JPS63157476A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPS63157476A JPS63157476A JP61305708A JP30570886A JPS63157476A JP S63157476 A JPS63157476 A JP S63157476A JP 61305708 A JP61305708 A JP 61305708A JP 30570886 A JP30570886 A JP 30570886A JP S63157476 A JPS63157476 A JP S63157476A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は液晶パネルの駆動等に用いられる薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＰＴと略す）に関する。
ジスタ（以下ＴＰＴと略す）に関する。
この発明はＴＰＴの光リーク電流を低減するための遮光
膜を完全且つ簡単に作成するものである。
膜を完全且つ簡単に作成するものである。
従来、第２図のような遮光膜のないＴＰＴあるいは第１
図のような遮光膜のあるＴＰＴが知られている。遮光膜
のないＴＰＴでは光リーク電流の低減のため非晶質半導
体を約５０００程度まで薄くすることが行われてきた。
図のような遮光膜のあるＴＰＴが知られている。遮光膜
のないＴＰＴでは光リーク電流の低減のため非晶質半導
体を約５０００程度まで薄くすることが行われてきた。
この方法では光リーク電流を約１．ＯＸｌ０−９Ａ程度
までしか下げられない。
までしか下げられない。
又、従来の遮光膜のあるＴＰＴでは遮光膜をゲルマニウ
ムを主体とする非晶質絶縁膜で作成していたため、遮光
膜の作成プロセスが複雑でしかも作成に要する原料ガス
であるゲルマンやモノシラン等は人体にとって有害であ
るという欠点がある。
ムを主体とする非晶質絶縁膜で作成していたため、遮光
膜の作成プロセスが複雑でしかも作成に要する原料ガス
であるゲルマンやモノシラン等は人体にとって有害であ
るという欠点がある。
本発明は従来のこのような問題点を解決するためになさ
れたものであり、安全且つ簡単に遮光膜を形成したＴＰ
Ｔを提供することを目的とする。
れたものであり、安全且つ簡単に遮光膜を形成したＴＰ
Ｔを提供することを目的とする。
前記問題点を解決するために、本発明では遮光膜として
不透明有機膜を用いた。
不透明有機膜を用いた。
本発明のような構造を持つＴＰＴにおいては遮光膜はフ
ォトレジストのパターニングと全く同じ要領で形成され
、しかも従来の遮光膜と同程度の遮光効果を有する。
ォトレジストのパターニングと全く同じ要領で形成され
、しかも従来の遮光膜と同程度の遮光効果を有する。
第１図に本発明によるＴＰＴの断面構造図を示す、第１
図において１は絶縁性基板で石英、ガラス、セラミック
等から成る。２はゲート電極でクロム、アルミニウム、
ＩＴＯ等から成る。３はゲート絶縁膜で窒化シリコン、
酸化シリコン、弗素を含む窒化シリコン等から成る。４
は非晶質半導体膜で水素化アモルファスシリコン、水素
化微結晶シリコン、弗素を含む水素化アモルファスシリ
コン、多結晶シリコン等から成る。５はオーム接触層で
Ｎ型水素化アモルファスシリコン、Ｎ型水素化微結晶シ
リコン等から成る。６及び７はそれぞれソース電極及び
ドレイン電極でクロム、アルミニウム、ＩＴＯ等から成
る。８は遮光膜で不透明有機膜からなる。該不透明有機
膜の主成分はフォトレジストであり、不透明材料として
黒色の顔料を溶かし込んである。従って、不透明有機膜
によって遮光膜８に形成する場合は、ソース１を極６及
びドレイン電極７を形成した後、不透明有機膜をスピン
コーター等で塗布する０次にソースドレイン電極６，７
上にまたがるような形で該不透明有機膜をパターニング
する。こうして作成されたＴＰＴの電気特性図を第３図
に示す、第３図においてＸ軸はドレイン電圧＜Ｖｄ）、
Ｙ軸はドレイン電流（Ｉｄ）を示す、又、ＯＮは光を当
てた状態におけるＯＮ電２ｉｔ＜ゲート電圧は２０Ｖ）
を示し黒丸と白丸は一致したので白丸については省略し
た。
図において１は絶縁性基板で石英、ガラス、セラミック
等から成る。２はゲート電極でクロム、アルミニウム、
ＩＴＯ等から成る。３はゲート絶縁膜で窒化シリコン、
酸化シリコン、弗素を含む窒化シリコン等から成る。４
は非晶質半導体膜で水素化アモルファスシリコン、水素
化微結晶シリコン、弗素を含む水素化アモルファスシリ
コン、多結晶シリコン等から成る。５はオーム接触層で
Ｎ型水素化アモルファスシリコン、Ｎ型水素化微結晶シ
リコン等から成る。６及び７はそれぞれソース電極及び
ドレイン電極でクロム、アルミニウム、ＩＴＯ等から成
る。８は遮光膜で不透明有機膜からなる。該不透明有機
膜の主成分はフォトレジストであり、不透明材料として
黒色の顔料を溶かし込んである。従って、不透明有機膜
によって遮光膜８に形成する場合は、ソース１を極６及
びドレイン電極７を形成した後、不透明有機膜をスピン
コーター等で塗布する０次にソースドレイン電極６，７
上にまたがるような形で該不透明有機膜をパターニング
する。こうして作成されたＴＰＴの電気特性図を第３図
に示す、第３図においてＸ軸はドレイン電圧＜Ｖｄ）、
Ｙ軸はドレイン電流（Ｉｄ）を示す、又、ＯＮは光を当
てた状態におけるＯＮ電２ｉｔ＜ゲート電圧は２０Ｖ）
を示し黒丸と白丸は一致したので白丸については省略し
た。
一方、ＯＦＦは光を当てた状態におけるＯＦＦ電流（ゲ
ート電圧はＯＶ）を示し、黒丸に比べ白丸は約１桁低い
、これによって不透明有機膜はＴＰＴの遮光の役割を果
たしていることがわかる。
ート電圧はＯＶ）を示し、黒丸に比べ白丸は約１桁低い
、これによって不透明有機膜はＴＰＴの遮光の役割を果
たしていることがわかる。
以上で述べたように本発明のＴＰＴは、遮光膜８を不透
明有機膜で形成したため、遮光膜８をゲルマニウムを主
体とする非晶′Ｉｔ絶縁膜で形成したＴＰＴに比べ作り
方が簡単で、しかもゲルマン。
明有機膜で形成したため、遮光膜８をゲルマニウムを主
体とする非晶′Ｉｔ絶縁膜で形成したＴＰＴに比べ作り
方が簡単で、しかもゲルマン。
シランなどの有毒なガスを使用せずに済むという効果を
有する。
有する。
第１図は本発明のＴＰＴの断面構造図、第２図は遮光膜
のないＴＰＴの断面構造図、第３図は本発明のＴＰＴの
電気特性図である。 ８・・・遮光膜 以上 第１図 遼たｌＩ！！めない丁ＦＴめ許面１１１図第２図
のないＴＰＴの断面構造図、第３図は本発明のＴＰＴの
電気特性図である。 ８・・・遮光膜 以上 第１図 遼たｌＩ！！めない丁ＦＴめ許面１１１図第２図
Claims (1)
- 絶縁性基板と該絶縁性基板上に設けられたゲート電極
と該ゲート電極及び前記絶縁性基板上に設けられたゲー
ト絶縁膜と該ゲート絶縁上に設けられた非晶質半導体膜
と該非晶質半導体膜上に間隔をおいて、設けられたオー
ム接触層と該オーム接触層上に設けられたソース電極及
びドレイン電極と該ソース電極及び該ドレイン電極及び
前記非晶質半導体膜上に設けられた遮光膜とから成る薄
膜トランジスタにおいて遮光膜が不透明有機膜から成る
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61305708A JPS63157476A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 薄膜トランジスタ |
| US07/132,406 US4956680A (en) | 1986-12-22 | 1987-12-14 | Thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61305708A JPS63157476A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63157476A true JPS63157476A (ja) | 1988-06-30 |
Family
ID=17948403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61305708A Pending JPS63157476A (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4956680A (ja) |
| JP (1) | JPS63157476A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02118954U (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-25 | ||
| JPH02297968A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-12-10 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 平板ディスプレー用薄膜トランジスタ |
| JPH0474476A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JPH0595002A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
| US8168689B2 (en) | 2007-10-01 | 2012-05-01 | Industrial Technology Research Institute | High optical contrast pigment and colorful photosensitive composition employing the same and fabrication method thereof |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0394479A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-19 | Hitachi Ltd | 感光性を有する半導体装置 |
| US5100816A (en) * | 1990-07-20 | 1992-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a field effect transistor on the surface of a substrate |
| CA2061796C (en) * | 1991-03-28 | 2002-12-24 | Kalluri R. Sarma | High mobility integrated drivers for active matrix displays |
| US6979840B1 (en) * | 1991-09-25 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring |
| CN1244891C (zh) * | 1992-08-27 | 2006-03-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器 |
| FR2751131B1 (fr) * | 1996-07-09 | 2001-11-09 | Lg Electronics Inc | Procede de fabrication d'un dispositif d'affichage a matrice active a cristal liquide et structure du dispositif d'affichage selon ce procede |
| US6940566B1 (en) * | 1996-11-26 | 2005-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal displays including organic passivation layer contacting a portion of the semiconductor layer between source and drain regions |
| CN1148600C (zh) | 1996-11-26 | 2004-05-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管基片及其制造方法 |
| US5874745A (en) * | 1997-08-05 | 1999-02-23 | International Business Machines Corporation | Thin film transistor with carbonaceous gate dielectric |
| KR100269518B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2000-10-16 | 구본준 | 박막트랜지스터 제조방법 |
| GB0028877D0 (en) * | 2000-11-28 | 2001-01-10 | Koninkl Philips Electronics Nv | Liquid crystal displays |
| KR101293573B1 (ko) * | 2006-10-02 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| CN110137086B (zh) * | 2019-05-22 | 2020-08-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及tft基板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627114A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Liquid crystal display cell |
| JPS59195682A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-06 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3969751A (en) * | 1974-12-18 | 1976-07-13 | Rca Corporation | Light shield for a semiconductor device comprising blackened photoresist |
| JPS59204274A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-19 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ |
| EP0164083B1 (de) * | 1984-06-07 | 1991-05-02 | Hoechst Aktiengesellschaft | Positiv arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung |
| JPH0695574B2 (ja) * | 1984-12-19 | 1994-11-24 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPH0666471B2 (ja) * | 1985-04-20 | 1994-08-24 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜トランジスタ |
| JPS61280659A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Nec Corp | 密着形イメ−ジセンサ− |
| FR2590409B1 (fr) * | 1985-11-15 | 1987-12-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un transistor en couches minces a grille auto-alignee par rapport au drain et a la source de celui-ci et transistor obtenu par le procede |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP61305708A patent/JPS63157476A/ja active Pending
-
1987
- 1987-12-14 US US07/132,406 patent/US4956680A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627114A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Liquid crystal display cell |
| JPS59195682A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-06 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02297968A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-12-10 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 平板ディスプレー用薄膜トランジスタ |
| JPH02118954U (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-25 | ||
| JPH0474476A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JPH0595002A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
| US8168689B2 (en) | 2007-10-01 | 2012-05-01 | Industrial Technology Research Institute | High optical contrast pigment and colorful photosensitive composition employing the same and fabrication method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4956680A (en) | 1990-09-11 |
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