JPH0244241B2 - Inalmg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho - Google Patents
Inalmg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizohoInfo
- Publication number
- JPH0244241B2 JPH0244241B2 JP1891887A JP1891887A JPH0244241B2 JP H0244241 B2 JPH0244241 B2 JP H0244241B2 JP 1891887 A JP1891887 A JP 1891887A JP 1891887 A JP1891887 A JP 1891887A JP H0244241 B2 JPH0244241 B2 JP H0244241B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- oxide
- magnesium
- heated
- indium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 14
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 10
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料等として有用
な新規化合物であるInAlMg2O5で示される六方
晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法に
関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され、知られてい
る。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
な新規化合物であるInAlMg2O5で示される六方
晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法に
関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され、知られてい
る。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
【表】
【表】
これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
てYbFeO3がｎ（ｎ＝１、２、３、…）モルの割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。 発明の目的 本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにIn3+を、Fe3+
の代わりにAl3+を、Fe2+の代わりにMg2+を置き
かえた新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明の化合物はInAlMg2O5で示される化合
物は、イオン結晶モデルではIn3+（Al3+Mg2+）
Mg2+O5 2-として記述され、その構造は、InO1.5
層、（Al、Mg）O2.5層及びMgO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Mg2+イオンの半数は
Al3+と共に（Al、Mg）O2.5層を作り、残りの半
数はMgO層を作つている。六方晶系としての格
子定数は以下の通りである。 ａ＝3.287±0.001（Å） ｃ＝21.81±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を表−２に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料として有用なものである。
てYbFeO3がｎ（ｎ＝１、２、３、…）モルの割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。 発明の目的 本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにIn3+を、Fe3+
の代わりにAl3+を、Fe2+の代わりにMg2+を置き
かえた新規な化合物を提供するにある。 発明の構成 本発明の化合物はInAlMg2O5で示される化合
物は、イオン結晶モデルではIn3+（Al3+Mg2+）
Mg2+O5 2-として記述され、その構造は、InO1.5
層、（Al、Mg）O2.5層及びMgO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Mg2+イオンの半数は
Al3+と共に（Al、Mg）O2.5層を作り、残りの半
数はMgO層を作つている。六方晶系としての格
子定数は以下の通りである。 ａ＝3.287±0.001（Å） ｃ＝21.81±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を表−２に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料として有用なものである。
【表】
【表】
【表】
この化合物は以下の方法によつて製造し得られ
る。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属アルミニウムあるいは酸化アルミニウム
もしくは加熱により酸化アルミニウムに分解され
る化合物と、金属マグネシウムあるいは酸化マグ
ネシウムもしくは加熱により酸化マグネシウムに
分解される化合物とを、インジウム、アルミニウ
ム及びマグネシウムの割合が原子比で１対１対２
になるように混合して、該混合物を600℃以上の
もとで、大気中、酸化性雰囲気中あるいはインジ
ウム及びアルミニウムが各々３価イオン状態、マ
グネシウムが２価イオン状態より還元されない程
度の還元雰囲気中で加熱することにより製造し得
られる。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ以
下であることが好ましい。また光機能材料、半導
体材料として用いる場合には不純物の混入をきら
うので、純度の高い物が好ましい。この原料をそ
のままあるいはアルコール類もしくはアセトンと
共に充分混合する。 これらの混合割合は、In、Al、及びMgの割合
が原子比で１対１対２の割合である。この割合が
はずれると目的とする化合物の単一相が得られな
い。この混合物を大気中あるいは酸化性雰囲気中
もしくはIn及びAlが各々３価イオン状態、Mgが
２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰
囲気中で600℃以上で加熱する。加熱時間は数時
間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度
に制約はない。加熱終了後０℃に急冷するかある
いは大気中に急激に引き出せばよい。得られた化
合物の粉末は無色で、粉末Ｘ線回折法によると結
晶構造を有することがわかつた。その結晶構造は
層状構造であり、InO1.5層、（Al、Mg）O2.5層、
及びMgO層の積み重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上のインジウム（In2O3）粉末、
純度99.9％以上の酸化アルミニウム（Al2O3）粉
末、および試薬特級の酸化マグネシウム（MgO）
粉末をモル比で１対１対４の割合に秤量し、めの
う乳鉢内でエタノールを加えて、約30分間混合
し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。該混
合物を白金管内に封入し、1300℃に設定された管
状シリコニツト炉内に入れ３日間加熱し、その
後、試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却
した。得られた試料はInAlMg2O5の単一相であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて、各反射の面間隔
（dp）及び相対反射強度を測定した結果は表−２
の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.287±0.001（Å） ｃ＝21.81±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属アルミニウムあるいは酸化アルミニウム
もしくは加熱により酸化アルミニウムに分解され
る化合物と、金属マグネシウムあるいは酸化マグ
ネシウムもしくは加熱により酸化マグネシウムに
分解される化合物とを、インジウム、アルミニウ
ム及びマグネシウムの割合が原子比で１対１対２
になるように混合して、該混合物を600℃以上の
もとで、大気中、酸化性雰囲気中あるいはインジ
ウム及びアルミニウムが各々３価イオン状態、マ
グネシウムが２価イオン状態より還元されない程
度の還元雰囲気中で加熱することにより製造し得
られる。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ以
下であることが好ましい。また光機能材料、半導
体材料として用いる場合には不純物の混入をきら
うので、純度の高い物が好ましい。この原料をそ
のままあるいはアルコール類もしくはアセトンと
共に充分混合する。 これらの混合割合は、In、Al、及びMgの割合
が原子比で１対１対２の割合である。この割合が
はずれると目的とする化合物の単一相が得られな
い。この混合物を大気中あるいは酸化性雰囲気中
もしくはIn及びAlが各々３価イオン状態、Mgが
２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰
囲気中で600℃以上で加熱する。加熱時間は数時
間もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度
に制約はない。加熱終了後０℃に急冷するかある
いは大気中に急激に引き出せばよい。得られた化
合物の粉末は無色で、粉末Ｘ線回折法によると結
晶構造を有することがわかつた。その結晶構造は
層状構造であり、InO1.5層、（Al、Mg）O2.5層、
及びMgO層の積み重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上のインジウム（In2O3）粉末、
純度99.9％以上の酸化アルミニウム（Al2O3）粉
末、および試薬特級の酸化マグネシウム（MgO）
粉末をモル比で１対１対４の割合に秤量し、めの
う乳鉢内でエタノールを加えて、約30分間混合
し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。該混
合物を白金管内に封入し、1300℃に設定された管
状シリコニツト炉内に入れ３日間加熱し、その
後、試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却
した。得られた試料はInAlMg2O5の単一相であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて、各反射の面間隔
（dp）及び相対反射強度を測定した結果は表−２
の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.287±0.001（Å） ｃ＝21.81±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ InAlMg2O5で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属インジウムあるいは酸化インジウムもし
くは加熱により酸化インジウムに分解される化合
物と、金属アルミニウムあるいは酸化アルミニウ
ムもしくは加熱により酸化アルミニウムに分解さ
れる化合物と、金属マグネシウムあるいは酸化マ
グネシウムもしくは加熱により酸化マグネシウム
に分解される化合物とを、インジウム、アルミニ
ウム及びマグネシウムの割合が原子比で１対１対
２になるように混合して、該混合物を600℃以上
のもとで、大気中、酸化性雰囲気中あるいはイン
ジウム及びアルミニウムが各々３価イオン状態、
マグネシウムが２価イオン状態より還元されない
程度の還元雰囲気中で加熱することを特徴とする
InAlMg2O5で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891887A JPH0244241B2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | Inalmg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891887A JPH0244241B2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | Inalmg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185816A JPS63185816A (ja) | 1988-08-01 |
| JPH0244241B2 true JPH0244241B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=11984994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1891887A Expired - Lifetime JPH0244241B2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | Inalmg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244241B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104446381B (zh) * | 2014-11-09 | 2016-05-18 | 桂林理工大学 | 超低介电常数微波介电陶瓷InAlMg7O10及其制备方法 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP1891887A patent/JPH0244241B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63185816A (ja) | 1988-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0244262B2 (ja) | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244241B2 (ja) | Inalmg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435407B2 (ja) | ||
| JPH0244246B2 (ja) | Inalzn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244242B2 (ja) | Inalznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0246526B2 (ja) | Inalzn4o7deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435415B2 (ja) | ||
| JPH0246522B2 (ja) | Scalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244257B2 (ja) | Ingaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435406B2 (ja) | ||
| JPH0435408B2 (ja) | ||
| JPH0244243B2 (ja) | Inalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0348132B2 (ja) | ||
| JPH0338213B2 (ja) | ||
| JPH0246523B2 (ja) | Scalznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435409B2 (ja) | ||
| JPH0244245B2 (ja) | Ina1zn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244244B2 (ja) | Inaizn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435410B2 (ja) | ||
| JPH0246527B2 (ja) | Scalzn4o7deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0348130B2 (ja) | ||
| JPH0246524B2 (ja) | Scalzn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0246528B2 (ja) | Sca1zn609deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0361611B2 (ja) | ||
| JPH0246525B2 (ja) | Sca1zn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |