JPS63256531A - InFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
InFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63256531A JPS63256531A JP62092568A JP9256887A JPS63256531A JP S63256531 A JPS63256531 A JP S63256531A JP 62092568 A JP62092568 A JP 62092568A JP 9256887 A JP9256887 A JP 9256887A JP S63256531 A JPS63256531 A JP S63256531A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁性材料、半導体材料、触媒材料等として有用
な新規化合物であるInFeZn4.Otで示される大
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
な新規化合物であるInFeZn4.Otで示される大
方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関
する。
従来技術
従来、(Yb”Fe”0s)nFe”O(nは整数を示
す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す)で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
YbFezO4,YbFezO4,Yb3FeaO+o
及びYb4FesO+ 3の六方晶系としての格子定数
、YbO+、s層、 Fe01.1層、 FezO□、
6層の単位格子内における層数を示すと表−1の通りで
ある。
及びYb4FesO+ 3の六方晶系としての格子定数
、YbO+、s層、 Fe01.1層、 FezO□、
6層の単位格子内における層数を示すと表−1の通りで
ある。
これらの化合物は酸化鉄(Fed) 1モルに対して、
YbFe0.がnモル(n=1.2.3−)の割合で化
合していると考えられる層状構造を持つ化合物である。
YbFe0.がnモル(n=1.2.3−)の割合で化
合していると考えられる層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は(YbFeOi) 、FeOの化学式において
、n=174に相当し、Yb3+の代わりに(n 3
+をFe”+の代わりにZn”を置きかえて得られた新
規な化合物を提供するにある。
、n=174に相当し、Yb3+の代わりに(n 3
+をFe”+の代わりにZn”を置きかえて得られた新
規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のInFeZnaO+で示される化合物は、イオ
ン結晶モデルでは、In”(Fe” 、Zn”)Zn3
”07”−として記載され、その構造はInO+、s層
、(Fe。
ン結晶モデルでは、In”(Fe” 、Zn”)Zn3
”07”−として記載され、その構造はInO+、s層
、(Fe。
Zn)O□、6層およびZnO層の積層によって形成さ
れており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の一
つである。Zn”イオンの174はFe’+と共に(F
e”、 Zn”) Oz、s層を作り、残りの374は
ZnO層を作っている。六方晶系としての格子定数は次
の通りである。
れており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の一
つである。Zn”イオンの174はFe’+と共に(F
e”、 Zn”) Oz、s層を作り、残りの374は
ZnO層を作っている。六方晶系としての格子定数は次
の通りである。
a =3.294 ±0.001 (人)c =32
.99 ±0.01 (人)この化合物の面指数(
hk#)、面間隔(d(人))(d、は実測値+deは
計算値を示す)およびX線に対する相対反射強度(I(
%))を示すと表−2通りである。
.99 ±0.01 (人)この化合物の面指数(
hk#)、面間隔(d(人))(d、は実測値+deは
計算値を示す)およびX線に対する相対反射強度(I(
%))を示すと表−2通りである。
この化合物は磁性材料、半導体材料および触媒材料とし
て有用なものである。例えば、異方性の強い2次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
て有用なものである。例えば、異方性の強い2次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱に
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属鉄ある
いは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、In、 FeおよびZ
nの割合が原子比で1対1対4の割合で混合し、該混合
物を650℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あ
るいはInおよびFeが各々3価イオン状態、Znが2
価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属鉄ある
いは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、In、 FeおよびZ
nの割合が原子比で1対1対4の割合で混合し、該混合
物を650℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あ
るいはInおよびFeが各々3価イオン状態、Znが2
価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μI以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に10μI以下であることが好
ましい。
また、磁性材料、半導体材料として用いる場合には不純
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。出
発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、
それぞれの金属の水酸化物。
炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、In、 Fe、およびZnの割合が
原子比で1対1対4の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
原子比で1対1対4の割合であることが必要である。こ
れをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることがで
きない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはInおよ
びFeが各々3価イオン状#lnが2価イオン状態から
還元されない還元雰囲気中で650℃以上で加熱する。
びFeが各々3価イオン状#lnが2価イオン状態から
還元されない還元雰囲気中で650℃以上で加熱する。
加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際の
昇温速度には制約はない。
昇温速度には制約はない。
加熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引き出
せばよい。
せばよい。
得られたInFeZn、02化合物の粉末は褐色であり
、粉末X線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、In01.5層
、 (Fe、 Zn)Oz、s層、およびZnO層の積
み重ねによって形成されていることが分かった。
、粉末X線回折法によって結晶構造を有することが分か
った。その結晶構造は層状構造であり、In01.5層
、 (Fe、 Zn)Oz、s層、およびZnO層の積
み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度99.99%以上の酸化インジウム(Ir+zO:
+)粉末、純度99.9%以上の酸化鉄(FezO3)
粉末、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモル
比で1対1対8の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノ
ールを加゛えて、約30分間部合し、平均粒径数μmの
微粉状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、1
450℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ3日
間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速
に冷却した。
+)粉末、純度99.9%以上の酸化鉄(FezO3)
粉末、および試薬特級の酸化亜鉛(ZnO)粉末をモル
比で1対1対8の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノ
ールを加゛えて、約30分間部合し、平均粒径数μmの
微粉状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、1
450℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ3日
間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速
に冷却した。
得られた試料は、InFeZna、07の単−相であり
、粉末X線回折法によって、各面指数(hkl)。
、粉末X線回折法によって、各面指数(hkl)。
面間隔(do)及び相対反射強度を測定した結果は表−
2の通りであった。
2の通りであった。
六方晶系としての格子定数は
a =3.294 ±0.001 (人)c =32
.99 ±0.01 (人)であった。
.99 ±0.01 (人)であった。
上記の格子定数および表−2の面指数(h k A)よ
り算出した面間隔(dc(人))は、実測の面間隔(d
。
り算出した面間隔(dc(人))は、実測の面間隔(d
。
(人))と極めてよ(一致している。
発明の効果
本発明は磁性材料、半導体材料および触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- (1)InFeZn_4O_7で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - (2)金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは
加熱により酸化インジウムに分解される化合物と、金属
鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物とを、In、Feおよ
びZnの割合が原子比で1対1対4の割合で混合し、該
混合物を650℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気
中あるいはInおよびFeが各々3価イオン状態、Zn
が2価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱
することを特徴とするInFeZn_4O_7で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62092568A JPS63256531A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | InFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62092568A JPS63256531A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | InFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63256531A true JPS63256531A (ja) | 1988-10-24 |
JPH0435407B2 JPH0435407B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=14058029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62092568A Granted JPS63256531A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | InFeZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63256531A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104275187A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-01-14 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂InFeZn4O7及其制备方法 |
CN105688887A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-06-22 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂BaLi4Ge5O13及其制备方法 |
CN105688925A (zh) * | 2016-03-03 | 2016-06-22 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂LiCu3SbMoO9及其制备方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP62092568A patent/JPS63256531A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104275187A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-01-14 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂InFeZn4O7及其制备方法 |
CN105688887A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-06-22 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂BaLi4Ge5O13及其制备方法 |
CN105688925A (zh) * | 2016-03-03 | 2016-06-22 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂LiCu3SbMoO9及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0435407B2 (ja) | 1992-06-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |