JPS63179851A - アクリル系モノマ−の製造方法 - Google Patents

アクリル系モノマ−の製造方法

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JPS63179851A
JPS63179851A JP62008166A JP816687A JPS63179851A JP S63179851 A JPS63179851 A JP S63179851A JP 62008166 A JP62008166 A JP 62008166A JP 816687 A JP816687 A JP 816687A JP S63179851 A JPS63179851 A JP S63179851A
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JP
Japan
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formula
adduct
basic catalyst
acrylic monomer
compound
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Pending
Application number
JP62008166A
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English (en)
Inventor
Yasutaka Doi
土居 靖隆
Tetsuya Uekuri
上栗 哲哉
Akimoto Nagamoto
明元 永本
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Kohjin Holdings Co Ltd
Kohjin Co
Original Assignee
Kohjin Holdings Co Ltd
Kohjin Co
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/584Recycling of catalysts

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (従来の技術) アクリル系モノマーの製造方法として、対応するアダク
トをクラッキングする方法についてはすでに知られてい
る(例えば、特公昭56−20309号。
特公昭54−9170号、特公昭57−52329号、
および特公昭59−24142号など)。
これらの方法は主にアダクト化工程することを要点とし
たものであシ、特にアダクト化工程について検討されて
いるが、クラッキング工程についてはくわしく検討され
ていない。即ち、クラッキング工程については、アダク
ト化工程よシ得られるアダクトヲアダクト化触媒を除か
ず、あるいは一旦精留後高温のクラッキング塔に導入す
る方法が用いられている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、アダクトが高沸点物質の場合はアダクト
ヲ加熱気化するために減圧下でありても高温に加熱する
必要があシ、この際、液相において大量の副反応生成物
を生じ、例えば沸点がlOsmHgの減圧下で150℃
以上のものでは20%以上の副反応生成物を生じる。こ
れを避けるために、よシ低温で気化させるために更に減
圧を強化すると、クラッキング生成物、特にその1つで
あるシクロペンタジェン(CPD )の凝縮が困難とな
シ、即ち、回収が困難になるため、減圧を任意に強化さ
せることは実用上困難でおる。
したがって、現実には多量の副反応生成物が発生するこ
とになシ、これを除くために精留すると製品収率が著し
く低下するという問題点があった。
(問題点を解決するための手段) 本発明は前記の問題点を解消するため鋭意検討した結果
到達したものである。
即ち、本発明は一般式 で表わされる化合物と第1アミンノ第2アミン又はアル
カノールアミン等のアミン系物質とを強塩基性触媒の存
在下で反応せしめて、一般式で嵌わされる化合物(以下
アダクトと略す。)とし、次いで該アダク)tクラッキ
ングし、一般式0式% 〔但し、R47Xは上記に同じ〕 で表わされるアクリル系モノマーを製造する際、該アメ
クト反応液から強塩基性触媒を系外に除去したのち、ク
ラッキングすることを特徴とする高純度アクリル系モノ
マーの製造方法に関する。
本発明において用いられる強塩基性触媒としては、例え
ば、金属ナトリウム、金属カリウム、ソジウムハイドシ
イド、ナトリウムアミド、ンディウムメトキサイド、ト
リエチレンジアミン等が挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。
又、本発明において一般式CI)で宍わされる化合物と
反応されるアミン系物質としては例えば、メチルアミン
5エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、アニ
リン、シクロアルキルアミン等の第1アミン、ジメチル
アミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、メチルエ
チルアミン等の第2アミン、アジリジン、アゼチジン、
ピロリシン、ピペリジン、モルホリン等の環状アミン等
のアミン類、前記のアミン類の誘導体であるモノ又はジ
アルキルアミノアルコール類、前記のアミン類の誘導体
であるモノ又はジアルキルアミノアルキルアミン類等を
挙げることができる。
本発明において用いられる一般式〔I〕で表わされる化
合物に前記のアミン系物質を加え、前記の強塩基性触媒
の存在下で反応せしめ、一般式〔■〕のアダクトヲ製造
する方法は公知の方法でよく、例えば所定量の化合物〔
I〕、及び強塩基性触媒を攪拌器及び温度計の9いた減
圧可能な反応釜に仕込み、これにアミン系物質を滴下装
置を有する供給槽よシ滴下し、副生成物であるアルコー
ルを留去しつつ加熱、減圧下で反応を進めることによシ
化合物〔■〕の粗アダクトが得られる。
この粗アダクト中には触媒が残留している。本発明にお
いてはこの粗アダクト中の触媒を系外に除去した後、精
留工程を経ないで直接クラッキングし、その後希望によ
シ更に精留によって精製して、高純度のアクリルモノマ
ーを得るものである。
本発明において残塩・基柱触媒を除去する方法としては
例えば残存触媒を酸中和し、(イ)生成する塩を脱塩除
去するか、あるいは(ロ)残存触媒をイオン交換樹脂に
接触せしめてアルカリ金属イオンを吸着して脱触媒する
から方法が挙げられるが、これらの方法に限定されるも
のではない。
前記0)の脱塩の方法としては、例えば■ 反応によシ
生成した粗生成物を有機溶剤(例えばメタノール、エタ
ノール、アセトンなど)に溶解し中和塩を沈澱させた後
、F紙・ν布なて沈降分離する方法。
■ 中和塩を含む該アダクト液にベンゼン、トルエン、
酢酸エチル、クロロホルムなどの該アダクトを溶解する
が水とは混シ難い有機溶剤を用いて、水層に中和塩を溶
解せしめて2層分離する方法。
■ 分離膜による分画方法。
などの方法が挙げられるが、これらに限定されるもので
はない。
又、前記(ロ)の強酸性イオン交換樹脂を用いて脱触媒
する方法はまず、反応生成物である粗アダクトをそのま
まイオン交換装置に通しても良いが、あらかじめメタノ
ールをアダクトに対し30〜50重量係加えて常温で通
液するか、装置に温水ジャケットがセットされている場
合はメタノールを10〜30重量係によシ希釈した後通
液すると分離性が良い。
前記の方法で用いられるイオン交換樹脂としては、アル
カリ金属イオンを吸着できる一連の市販の樹脂から選択
できるが、耐有機溶媒性の高果橋強酸性交換樹脂が特に
好適である。イオン交換樹脂のイオン形としては水素形
態にあることが適切である。
このような樹脂の例としてはMDIAION PK−2
28゜PK−220、5K−112”および’ Amb
erlyst A−15。
Amberlitsi、 200C”などが挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
イオン交換樹脂を用りて脱触媒した後、樹脂がアルカリ
金属イオンで飽和されるようになった時、その樹脂は適
当な酸溶液、例えば硫酸、塩酸、硝酸或いは酢酸など、
で処理することによシ再生できる。
また、酸処理による再生のみでは活性の保持が困難とな
った場合には適当なアルカリ液、例えば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、又はアンモニア水など、で樹脂を
洗浄した後、酸で再生すれば賦活が可能である。
再生処理の際に、樹脂はまずアルカノール、例えばメタ
ノールで、次いで水、酸、再び水で、最後にもう一度ア
ルカノールで洗浄されることが望ましい。
もちろん、上記のような脱触媒は回分式においても実施
可能であるが効率的には樹脂塔通液方式の方が好適であ
る。
以上に述べたような脱塩若しくは脱触媒された該アダク
トヲ、200℃以上に加熱された、充填物を詰めた加熱
管に、減圧下で液相または気相で導入することによ)、
容易にクラッキングされ分解不純物の少ないアクリ;系
モノマーを得ることができる。さらに、ここで得られた
アクリル系モノマーは希望によシ、よシ高度に精製され
るため、通常蒸留塔により精留される。
(作用及び効果) 本発明においては中間工程で得られるアダクトをクラッ
キングする前に、含まれている強塩基性触媒を除去する
ので、クラッキング前にアダクトを精留しなくてもクラ
ッキングしてアクリル系モノマーを得る工程では発生す
る不純物量が著しく低減する。
したがって、この粗アクリル系モノマー金精留する際に
も精留負荷が大巾に軽減され、収率も著しく向上し、且
、高純度のアクリル系モノマーを化合物CIIの一つで
あるビシクロ〔2・2・1〕ヘゾテン−5−カルがン酸
メチル−2(ESDト略称)’!に1.52に&、ソデ
ィウムメトキサイドを2711、攪拌器及び温度計の付
いた減圧可能なる反応釜に仕込み、モルホリンLO1?
’を滴下装置を有する供給槽よシ滴下し、副生成物であ
るメタノールを留去しつつ80〜90℃、lO〜30s
IHgの減圧下に反応せしめ、化合物〔■〕のアダクト
であるビシクロ〔2・2・1〕へラテン−5−カルデン
酸モルホリ)l” (AMAD 、 7ダクトO1りt
”2.02kg得た。
この中には触媒であるソディウムメトキサイドが0.5
モル量含まれておシ、これに硫酸を加えて中和して芒硝
に変化させた。
次に、この芒硝を含むアダク)210.9に温水i(4
0℃) 200tnlt−加え、これにベンゼン40〇
−゛を注加し振盪攪拌して混合した後、暫らく放置し二
層に分離した。芒硝は水層に、アダクトはベンゼン層に
溶解され、こうして得たベンゼン層よシヘンゼ/を留去
しアダク)207.?’e得た。この時の脱芒硝率は約
99係であった。
以上のようにして芒硝を除去したアダクト20711 
f 5 mHgの減圧下で加熱して気化せしめ、450
℃に加熱したラッシヒリングを詰めた硬質ガラス製のク
ラッキング管に通した。クラッキング生成物は、まず水
冷した第1の凝縮器によって凝縮せられてアクリリルモ
ルホリド133.0II(純度美、5係)ヲ得、又、−
70℃に冷却された第2の凝縮器によってCPD 62
.79を凝集して得た。
以上のようにして得たアクリリルモルホリド133.0
IIを蒸留器に仕込み、80〜100℃、減圧下で精留
することによシ、純度99.6%のアクリリルモルホリ
ド113.411’e得た。
実施例2゜ 実施例p0→で得たビシクロ〔2・2・l〕ヘゾテン−
5−カル?ン酸モルホリド(アダクト)207g中に残
存するソディウムメトキサイド(SM)2、71 # 
0.05 mo1当量を除く目的で強酸性陽イオン交換
樹脂であるDIAION PK−228、140ml充
填した樹脂塔に連続的に供給した。この樹脂塔はジャケ
ット式でアシ、ジャケット内には約70℃の温水が循環
せられておシ、供給されるアダク)(SM’!r含む)
の方も約70℃の溶融液となっている。樹脂塔への通液
速度は165〜1.7床容積/時である。
この時イオン交換床から出て来るアメクト液中のナトリ
ウム含量は0.0025 mo1当量以下であシ、即ち
、脱触媒率としては95係以上であった。
このようにして得た脱触媒されたアダクト202.9y
t−実施例1と同様の方法でクラッキングし、第1凝縮
物としてアクリリルモルホリド133.9g(純度93
.5%)を、また第2凝縮物としてCPD63、1 N
を得た。
次いで得られたアクリリルモルホリド133.91!全
実施例1と同様に精留し、アクリリルモルホリド(純度
99.7%)を118.2.9得た。
実施例3゜ ビシクロ〔2・2・1〕へブテン−5−カルがン酸メ?
ルー 2 (ESD ) ?304.9.3−(N’、
N’−シ)Ifルアミノ)プロピルアミン302.5g
およびソディウムメトキサイド5.4 tI’に攪拌器
及び温度計の付すた減圧可能麦る反応釜に仕込み、副生
物であるメタノールを留去しつつ、常圧から30 w+
Hgに減圧しながら80〜90℃で反応せしめ、化合恢
■〕の一つである5−N−(3−遁N’−ジメチルアミ
ノプロピル)カルがキシアミド−2−ノルボルネン(D
PADと略称)387.2#を得た。
以上のようにして得fCDPAD386#’e用い実施
例2と同様な方法で、該pPAD中に残存する触媒をA
mb@rlyst A−15、320atに通液しNa
イオンを吸着せしめて除去した。この時の脱触媒率は約
96%であった。
上記の脱触媒されたDPAD 378 If ’e実施
例1と同様の方法でクラッキングし、第1凝縮物として
N −(3−N’、N’−ジメチルアミノゾロビル)ア
クリルアミド234.1F(純度90.1%)を得、ま
た第2凝縮物としてCPD107.2J’を得た。
実施例4゜ ESDを30411、モノメチルアミン68.2#及び
ソディウムハイドライド4.8.9?実施例3と同様な
方法で反応せしめ、ビシクロ〔2・2・1〕ヘゾテン−
5−N−メチル−カルボン酸アミド−2(隠りと略称)
金262.1J9得た。
このようにして得たNMAD 261.9 ′t−用い
、実施例2と同様の方法で該NMAD中に含まれるソデ
イウムハイドライド’li−DIAION 5K−11
2、140mに通液し、Naイオンを吸着せしめて除去
した。この時の脱触媒率は87係であった。
上記の脱触媒されたNMAD 257.4 II?If
例1と同様の方法でクラッキングし、第1凝縮物として
N−モノメチルアクリリルアミド(純度ss、56)1
20.61!を、また第2凝縮物としてCPo 98.
0 Fを得た。
実施例5゜ ESD 304.9 、ジメチルアミノエタノール21
5AI、及びソディウムメトキサイド5.9.9’t−
実施例3と同様な方法で反応せしめ、ビシクロ〔2・2
・l〕ヘゲテン−5−N、N−ジメチルアミノエチルカ
ルがキシレー)−2(DMADと略称)全383.21
1得た。
このようにして得たDMA0386.9 ?用い実施例
2と同様K DIAION PK−228、155mに
通液した。
この時の脱触媒率は95係でちった。
上記の脱触媒されたDMAD3781e実施例1と同様
の方法でクラッキングし、第1凝縮物としてジメチルア
ミンエチルアクリレート(純度93.2%)246&を
得、第2凝縮物としてCPD114.41を得た。
実施例6゜ ESD 30419. N−ジメチルアミン97.2 
g及びソディウムハイドライド3.Og金800−の電
磁攪拌式オートクレーブに仕込み40℃で12時間反応
せしめ、ビシクロ〔2・2・1〕ヘプテン−5−N。
N−ジメチルカルデン酸アミド−2(DMEDと略称)
t−298,8g得た。
このようにして得たDMEo 298 g ’に用い、
実施例2と同様な方法で該DMED中に含まれるンディ
ウムハイドライドをDIAION PK−228、17
5d、に通液し、NILイオンを吸着除去せしめた。こ
の時の脱触媒率は92%であった。
上記の脱触媒されたDMED 292 fl全実施例1
と同様にクラッキングし、第1凝縮物としてN−(N’
、N’−ジメチルアミノ)アクリルアミド(純度93.
6係)170.3.9を、また第2凝縮物としてCPD
 117. OIIを得た。
比較例1及び2 比較例1及び2としてそれぞれ実施例1で得たアダクト
(AMAD 、 SM −0,5mot/ 1 mob
 −AMAD t”含む)および実施例4で得たア〆り
) (NMAD 、 5H−0,5mot/ 1 mo
b −?G!AD k含む)にそれぞれ触媒相当の硫酸
を加えて中和した。
得られた中和−AMADおよび中和−NMAD ′t−
用いて、実施例1と同様にしてクラッキングを行ない、
粗アクリリルモルホリr CAM i略称)及び粗N−
モノメチルアクリリルアミドヲ(NMAと略称)得た。
このようにして得た粗層および粗NMAを実施例lと同
様にして精留を行ない臘およびNMAの製品を得た。
比較例1,2及び実施例1 p 4で得られたモノマー
の収率、純度およびガスクロマトグラフィー組成分比を
測定し下記の表にまとめて示した。
表1はり2ツキ/グによる熱分解率、モノマー収率及び
得られた粗モノマー組成を示す。
表2は前記粗モノマーを精留した時の収率と精留モノマ
ーの純度を示す。
これらの結果からも明らかなように、本発明の方法即ち
クラッキングする前に触媒を除去した後クラッキングす
る方法の場合は、従来法のように単に触媒を中和するだ
けの方法の場合に比べ、クラッキング率、クラッキング
によるモノマー収率及び得られる粗モノマーの純度が著
しく高く、更に、粗モノマーを同程度の高純度に精留し
ても高い収率を実現できることが明らかである。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 [但し、R_1は水素又はアルキル基、 R_2は水素及び1〜4個の炭素原子を含むアルキル基
    を示す。] で表わされる化合物と、一級アミン、二級アミン又はア
    ルカノールアミンとを強塩基性触媒の存在下で反応せし
    めて、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 [但し、R_1は水素又はアルキル基、 Xは▲数式、化学式、表等があります▼で表わされるジ
    アルキ ルアミノアルキルアミド、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼で 表わされるジアルキルアミノ=アルキル エステル、▲数式、化学式、表等があります▼で表わさ
    れるモノア ルキル又はジアルキルアミド、又は環状 アミンから誘導されるアミド(但し、R_5はC_1_
    〜_3のアルギン基を示し、R_4・R_5は水素、C
    _1_〜_3のアルキル基、ベンゼン環又はC_4_〜
    _6のシクロアルキル基を示す)を示す。]で表わされ
    る化合物(以下アダクトと略称)とし、次いで該アダク
    トをクラッキングし、一般式▲数式、化学式、表等があ
    ります▼〔III〕 〔但し、R_1・Xは上記に同じ〕 で表わされるアクリル系モノマーを製造する際、該アダ
    クト反応液から強塩基性触媒を系外に除去したのち、ク
    ラッキングすることを特徴とする高純度アクリル系モノ
    マーの製造方法。
  2. (2)強塩基性触媒を除去する方法が、酸により中和し
    たのち生じた中和塩を濾過するか、遠心分離するか、ま
    たは溶媒抽出するかであることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項の高純度アクリル系モノマーの製造方法。
  3. (3)強塩基性触媒を除去する方法が、強酸性陽イオン
    交換樹脂に接触せしめて吸着除去することであることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項の高純度アクリル系モ
    ノマーの製造方法。
  4. (4)アダクトの沸点が10mmHgで150℃以上で
    あることを特徴とする第1項の高純度アクリル系モノマ
    ーの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011168514A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Kohjin Co Ltd 高品位なn(n,n)−モノ(ジ)アルキルアクリルアミドの製造方法

Citations (1)

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JPS4945018A (ja) * 1972-09-08 1974-04-27

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