JPS63295420A - ＹｂＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63295420A JPS63295420A JP12905487A JP12905487A JPS63295420A JP S63295420 A JPS63295420 A JP S63295420A JP 12905487 A JP12905487 A JP 12905487A JP 12905487 A JP12905487 A JP 12905487A JP S63295420 A JPS63295420 A JP S63295420A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
- C01G15/006—Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分計
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料として有
用な新規化合物であるＹｂＧａＺｎ４ｅ１７で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
用な新規化合物であるＹｂＧａＺｎ４ｅ１７で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”６ｇ）＠Ｆｅ”°ｅｌ（ｎは整数
を示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
を示す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
’ＩｂＦｅ２６４． Ｙｂ１Ｆｅ１０７． Ｙｂ１Ｆｅ
４１５１．）及びＹｂａＦｅ５Ｑ、３の六方晶系として
の格子定数、Ｙｂ１５． ＊５層ｐ Ｆｅ’ｌ ｓＳ層
、 Ｆｅ１Ｃ１１ｏＳ層の単位格子内における暦数を示
すと表−１の通外である。
４１５１．）及びＹｂａＦｅ５Ｑ、３の六方晶系として
の格子定数、Ｙｂ１５． ＊５層ｐ Ｆｅ’ｌ ｓＳ層
、 Ｆｅ１Ｃ１１ｏＳ層の単位格子内における暦数を示
すと表−１の通外である。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅ６） １モルに対して、
ＹｂＦｅ６．がｎモルの割合で化合していると考えられ
る層状構造を持つ化合物である。
ＹｂＦｅ６．がｎモルの割合で化合していると考えられ
る層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅ６１）、ｌＦｅ１５の化学式におい
て、ｎ ＝ｌ ／４に相当しＦｅ”の代わりにＧａ″″
をＦｅ”の代わりにＺｎ”を置きかえて得られる新規な
化合物を提供するにある。
て、ｎ ＝ｌ ／４に相当しＦｅ”の代わりにＧａ″″
をＦｅ”の代わりにＺｎ”を置きかえて得られる新規な
化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＹｂＧａＺｎａＱ７で示されろ化合物は、イオ
ン結晶モデルで°は、Ｙｂ”（Ｇａ”Ｚｎ”）Ｚｎｌ”
Ｃ１７”−として記載され、その構造はｙｂｏ、 、、
層、 （Ｇａ”Ｚｎ”）Ｃ１２，１層およびＺｎ６層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の−っである。Ｚｎ”の’／ａ
はＧａ”と共に（ＧＭ”、Ｚｎ”）Ｑ２．５層を作り、
残りの３／４はＺｎｅ１層を作っている。六方晶系とし
ての格子定数は次の通りである。
ン結晶モデルで°は、Ｙｂ”（Ｇａ”Ｚｎ”）Ｚｎｌ”
Ｃ１７”−として記載され、その構造はｙｂｏ、 、、
層、 （Ｇａ”Ｚｎ”）Ｃ１２，１層およびＺｎ６層
の積層によって形成されており、著しい構造異方性を持
っていることがその特徴の−っである。Ｚｎ”の’／ａ
はＧａ”と共に（ＧＭ”、Ｚｎ”）Ｑ２．５層を作り、
残りの３／４はＺｎｅ１層を作っている。六方晶系とし
ての格子定数は次の通りである。
ａ＝３．３３４±０．００１（Ａ）
ｃ＝３２．３８±０．０１ （Ａ）この化合物の面
指数（ｈ ｋ ｉ ）、面間隔（ｄ（Ｘ））（ｄＯは実
測値ｐ ｄＣは計算値を示す）およびＸ線に対する相対
反射強度（１（％））を示すと表−２の通りである。
指数（ｈ ｋ ｉ ）、面間隔（ｄ（Ｘ））（ｄＯは実
測値ｐ ｄＣは計算値を示す）およびＸ線に対する相対
反射強度（１（％））を示すと表−２の通りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料および触媒材料と
して有用なものである。
して有用なものである。
表 −２
乙の化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウムもしく
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物と、？ｂ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対４０割合で混合し、該混合物を６５０℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＣａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが′２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することによって得られる
。
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解される化
合物と、？ｂ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対４０割合で混合し、該混合物を６５０℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＣａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが′２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することによって得られる
。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍｆＪ下であることが
好ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍｆＪ下であることが
好ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いろ場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、ア七トン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｙｂ、 Ｇａ、 Ｚｎの割合が原子
比で１対１対４の割合であることが必要である。
比で１対１対４の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ろことが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよ
びＣａが各々３価イオン状態、 Ｉｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びＣａが各々３価イオン状態、 Ｉｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６５０℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたマｂＧａＺｎ４６ｙ化合物の粉末は無色であり
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、Ｙ ｂ ＯＨｍ
５層ｍ （にａ、 Ｚｎ）６１，１層、およびＺｎｅ
１層の積重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、Ｙ ｂ ＯＨｍ
５層ｍ （にａ、 Ｚｎ）６１，１層、およびＺｎｅ
１層の積重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
Ｍ 度９９．９９％以上の酸化イッテルビウムＤｂ＊ｏ
ａ）粉末、純度９９．９％息上の酸化ガリウム（Ｇａ＊
Ｑ＊）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ１５）粉末をモ
ル比で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、４
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。
ａ）粉末、純度９９．９％息上の酸化ガリウム（Ｇａ＊
Ｑ＊）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ１５）粉末をモ
ル比で１対１対８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間混合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、４
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。
得られた試料は、ＹｂＧａＺｎ４６７単−相であり、粉
末Ｘ＠回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）および相
対反射強度を測定した結果は表−２の通りであった。六
方晶系としての格子定数は次の通りであった。
末Ｘ＠回折法によって各反射の面間隔（ｄｏ）および相
対反射強度を測定した結果は表−２の通りであった。六
方晶系としての格子定数は次の通りであった。
ａ＝３，３３４±０．００１（Ａ）
ｃ＝３２．３８±０．０１ （Ａ）上記の格子定数
および表−２の各面指数（ｈ ｋ ｌ ）より算出した
面間隔（ｄｃ（Ａ））は、実測の面間隔（ｄｏ（Ａ））
と極めてよく一致していた。
および表−２の各面指数（ｈ ｋ ｌ ）より算出した
面間隔（ｄｃ（Ａ））は、実測の面間隔（ｄｏ（Ａ））
と極めてよく一致していた。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＹｂＧａＺｎ＿４Ｏ＿７で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物 - （２）金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウム
もしくは加熱により酸化イッテルビウムに分解される化
合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加
熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛
あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解さ
れる化合物と、Ｙｂ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で
１対１対４の割合で混合し、該混合物を６５０℃以上の
温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＣａ
が各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする ＹｂＧａＺｎ＿４Ｏ＿７で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12905487A JPS63295420A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12905487A JPS63295420A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295420A true JPS63295420A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0333646B2 JPH0333646B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=14999945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12905487A Granted JPS63295420A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295420A (ja) |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12905487A patent/JPS63295420A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0333646B2 (ja) | 1991-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |