JPH0348132B2 - - Google Patents
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- JPH0348132B2 JPH0348132B2 JP62029204A JP2920487A JPH0348132B2 JP H0348132 B2 JPH0348132 B2 JP H0348132B2 JP 62029204 A JP62029204 A JP 62029204A JP 2920487 A JP2920487 A JP 2920487A JP H0348132 B2 JPH0348132 B2 JP H0348132B2
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- compound
- oxide
- heating
- thulium
- gallium
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 8
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料等として有用
な新規化合物であるTmGaZnMgO5で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法
に関する。 従来技術 従来、(Yb3+Fe3+O3)oFe2+O(nは整数を表わ
す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4,YbFe3O7,Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−1の通りである。
な新規化合物であるTmGaZnMgO5で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法
に関する。 従来技術 従来、(Yb3+Fe3+O3)oFe2+O(nは整数を表わ
す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4,YbFe3O7,Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−1の通りである。
【表】
これらの化合物は酸化鉄(FeO)1モルに対し
てYbFeO3がn(n=1,2,3,…)モルの割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。 発明の目的 本発明は前記(YbFeO3)oFeOの化学式におい
てn=1/2に相当し、Yb3+の代わりにTm3+を、
Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに(Zn2+
+Mg2+)を置きかえられた新規化合物を提供す
るにある。 発明の構成 本発明の化合物はTmGaZnMgO5で示され、イ
オン結晶モデルではTm3+(Ga3+,Zn2+)
Mg2+O5 2-として記述され、その構造は、TmO1.5
層、(Ga,Zn)O2.5層およびMgO層の積層によ
つて形成されており、著しい構造異方性を持つて
いることが特徴の一つである。 Zn2+はGa3+と共に(Ga,Zn)O2.5層を作り、
Mg2+はMgO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は以下の通りである。 a=3.391±0.001(Å) c=21.82±0.01(Å) この化合物の面指数(hkl)、面間隔(d(Å))
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕及びX線に対
する相対反射強度(I%)を表−2に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒
材料として有用なものである。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。
てYbFeO3がn(n=1,2,3,…)モルの割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。 発明の目的 本発明は前記(YbFeO3)oFeOの化学式におい
てn=1/2に相当し、Yb3+の代わりにTm3+を、
Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに(Zn2+
+Mg2+)を置きかえられた新規化合物を提供す
るにある。 発明の構成 本発明の化合物はTmGaZnMgO5で示され、イ
オン結晶モデルではTm3+(Ga3+,Zn2+)
Mg2+O5 2-として記述され、その構造は、TmO1.5
層、(Ga,Zn)O2.5層およびMgO層の積層によ
つて形成されており、著しい構造異方性を持つて
いることが特徴の一つである。 Zn2+はGa3+と共に(Ga,Zn)O2.5層を作り、
Mg2+はMgO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は以下の通りである。 a=3.391±0.001(Å) c=21.82±0.01(Å) この化合物の面指数(hkl)、面間隔(d(Å))
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕及びX線に対
する相対反射強度(I%)を表−2に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒
材料として有用なものである。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加
熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、金
属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱に
より酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜
鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛
に分解される化合物と、金属マグネシウムあるい
は酸化マグネシウムもしくは加熱により酸化マグ
ネシウムに分解される化合物とを、ツリウム、ガ
リウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比で
1対1対1対1になるように混合して、該混合物
を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中
あるいはツリウム及びガリウムが各々3価イオン
状態、亜鉛及びマグネシウムが各々2価イオン状
態より還元されない程度の還元雰囲気中で加熱す
ることによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μm以
下であることが好ましい。また、光機能材料、半
導体材料として用いる場合には不純物の混入をき
らうので、純度の高い物が好ましい。この原料を
そのままあるいはアルコール類もしくはアセトン
と共に充分混合する。 これらの混合割合は、Tm,Ga,Zn及びMgの
割合が原子比で1対1対1対1の割合である。こ
の割合がはずれると目的とする化合物の単一相が
得られない。この混合物を大気中あるいは酸化性
雰囲気中もしくはTm及びGaが各々3価イオン
状態、Zn及びMgが各々2価イオン状態から還元
され得ない程度の還元雰囲気中で600℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上であ
る。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終
了後0℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引
き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、
粉末X線回折法によると結晶構造を有することが
わかつた。その結晶構造は層状構造であり、
TmO1.5層、(Ga,Zn)O2.5層、及びMgO層の積
み重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99%以上のTm2O3粉末、純度99.99%以
上のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で1対1対2対2の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μmの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1300℃に設
定された炉内に入れ、3日間加熱し、その後試料
を炉外に取り出し、室温まで急速に冷却した。 得られた試料はTmGaZnMgO5の単一相であ
り、粉末X線回折法によつて各反射の面間隔dp及
び相対反射強度を測定した。その結果は前記表−
2の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は a=3.391±0.001(Å) c=21.82±0.01(Å) であつた。 上記の格子定数および表−2の各反射(hkl)
より算出した面間隔(dc(Å))は、実測の面間隔
(dp(Å))と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加
熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、金
属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱に
より酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜
鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛
に分解される化合物と、金属マグネシウムあるい
は酸化マグネシウムもしくは加熱により酸化マグ
ネシウムに分解される化合物とを、ツリウム、ガ
リウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比で
1対1対1対1になるように混合して、該混合物
を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中
あるいはツリウム及びガリウムが各々3価イオン
状態、亜鉛及びマグネシウムが各々2価イオン状
態より還元されない程度の還元雰囲気中で加熱す
ることによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μm以
下であることが好ましい。また、光機能材料、半
導体材料として用いる場合には不純物の混入をき
らうので、純度の高い物が好ましい。この原料を
そのままあるいはアルコール類もしくはアセトン
と共に充分混合する。 これらの混合割合は、Tm,Ga,Zn及びMgの
割合が原子比で1対1対1対1の割合である。こ
の割合がはずれると目的とする化合物の単一相が
得られない。この混合物を大気中あるいは酸化性
雰囲気中もしくはTm及びGaが各々3価イオン
状態、Zn及びMgが各々2価イオン状態から還元
され得ない程度の還元雰囲気中で600℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上であ
る。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終
了後0℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引
き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、
粉末X線回折法によると結晶構造を有することが
わかつた。その結晶構造は層状構造であり、
TmO1.5層、(Ga,Zn)O2.5層、及びMgO層の積
み重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99%以上のTm2O3粉末、純度99.99%以
上のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で1対1対2対2の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μmの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1300℃に設
定された炉内に入れ、3日間加熱し、その後試料
を炉外に取り出し、室温まで急速に冷却した。 得られた試料はTmGaZnMgO5の単一相であ
り、粉末X線回折法によつて各反射の面間隔dp及
び相対反射強度を測定した。その結果は前記表−
2の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は a=3.391±0.001(Å) c=21.82±0.01(Å) であつた。 上記の格子定数および表−2の各反射(hkl)
より算出した面間隔(dc(Å))は、実測の面間隔
(dp(Å))と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 TmGaZnMgO5で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物。 2 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは
加熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、
金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱
により酸化ガリウムに分解される化合物と、金属
亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜
鉛に分解される化合物と、金属マグネシウムある
いは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸化マ
グネシウムに分解される化合物とを、ツリウム、
ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が原子比
で1対1対1対1になるように混合して、該混合
物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気
中あるいはツリウム及びガリウムが各々3価イオ
ン状態、亜鉛及びマグネシウムが各々2価イオン
状態より還元されない程度の還元雰囲気中で加熱
することを特徴とするTmGaZnMgO5で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2920487A JPS63195119A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | TmGaZnMgO↓5で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2920487A JPS63195119A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | TmGaZnMgO↓5で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63195119A JPS63195119A (ja) | 1988-08-12 |
JPH0348132B2 true JPH0348132B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=12269664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2920487A Granted JPS63195119A (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | TmGaZnMgO↓5で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63195119A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
JPS606888A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Fukunari Imada | 超音波距離計 |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2920487A patent/JPS63195119A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
JPS606888A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Fukunari Imada | 超音波距離計 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63195119A (ja) | 1988-08-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |