JPS63256530A - ＩｎＦｅＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＩｎＦｅＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63256530A JPS63256530A JP62091363A JP9136387A JPS63256530A JP S63256530 A JPS63256530 A JP S63256530A JP 62091363 A JP62091363 A JP 62091363A JP 9136387 A JP9136387 A JP 9136387A JP S63256530 A JPS63256530 A JP S63256530A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁性材料、半導体材料、触媒材料等として有用
な新規化合物であるＩｎＦｅＺｎ、０．で示される大方
晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関す
る。
な新規化合物であるＩｎＦｅＺｎ、０．で示される大方
晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に関す
る。
従来技術
従来、（Ｙｂ” Ｆｅ”Ｏｓ）＊ Ｆｅ”０（ｎは整数
を示す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
を示す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物
は本出願人によって合成され知られている。
ＹｂＦｅｚＯ，、ＹｂｚＦｅ３０７ 、 Ｙｂ、ＩＦ１
３４０＋Ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯｔｓの六方晶系としての
格子定数、ＹｂＯ＋、ｓ層、 Ｆｅｂ、ｓ層、 Ｆｅ、
０□、３層の単位格子内における層数を示すと表−１の
通りである。
３４０＋Ｏ及びＹｂ４ＦｅｓＯｔｓの六方晶系としての
格子定数、ＹｂＯ＋、ｓ層、 Ｆｅｂ、ｓ層、 Ｆｅ、
０□、３層の単位格子内における層数を示すと表−１の
通りである。
これらの化合物は酸化鉄（ＰｅＯ）１モルに対して、Ｙ
ｂＦｅ０．がｎモル（ｎ＝１． ２． ３−）の割合で
化合していると考えられる層状構造を持つ化合物である
。
ｂＦｅ０．がｎモル（ｎ＝１． ２． ３−）の割合で
化合していると考えられる層状構造を持つ化合物である
。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＯｓ） −ＦｅＯの化学式において
、ｎ＝１／６に相当し、ｙｂ”の代わりにＩｎ”を、ｐ
ｅ Ｚ ＋の代わりにＺｎ”を置きかえて得られた新
規な化合物を提供するにある。
、ｎ＝１／６に相当し、ｙｂ”の代わりにＩｎ”を、ｐ
ｅ Ｚ ＋の代わりにＺｎ”を置きかえて得られた新
規な化合物を提供するにある。
発明の構成
本発明のＩｎＦｅＺｎ６０ｑで示される化合物は、イオ
ン結晶モデルでは１ ｎ ３ ＋（Ｆｅ ３ ＋ 、
ｚ ｎ ２ ＋ ） ｚ ｎ 、 ｔ ′″０．′−と
して記載され、その構造はＩｎＯ＋、ｓ層、 （Ｆｅ。
ン結晶モデルでは１ ｎ ３ ＋（Ｆｅ ３ ＋ 、
ｚ ｎ ２ ＋ ） ｚ ｎ 、 ｔ ′″０．′−と
して記載され、その構造はＩｎＯ＋、ｓ層、 （Ｆｅ。
Ｚｎ）Ｏｚ、ｓ層およびＺｎＯ層の積層によって形成さ
れており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の一
つである。Ｚｎ”＋イオンの１７６はＦｅ’＋と共に（
Ｆｅ” 、Ｚｎ”つ０□、３層を作り、残りの５７６は
ＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定数は次
の通りである。
れており、著しい構造異方性を持つことがその特徴の一
つである。Ｚｎ”＋イオンの１７６はＦｅ’＋と共に（
Ｆｅ” 、Ｚｎ”つ０□、３層を作り、残りの５７６は
ＺｎＯ層を作っている。六方晶系としての格子定数は次
の通りである。
ａ ＝３．２８３ ±０．００１ （人）Ｃ＝４３．
３６ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈｋ
ｌ）、面間隔（ｄ（人））。
３６ ±０．０１ （人）この化合物の面指数（ｈｋ
ｌ）、面間隔（ｄ（人））。
（ｄ、は実測値、ｄｃは計算値を示す）およびＸ線に対
する相対反射強度（１（％））を示すと、表−２の通り
である。
する相対反射強度（１（％））を示すと、表−２の通り
である。
この化合物は磁性材料、半導体材料および触媒材料とし
て有用なものである。例えば、異方性の強い２次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
て有用なものである。例えば、異方性の強い２次元的性
質を持つ磁性体・半導体および触媒物質としての利用の
可能性が考えられる。
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは加熱に
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属鉄ある
いは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、Ｉｎ、 ＦｅおよびＺ
ｎの割合が原子比で１対１対６の割合で混合し、該混合
物を６００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あ
るいはＩｎおよびＦｅが各々３価イオン状態、Ｚｎが２
価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
より酸化インジウムに分解される化合物と、金属鉄ある
いは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物とを、Ｉｎ、 ＦｅおよびＺ
ｎの割合が原子比で１対１対６の割合で混合し、該混合
物を６００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気中あ
るいはＩｎおよびＦｅが各々３価イオン状態、Ｚｎが２
価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱する
ことによって製造し得られる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させるためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また磁性材料、半導体材料として用いる場合には不純物
の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい、出発
物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、そ
れぞれの金属の水酸化物。
の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい、出発
物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては、そ
れぞれの金属の水酸化物。
炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｉｎ、 ＦｅおよびＺｎの割合が原
子比で１対１対６の割合であることが必要である。
子比で１対１対６の割合であることが必要である。
これをはずすと目的とする化合物の単−相を得ることが
できない。
できない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＩｎおよ
びＦｅが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上ので加熱
する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱
の際の昇温速度には制約はない。
びＦｅが各々３価イオン状態、 Ｚｎが２価イオン状態
から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上ので加熱
する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱
の際の昇温速度には制約はない。
加熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引き出
せばよい。
せばよい。
得られたＩｎＦｅＺｎ、、０１化合物の粉末は褐色であ
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＩｎＯ＋、ｓ
層、 （Ｆｅ、 Ｚｎ）Ｏｘ、 ｓ層、およびＺｎＯ層
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末Ｘ線回折法によって結晶構造を有することが分
かった。その結晶構造は層状構造であり、ＩｎＯ＋、ｓ
層、 （Ｆｅ、 Ｚｎ）Ｏｘ、 ｓ層、およびＺｎＯ層
の積み重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化インジウム（ＩｎｚＯｉ）
粉末、純度９９．９％以上の酸化鉄（ＦｅｚＯｚ）粉末
、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比で
１対１対１２の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノ−
ルを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉
状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５
０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ４日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
粉末、純度９９．９％以上の酸化鉄（ＦｅｚＯｚ）粉末
、および試薬特級の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末をモル比で
１対１対１２の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタノ−
ルを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの微粉
状混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１４５
０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ４日間加
熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急速に冷
却した。
得られた試料はＩｎＦｅＺｎ６０ｑの単−相であり、粉
末Ｘ線回折法によって、各面指数（ｈｋｌ）、面間隔（
ｄｏ）及び相対反射強度を測定した結果は表−２の通り
であった。
末Ｘ線回折法によって、各面指数（ｈｋｌ）、面間隔（
ｄｏ）及び相対反射強度を測定した結果は表−２の通り
であった。
大方晶系としての格子定数は、
ａ ＝３．２８３ ±０．００１ （人）ｃ ＝４３
．３６ ±０．０１ （人）であった。
．３６ ±０．０１ （人）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ Ｇより
算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄｏ
（人））と極めてよく一致している。
算出した面間隔（ｄｃ（人））は、実測の面間隔（ｄｏ
（人））と極めてよく一致している。
発明の効果
本発明は磁性材料、半導体材料および触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＩｎＦｅＺｎ＿６Ｏ＿９で示される六方晶系の層
状構造を有する化合物。 - （２）金属インジウムあるいは酸化インジウムもしくは
加熱により酸化インジウムに分解される化合物と、金属
鉄あるいは酸化鉄もしくは加熱により酸化鉄に分解され
る化合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物とを、Ｉｎ、Ｆｅおよ
びＺｎの割合が原子比で１対１対６の割合で混合し、該
混合物を６００℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気
中あるいはＩｎおよびＦｅが各々３価イオン状態、Ｚｎ
が２価イオン状態より還元されない還元雰囲気中で加熱
することを特徴とするＩｎＦｅＺｎ＿６Ｏ＿９で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62091363A JPS63256530A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | ＩｎＦｅＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62091363A JPS63256530A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | ＩｎＦｅＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63256530A true JPS63256530A (ja) | 1988-10-24 |
| JPH0435406B2 JPH0435406B2 (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=14024298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62091363A Granted JPS63256530A (ja) | 1987-04-14 | 1987-04-14 | ＩｎＦｅＺｎ↓６Ｏ↓９で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63256530A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104275187A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-01-14 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂InFeZn4O7及其制备方法 |
-
1987
- 1987-04-14 JP JP62091363A patent/JPS63256530A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104275187A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-01-14 | 三峡大学 | 可见光响应的光催化剂InFeZn4O7及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0435406B2 (ja) | 1992-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |