JPS63210020A - ＳｃＧａＺｎ↓２ＭｇＯ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＳｃＧａＺｎ↓２ＭｇＯ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
- Publication number
- JPS63210020A JPS63210020A JP4115887A JP4115887A JPS63210020A JP S63210020 A JPS63210020 A JP S63210020A JP 4115887 A JP4115887 A JP 4115887A JP 4115887 A JP4115887 A JP 4115887A JP S63210020 A JPS63210020 A JP S63210020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- compound
- compd
- heating
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 9
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 Scandium metal Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料等として有用な新規化
合物であるＳｃＧａＺｎｚＭｇＯ６で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物及びその製造法に関する。
合物であるＳｃＧａＺｎｚＭｇＯ６で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物及びその製造法に関する。
従来技術
従来１． （Ｙｂ”Ｆｅ”ＯＢ）、Ｐｅ”０（ｎは整数
を表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によって合成され知られている。
を表わす）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｚＯ＝ 、ＹｂｚＦｅ３０ｖ、Ｙｂ５ＦｅａＯ
＋ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯｔ３の六方晶系としての格子定
数、ｙｂｏ＋、ｓ層、ＦｅＯ＋、ｓ層、 ＰｅｇＯ□、
３層の単位格子内における層数を示すと表−１の通りで
ある。
＋ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯｔ３の六方晶系としての格子定
数、ｙｂｏ＋、ｓ層、ＦｅＯ＋、ｓ層、 ＰｅｇＯ□、
３層の単位格子内における層数を示すと表−１の通りで
ある。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅｄ） １モルに対してＹ
ｂＦｅＯ３がｎ （ｎ＝１．２．３． ・：・）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物
である。
ｂＦｅＯ３がｎ （ｎ＝１．２．３． ・：・）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ化合物
である。
発明の目的
本発明は前記（ＹｂＦｅＯｚ） ｎＰｅ０の化学式にお
いてｎ＝１／３に相当し、Ｙｂ”の代わりにＳｃ”を、
Ｆｅ”の代わりにＧａ”を、Ｆｅ”の代わりに（２Ｚｎ
ｔ＊＋ Ｍｇ”）を置きかえられた新規化合物を提供す
るにある。
いてｎ＝１／３に相当し、Ｙｂ”の代わりにＳｃ”を、
Ｆｅ”の代わりにＧａ”を、Ｆｅ”の代わりに（２Ｚｎ
ｔ＊＋ Ｍｇ”）を置きかえられた新規化合物を提供す
るにある。
発明の構成
本発明の化合物は５ｃＧａｂ
ン結晶モデルではＳｃ”（Ｇａ”、Ｚｎ”つＭｇ”Ｚｎ
”Ｏ＆”−とじて記述され、その構造は、ＳｃＯ，、、
層、（Ｇａ。
”Ｏ＆”−とじて記述され、その構造は、ＳｃＯ，、、
層、（Ｇａ。
Ｚｎ）Ｏｔ、 ｓ層、 ＭｇＯ＠およびＺｎＯＪ！ｉの
積層によって形成されており、著しい構造異方性を持っ
ていることが特徴の一つである。
積層によって形成されており、著しい構造異方性を持っ
ていることが特徴の一つである。
Ｚｎ”の半数はＧａ３＋と共に（Ｇａ ＋ Ｚｎ ）Ｏ
ｔ、ｓ層を作り、残りの半数のＺｎ”はＺｎＯ層を、Ｍ
ｇ！＋はＭｇＯ層を作っている。六方晶系としての格子
定数は以下の通りである。
ｔ、ｓ層を作り、残りの半数のＺｎ”はＺｎＯ層を、Ｍ
ｇ！＋はＭｇＯ層を作っている。六方晶系としての格子
定数は以下の通りである。
ａ ＝３．２７１ ±０．００１ Ｃ人）Ｃ＝４１
．１４ ± ０．０１ （人）この化合物の面指
数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄ
ｃは計算値を示す〕及びＸ線に対する相対反射強度（１
％）を表−２に示す。
．１４ ± ０．０１ （人）この化合物の面指
数（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（人））（ｄ、は実測値、ｄ
ｃは計算値を示す〕及びＸ線に対する相対反射強度（１
％）を表−２に示す。
この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒材料とし
て有用なものである。
て有用なものである。
蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもしくは加
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは
加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物とを１
、スカンジウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割
合が原子比で１対１対２対１になるように混合して、該
混合物を６００℃以上の温度で、大気中。
熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と、金属
ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱により酸化
ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるいは酸化
亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化合物と
、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは
加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物とを１
、スカンジウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割
合が原子比で１対１対２対１になるように混合して、該
混合物を６００℃以上の温度で、大気中。
酸化性雰囲気中あるいはスカンジウム及びガリウムが各
々３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２価イ
オン状態より還元されない程度の還元雰囲気中で加熱す
ることによって製造し得られる。
々３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２価イ
オン状態より還元されない程度の還元雰囲気中で加熱す
ることによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま使用して
もよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒径
が小さい方がよく、特に１０μ…以下であることが好ま
しい。また、光機能材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高い物が好まし
い。この原料をそのままあるいはアルコール類もしくは
アセトンと共に充分混合する。
もよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒径
が小さい方がよく、特に１０μ…以下であることが好ま
しい。また、光機能材料、半導体材料として用いる場合
には不純物の混入をきらうので、純度の高い物が好まし
い。この原料をそのままあるいはアルコール類もしくは
アセトンと共に充分混合する。
これらの混合割合は、Ｓｃ、 Ｇａ、 Ｚｎ及びＭｇの
割合が原子比で１対１対２対１の割合である。この割合
がはずれると目的とする化合物の単−相が得られない、
この混合物を大気中あるいは酸化性雰囲気中もしくはＳ
ｃ及びＧａが各々３価イオン状ｇ、Ｚｎ及びＭｇが各々
２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気中
で６００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしくは
それ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない、
加熱終了後Ｏ℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引
き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末Ｘ
線回折法によると結晶構造を有することがわかった。
割合が原子比で１対１対２対１の割合である。この割合
がはずれると目的とする化合物の単−相が得られない、
この混合物を大気中あるいは酸化性雰囲気中もしくはＳ
ｃ及びＧａが各々３価イオン状ｇ、Ｚｎ及びＭｇが各々
２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気中
で６００℃以上で加熱する。加熱時間は数時間もしくは
それ以上である。加熱の際の昇温速度には制約はない、
加熱終了後Ｏ℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引
き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、粉末Ｘ
線回折法によると結晶構造を有することがわかった。
その結晶構造は層状構造であり、ＳＣＯ＋、ｓ層＋（Ｇ
ａ＋Ｚｎ）Ｏｘ、 ｓ層、 ＺｎＯ層及びＭｇ０７ｇの
積み重ねによって形成されている。
ａ＋Ｚｎ）Ｏｘ、 ｓ層、 ＺｎＯ層及びＭｇ０７ｇの
積み重ねによって形成されている。
実施例
純度９９．９９％以上のＳｃ、０．粉末、純度９９．９
９％以上のＧａ、０．粉末、試薬特級のＺｎＯ及び試薬
特級のＭｇＯ粉末をモル比で１対１対４対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間混
合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。
９％以上のＧａ、０．粉末、試薬特級のＺｎＯ及び試薬
特級のＭｇＯ粉末をモル比で１対１対４対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約３０分間混
合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得た。
この混合物を白金管内に封入し、１４５０’Ｃに設定さ
れた炉内に入れ、８日間加熱し、その後試料を炉外に取
り出し、室温まで急速に冷却した。
れた炉内に入れ、８日間加熱し、その後試料を炉外に取
り出し、室温まで急速に冷却した。
得られた試料は５ｃＧａＺｎ、Ｍｇ０ｂ単−相であり、
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔ｄ０及び相対反
射強度を測定した。その結果は前記表−２の通りであっ
た。
粉末Ｘ線回折法によって各反射の面間隔ｄ０及び相対反
射強度を測定した。その結果は前記表−２の通りであっ
た。
六方晶系としての格子定数は
ａ ＝３．２７１ ±０．００１ （人）ｃ ＝４１
．１４ ±０．０１ （人）であった。
．１４ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の各反射（ｈ ｋ ｌ）よ
り算出した面間隔（ａＣ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
り算出した面間隔（ａＣ（人））は、実測の面間隔（ｄ
。
（人））と極めてよく一致している。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供 −する。
新規化合物を提供 −する。
瀬 高 信 Ｉ１１ニ
Claims (2)
- （１）ＳｃＧａＺｎ＿２ＭｇＯ＿６で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物。 - （２）金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムもし
くは加熱により酸化スカンジウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物と、金属マグネシウムあるいは酸化マグネシウムも
しくは加熱により酸化マグネシウムに分解される化合物
とを、スカンジウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウム
の割合が原子比で１対１対２対１になるように混合して
、該混合物を６００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰
囲気中あるいはスカンジウム及びガリウムが各々３価イ
オン状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２価イオン状態
より還元されない程度の還元雰囲気中で加熱することを
特徴とするＳｃＧａＺｎ＿２ＭｇＯ＿６で示される六方
晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115887A JPH0244250B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115887A JPH0244250B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210020A true JPS63210020A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0244250B2 JPH0244250B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12600611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115887A Expired - Lifetime JPH0244250B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244250B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP4115887A patent/JPH0244250B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244250B2 (ja) | 1990-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63210024A (ja) | ＩｎＧａＺｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63265818A (ja) | ＩｎＧａＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0244256B2 (ja) | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPS63210022A (ja) | ＩｎＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63210020A (ja) | ＳｃＧａＺｎ↓２ＭｇＯ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0244261B2 (ja) | Ingazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244257B2 (ja) | Ingaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244246B2 (ja) | Inalzn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPS63256521A (ja) | ＩｎＡｌＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63265816A (ja) | ＳｃＧａＺｎ↓７Ｏ↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63265825A (ja) | ＩｎＦｅＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63210021A (ja) | ＳｃＧａＺｎ↓３Ｏ↓６で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63201016A (ja) | ＩｎＡｌＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63256520A (ja) | ＳｃＡ１Ｚｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63195118A (ja) | ＳｃＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63195117A (ja) | ＳｃＡｌＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0244242B2 (ja) | Inalznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244241B2 (ja) | Inalmg2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPS63295430A (ja) | ＬｕＧａＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63274622A (ja) | ＬｕＧａＺｎ↓７０↓１↓０で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63215522A (ja) | ＳｃＦｅＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPH0348132B2 (ja) | ||
| JPS63256525A (ja) | ＩｎＡ１Ｚｎ↓５Ｏ↓８で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63265815A (ja) | ＳｃＡｌＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 | |
| JPS63295420A (ja) | ＹｂＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |