Ｇａ、 Ｚｎ及びＭｇの
割合が原子比で１対１対１対ｌの割合である。この割合
がはずれると目的とする化合物の単−相が得られない。
割合が原子比で１対１対１対ｌの割合である。この割合
がはずれると目的とする化合物の単−相が得られない。
この混合物を大気中あるいは酸化性雰囲気中もしくはＴ
ｍ及びＧａが各々３価イオン状ｇ、 Ｚｎ及びＭｇが各
々２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
中で６００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない
。加熱終了後０℃に急冷するかあるいは大気中に急激に
引き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末
Ｘ線回折法によると結晶構造を有することがわかった。
ｍ及びＧａが各々３価イオン状ｇ、 Ｚｎ及びＭｇが各
々２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
中で６００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない
。加熱終了後０℃に急冷するかあるいは大気中に急激に
引き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末
Ｘ線回折法によると結晶構造を有することがわかった。
その結晶構造は層状構造であり、ＴｍＯ，ＳＮｌ （Ｇ
ａ＋Ｚｎ）Ｏｚ、 ｓ層、及びＭｇＯ層の積み重ねによ
って形成されている。
ａ＋Ｚｎ）Ｏｚ、 ｓ層、及びＭｇＯ層の積み重ねによ
って形成されている。
実施例
純度９９．９９％以上の７ｍｇ０３粉末、純度９９．９
９％以上のＧａｔＯｚ粉末、試薬特級のＺｎＯ及び試薬
特級のＭｇＯ粉末をモル比で１対１対２対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間混
合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。
９％以上のＧａｔＯｚ粉末、試薬特級のＺｎＯ及び試薬
特級のＭｇＯ粉末をモル比で１対１対２対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間混
合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。
この混合物を白金管内に封入し、１３００℃に設定され
た炉内に入れ、３日間加熱し、その後試料を炉外に取り
出し、室温まで急速に冷却した。
た炉内に入れ、３日間加熱し、その後試料を炉外に取り
出し、室温まで急速に冷却した。
得られた試料はＴｍＧａＺｎＭｇＯ５の単−相であり、
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔ｄ０及び相対反
射強度を測定した。その結果は前記表−２の通りであっ
た。
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔ｄ０及び相対反
射強度を測定した。その結果は前記表−２の通りであっ
た。
六方晶系としての格子定数は
ａ −３，３９１±０．００１ （人）Ｃ−２１，８２
±０．０１ （人） であった。
±０．０１ （人） であった。
上記の格子定数および表−２の各反射（ｈ ｋ ｊ２）
より算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（
ｄ。
より算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（
ｄ。
（人））と極めてよく一致している。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長瀬 高
信 雄 手・続 補 正 会 工 事件の表示 □ 昭和６２年特許願第０２９２０４号 ２ 発明の名称 ＴｍＧａＺｎＭｇ０５で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物およびその＠造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁口１番地氏名 科学技
術庁無機材質研究所長 量 ：瀬高信雄 ・ １ ・ ； ４ 補正命令の日付
・、；−，，１１１，゛−０ 自発補正 （１） 明細書第１０頁２行から３行「、て有用な・
・・・効果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供
する。」と訂正する。
信 雄 手・続 補 正 会 工 事件の表示 □ 昭和６２年特許願第０２９２０４号 ２ 発明の名称 ＴｍＧａＺｎＭｇ０５で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物およびその＠造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 茨城県新治郡桜村並木１丁口１番地氏名 科学技
術庁無機材質研究所長 量 ：瀬高信雄 ・ １ ・ ； ４ 補正命令の日付
・、；−，，１１１，゛−０ 自発補正 （１） 明細書第１０頁２行から３行「、て有用な・
・・・効果を有する。」を「て有用な新規化合物を提供
する。」と訂正する。
Claims (2)
- （１）ＴｍＧａＺｎＭｇＯ＿５で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加熱
により酸化ツリウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属
マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱に
より酸化マグネシウムに分解される化合物とを、ツリウ
ム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比で
１対１対１対１になるように混合して、該混合物を６０
０℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはツ
リウム及びガリウムが各々３価イオン状態、亜鉛及びマ
グネシウムが各々２価、イオン状態より還元されない程
度の還 元雰囲気中で加熱することを特徴とする ＴｍＧａＺｎＭｇＯ＿５で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920487A JPS63195119A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＴｍＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2920487A JPS63195119A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＴｍＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63195119A true JPS63195119A (ja) | 1988-08-12 |
| JPH0348132B2 JPH0348132B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=12269664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2920487A Granted JPS63195119A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | ＴｍＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63195119A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
| JPS606888A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Fukunari Imada | 超音波距離計 |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2920487A patent/JPS63195119A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
| JPS606888A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Fukunari Imada | 超音波距離計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348132B2 (ja) | 1991-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |