JPS63185814A - ＬｕＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＬｕＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63185814A JPS63185814A JP1891787A JP1891787A JPS63185814A JP S63185814 A JPS63185814 A JP S63185814A JP 1891787 A JP1891787 A JP 1891787A JP 1891787 A JP1891787 A JP 1891787A JP S63185814 A JPS63185814 A JP S63185814A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料等として存用な新規化
合物であるＬｕＧａＺｎＭｇ０５で示される六方晶系の
層状構造を有する化合物及びその製造法に関する。
合物であるＬｕＧａＺｎＭｇ０５で示される六方晶系の
層状構造を有する化合物及びその製造法に関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ′３°Ｏｓ）＋＋Ｆｅ”Ｏ（ｎは整
数を表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化
合物は、本出願人によって合成され知られている。
数を表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化
合物は、本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｔ０４＋ＹｂｚＦｅ３０ｔ、ＹｂｔＦｅ４０＋
ｏ及びＹｂａＦｅｓＯ＋。
ｏ及びＹｂａＦｅｓＯ＋。
の六方晶系としての格子定数、ｙｂｏ、、、層、ＦｅＯ
＋、ｓ層＋ Ｆ ｅ ｚ Ｏｔ 、ｓ層の単位格子内に
おける層数を示すと表−１の通りである。
＋、ｓ層＋ Ｆ ｅ ｚ Ｏｔ 、ｓ層の単位格子内に
おける層数を示すと表−１の通りである。
がｎ （ｎ＝１．２，３．・・・）モルの割合で化合し
ていると考えられる層状構造を持つ化合物である。
ていると考えられる層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は前記（ＹｂＦｅＯａ） 、ＦｅＯの化学式にお
いてｎ”％に相当し、Ｙｂ’°の代わりにＬｕ”を、Ｆ
ｅ”、の代わりにＧａ’＋を、Ｆｅｆｆ１＋の代わりに
（Ｚｎ” ＋Ｍｇ”）を置きかえられた新規化合物を提
供するにある。
いてｎ”％に相当し、Ｙｂ’°の代わりにＬｕ”を、Ｆ
ｅ”、の代わりにＧａ’＋を、Ｆｅｆｆ１＋の代わりに
（Ｚｎ” ＋Ｍｇ”）を置きかえられた新規化合物を提
供するにある。
発明の構成
本発明の化合物はＬｕＧａＺｎＭｇＯｓで示され、イオ
ン結晶モデルではＬｕ”（Ｇａ３°、Ｚｎ” ） Ｍｇ
”０３”−とじて記述され、その構造は、ＬｕＯ＋、ｓ
層、（Ｇａ。
ン結晶モデルではＬｕ”（Ｇａ３°、Ｚｎ” ） Ｍｇ
”０３”−とじて記述され、その構造は、ＬｕＯ＋、ｓ
層、（Ｇａ。
Ｚｎ）Ｏｇ、５層およびＭｇＯ層の積層によって形成さ
れており、著しい構造異方性を持っていることが特徴の
一つである。
れており、著しい構造異方性を持っていることが特徴の
一つである。
Ｚｎ２′″はＧａ”と共に（Ｇａ 、 Ｚｎ ）Ｏｚ、
ｓ層を作り、Ｍｇ４＋はＭｇＯ層を作っている。六方晶
系としての格子定数は以下の通りである。
ｓ層を作り、Ｍｇ４＋はＭｇＯ層を作っている。六方晶
系としての格子定数は以下の通りである。
ａ干３．３６７ ± ０．００１ （人）Ｃ＝２１
．９１ ± ０．０１ （人）この化合物の面指
数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値＋ｄ
Ｃは計算値を示す〕及びＸ線に対する相対反射強度（１
％）を表−２に示す。
．９１ ± ０．０１ （人）この化合物の面指
数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値＋ｄ
Ｃは計算値を示す〕及びＸ線に対する相対反射強度（１
％）を表−２に示す。
この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒材料とし
て有用なものである。
て有用なものである。
蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは加熱に
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属
マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱に
より酸化マグネシウムに分解される化合物とを、ルテチ
ウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比
で１対１対１対１になるように混合して、該混合物を６
００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいは
ルテチウム及びガリウムが各々３価イオン状態、亜鉛及
びマグネシウムが各々２価イオン状態より還元されない
程度の還元雰囲気中で加熱することによって製造し得ら
れる。
より酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属ガリウ
ムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化ガリウ
ムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛も
しくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属
マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱に
より酸化マグネシウムに分解される化合物とを、ルテチ
ウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比
で１対１対１対１になるように混合して、該混合物を６
００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あるいは
ルテチウム及びガリウムが各々３価イオン状態、亜鉛及
びマグネシウムが各々２価イオン状態より還元されない
程度の還元雰囲気中で加熱することによって製造し得ら
れる。
本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま使用して
もよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒径
が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好ま
しい。また、光機能材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高い物が好まし
い、この原料をそのままあるいはアルコール類もしくは
アセトンと共に充分混合する。
もよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒径
が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好ま
しい。また、光機能材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高い物が好まし
い、この原料をそのままあるいはアルコール類もしくは
アセトンと共に充分混合する。
これらの混合割合は、Ｌｕ、 Ｇａ、 Ｚｎ及びＭｇの
割合が原子比で１対１対１対１の割合である。この割合
がはずれると目的とする化合物の単−相が得られない。
割合が原子比で１対１対１対１の割合である。この割合
がはずれると目的とする化合物の単−相が得られない。
この混合物を大気中あるいは酸化性雰囲気中もしくはＬ
ｕ及びＧａが各々３価イオン状＆、 Ｉｎ及びＭｇが各
々２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
中で６００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない
。加熱終了後Ｏ℃に急冷するかあるいは大気中に急激に
引き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末
Ｘ線回折法によると結晶構造を有することがわかった。
ｕ及びＧａが各々３価イオン状＆、 Ｉｎ及びＭｇが各
々２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
中で６００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしく
はそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない
。加熱終了後Ｏ℃に急冷するかあるいは大気中に急激に
引き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末
Ｘ線回折法によると結晶構造を有することがわかった。
その結晶構造は層状構造であり、Ｌｕ０１．ｓ層、（Ｇ
ａ。
ａ。
Ｚｎ）Ｏｔ、ｓ ＊、及びＭｇＯ層の積み重ねによって
形成されている。
形成されている。
実施例
純度９９．９９％以上のＬｕ、Ｏ，粉末、純度９９．９
９％以上のＧａｚ０２粉末、試薬特級のＺｎＱ及び試薬
特級のＭｇＯ粉末をモル比で１対１対２対２０割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分開扉
合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。
９％以上のＧａｚ０２粉末、試薬特級のＺｎＱ及び試薬
特級のＭｇＯ粉末をモル比で１対１対２対２０割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分開扉
合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。
この混合物を白金管内に封入し、１３００℃に設定され
た炉内に入れ、３日間加熱し、その後試料を炉外に取り
出し、室温まで急速に冷却した。
た炉内に入れ、３日間加熱し、その後試料を炉外に取り
出し、室温まで急速に冷却した。
得られた試料はＬｕＧａＺｎＭｇＯ，の単−相であり、
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔ｄ０及び相対反
射強度を測定した。その結果は前記表−２の通りであっ
た。
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔ｄ０及び相対反
射強度を測定した。その結果は前記表−２の通りであっ
た。
六方晶系としての格子定数は
ａ −３，３６７±０．００１ （人）Ｃ＝２１．９１
±０．０１ （人）であった。
±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の各反射（ｈ ｋ Ｉｌ）
より算出した面間隔（ｄ、（人））は、実測の面間隔（
ｄ。
より算出した面間隔（ｄ、（人））は、実測の面間隔（
ｄ。
（人））と極めてよく一敗している。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
新規化合物を提供した優れた効果を有する。
特許出願人 科学技術庁無機材質研究所長瀬 高
信 −。
信 −。
手続補正書
１ 事件の表示
昭和６２年特許願第０１８９１７号
２ 発明の名称
ＬｕＧａＺｎ１４ｇＯ３で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５ 補正の対象 別紙 （１）明細盲第１０頁１行から３行「本発明は・・・・
効果を有する。」を「本発明は光機能材料、半導体材料
及び触媒として有用な新規化合物を伽供する。」と訂正
する。
を有する化合物およびその製造法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５ 補正の対象 別紙 （１）明細盲第１０頁１行から３行「本発明は・・・・
効果を有する。」を「本発明は光機能材料、半導体材料
及び触媒として有用な新規化合物を伽供する。」と訂正
する。
Claims (2)
- （１）ＬｕＧａＺｎＭｇＯｓで示される六方晶系の層状
構造を有する化合物。 - （２）金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしくは
加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは
加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物とを、
ルテチウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が
原子比で１対１対１対１になるように混合して、該混合
物を６００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あ
るいはルテチウム及びガリウムが各々３価イオン状態、
亜鉛及びマグネシウムが各々２価イオン状態より還元さ
れない程度の還元雰囲気中で加熱することを特徴とする
ＬｕＧａＺｎＭｇＯｓで示される六方晶系の層状構造を
有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891787A JPS63185814A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | ＬｕＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891787A JPS63185814A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | ＬｕＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185814A true JPS63185814A (ja) | 1988-08-01 |
| JPH0348130B2 JPH0348130B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=11984962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1891787A Granted JPS63185814A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | ＬｕＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63185814A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606890A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 高温金属検出器 |
| JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP1891787A patent/JPS63185814A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606890A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 高温金属検出器 |
| JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348130B2 (ja) | 1991-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |