JPH0244261B2 - Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho - Google Patents
Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizohoInfo
- Publication number
- JPH0244261B2 JPH0244261B2 JP4115487A JP4115487A JPH0244261B2 JP H0244261 B2 JPH0244261 B2 JP H0244261B2 JP 4115487 A JP4115487 A JP 4115487A JP 4115487 A JP4115487 A JP 4115487A JP H0244261 B2 JPH0244261 B2 JP H0244261B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- oxide
- gallium
- indium
- magnesium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 15
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料
等として有用な新規化合物であるInGaZn2MgO6
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物お
よびその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10、及び
Yb3Fe5O10の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
等として有用な新規化合物であるInGaZn2MgO6
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物お
よびその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10、及び
Yb3Fe5O10の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
【表】
【表】
これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
てYbFeO3がｎモル（ｎ＝１、２、３…）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。 発明の目的 本発明は前記（YbFeO3）oFeOの化学式におい
て、ｎ＝1/3に相当し、Yb3+の代わりにIn3+を、
Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに（2Zn2+
＋Mg2+）を置きかえられた新規化合物を提供す
るにある。 発明の構成 本発明の化合物はInGaZn2MgO6で示され、イ
オン結晶モデルでは、In3+（Ga3+、Zn2+）
Zn2+Mg2+O6 2-として記述され、その構造は
InO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層およびZnO層の積層
によつて形成されており、著しい構造異方性を持
つていることがその特徴の一つである。 Zn2+の半数はGa3+と共に（Ga、Zn）O2.5層を
作り、残りのZn2+の半数はZnO層を作り、Mg2+
はMgO層銭作つている。六方晶系としての格子
定数は以下の通りである。 ａ＝3.294±0.001（Å） ｃ＝41.21±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を表−２に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒
材料として有用なものである。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。
てYbFeO3がｎモル（ｎ＝１、２、３…）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。 発明の目的 本発明は前記（YbFeO3）oFeOの化学式におい
て、ｎ＝1/3に相当し、Yb3+の代わりにIn3+を、
Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに（2Zn2+
＋Mg2+）を置きかえられた新規化合物を提供す
るにある。 発明の構成 本発明の化合物はInGaZn2MgO6で示され、イ
オン結晶モデルでは、In3+（Ga3+、Zn2+）
Zn2+Mg2+O6 2-として記述され、その構造は
InO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層およびZnO層の積層
によつて形成されており、著しい構造異方性を持
つていることがその特徴の一つである。 Zn2+の半数はGa3+と共に（Ga、Zn）O2.5層を
作り、残りのZn2+の半数はZnO層を作り、Mg2+
はMgO層銭作つている。六方晶系としての格子
定数は以下の通りである。 ａ＝3.294±0.001（Å） ｃ＝41.21±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を表−２に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒
材料として有用なものである。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネシウム
あるいは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸
化マグネシウムに分解される化合物とを、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が
原子比で１対１対２対１になるように混合して、
該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはインジウム及びガリウムが各々
３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２
価イオン状態より還元されない程度の還元雰囲気
中で加熱することによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。また、光機能材料、
半導体材料として用いる場合には不純物の混入を
きらうので、純度の高い物が好ましい。原料をそ
のままあるいはアルコール類もしくはアセトンと
共に十分混合する。 これらの混合物は、In、Ga、Zn及びMgの割合
が原子比で１対１対２対１の割合である。この割
合がはずれると目的とする化合物の単一相が得ら
れない。この混合物を大気中あるいは酸化性雰囲
気中もしくはIn及びGaが各々３価イオン状態、
Zn及びMgが各々２価イオン状態から還元され得
ない程度の還元雰囲気中で600℃以上で加熱する。
加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱
の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後０℃
に急冷するかあるいは大気中に急激に引き出せば
よい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末Ｘ線
回折法によると結晶構造を有することが分かつ
た。その結晶構造は層状構造であり、InO1.5層、
（Ga、Zn）O2.5層、ZnO層及びMgO層の積み重ね
によつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上のIn2O3粉末、純度99.99％以上
のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で１対１対４対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1450℃に設
定された炉内に入れ、５日間加熱し、その後試料
を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、InGaZn2MgO6の単一相であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔dp及
び相対反射強度を測定した。その結果は表−２の
通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.249±0.001（Å） ｃ＝41.21±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネシウム
あるいは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸
化マグネシウムに分解される化合物とを、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が
原子比で１対１対２対１になるように混合して、
該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはインジウム及びガリウムが各々
３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２
価イオン状態より還元されない程度の還元雰囲気
中で加熱することによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ
以下であることが好ましい。また、光機能材料、
半導体材料として用いる場合には不純物の混入を
きらうので、純度の高い物が好ましい。原料をそ
のままあるいはアルコール類もしくはアセトンと
共に十分混合する。 これらの混合物は、In、Ga、Zn及びMgの割合
が原子比で１対１対２対１の割合である。この割
合がはずれると目的とする化合物の単一相が得ら
れない。この混合物を大気中あるいは酸化性雰囲
気中もしくはIn及びGaが各々３価イオン状態、
Zn及びMgが各々２価イオン状態から還元され得
ない程度の還元雰囲気中で600℃以上で加熱する。
加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱
の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後０℃
に急冷するかあるいは大気中に急激に引き出せば
よい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末Ｘ線
回折法によると結晶構造を有することが分かつ
た。その結晶構造は層状構造であり、InO1.5層、
（Ga、Zn）O2.5層、ZnO層及びMgO層の積み重ね
によつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上のIn2O3粉末、純度99.99％以上
のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で１対１対４対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1450℃に設
定された炉内に入れ、５日間加熱し、その後試料
を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却した。 得られた試料は、InGaZn2MgO6の単一相であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔dp及
び相対反射強度を測定した。その結果は表−２の
通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.249±0.001（Å） ｃ＝41.21±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の各面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ InGaZn2MgO6で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物。 ２ 金属インジウムあるいは酸化インジウムもし
くは加熱により酸化インジウムに分解される化合
物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしく
は加熱により酸化ガリウムに分解される化合物
と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱によ
り酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネシ
ウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱によ
り酸化マグネシウムに分解される化合物とを、イ
ンジウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割
合が原子比で１対１対２対１になるように混合し
て、該混合物を600℃以上の温度で大気中、酸化
性雰囲気中あるいはインジウム及びガリウムが
各々３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウムが
各々２価イオン状態より還元されない程度の還元
雰囲気中で加熱することを特徴とする
InGaZn2MgO6で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115487A JPH0244261B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115487A JPH0244261B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210025A JPS63210025A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0244261B2 true JPH0244261B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12600503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115487A Expired - Lifetime JPH0244261B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244261B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1201608A1 (en) * | 2000-02-04 | 2002-05-02 | Otsuka Chemical Company, Limited | Hexagonal lamellar compound based on indium-zinc oxide and process for producing the same |
| US9391209B2 (en) | 2010-02-05 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP4115487A patent/JPH0244261B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63210025A (ja) | 1988-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0244256B2 (ja) | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244262B2 (ja) | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244260B2 (ja) | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244258B2 (ja) | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244259B2 (ja) | ||
| JPH0244263B2 (ja) | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244261B2 (ja) | Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244257B2 (ja) | Ingaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435424B2 (ja) | ||
| JPH0246526B2 (ja) | Inalzn4o7deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244246B2 (ja) | Inalzn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0348132B2 (ja) | ||
| JPH0244242B2 (ja) | Inalznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244250B2 (ja) | Scgazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244251B2 (ja) | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244243B2 (ja) | Inalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0314779B2 (ja) | ||
| JPH0435408B2 (ja) | ||
| JPH0348130B2 (ja) | ||
| JPH0435409B2 (ja) | ||
| JPH0244249B2 (ja) | Scgazn4o7deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0348133B2 (ja) | ||
| JPH0244248B2 (ja) | Scgaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0348131B2 (ja) | ||
| JPH0333655B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |