JPS59195682A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS59195682A JPS59195682A JP58070971A JP7097183A JPS59195682A JP S59195682 A JPS59195682 A JP S59195682A JP 58070971 A JP58070971 A JP 58070971A JP 7097183 A JP7097183 A JP 7097183A JP S59195682 A JPS59195682 A JP S59195682A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置に関する。
クス方式の液晶表示装置に関する。
近年、非単結晶のＳｔ、 ＣｄＳ、 ＣｄＳｅ等にょ多
構成した薄膜トランジスタ（ＴＰＴ ）を用いたアクテ
ィブマトリクス方式の液晶表示装置が注目されている。
構成した薄膜トランジスタ（ＴＰＴ ）を用いたアクテ
ィブマトリクス方式の液晶表示装置が注目されている。
この方式では、液晶を挾持する一方の基板に、例えはア
モルファスＳｉからなるＴＰＴを用いたトランジスタマ
トリクスアレイとこれによシ選択駆動される表示画素電
極を集積形成したものを用いる。このようなトランジス
タアレイハ、ガラス基板を用いて低温プロセスで形成す
ることができるため、安価に大面積の表示装置を実現す
ることができるという利点を有する。
モルファスＳｉからなるＴＰＴを用いたトランジスタマ
トリクスアレイとこれによシ選択駆動される表示画素電
極を集積形成したものを用いる。このようなトランジス
タアレイハ、ガラス基板を用いて低温プロセスで形成す
ることができるため、安価に大面積の表示装置を実現す
ることができるという利点を有する。
ところでＴＰＴは通常、高抵抗の半導体薄膜を用いるが
、これらの半導体温膜の多くは光導電効果を有するため
、光の照射にょシオフ抵抗が下がシスイツチング比が減
少する。このためトランジスタアレイを構成する各ＴＰ
Ｔを光に対してしやへいする必要があシ、一般にＴＦＴ
上に金属膜などによる光シールド膜を設けることが行わ
れる。
、これらの半導体温膜の多くは光導電効果を有するため
、光の照射にょシオフ抵抗が下がシスイツチング比が減
少する。このためトランジスタアレイを構成する各ＴＰ
Ｔを光に対してしやへいする必要があシ、一般にＴＦＴ
上に金属膜などによる光シールド膜を設けることが行わ
れる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）に従来提案されているこの種
の液晶表示装置の構造を示す。第１図（ａ）はトランジ
スタマトリクスアレイが形成はれた第１の電極基板１側
の模式的平面パターンを示し、同図（ｂ）は全体構成の
Ａ −Ａ’位置での断面構造を示している。第１の電極
基板ｌは、ガラス基板１１上に、ダート電極１２、ダー
ト絶縁膜１３、アモルファスＳｉ層・１４、ソースｔ
ａ １５ ｔおよヒトレイン電極１５２からなるＴＦＴ
アレイとその各ドレイン電極１５２に接続される表示画
素電極１６とを集積形成したものである。この第１の霜
、極基板１の表面には例えは全面を８１０２膜１７でお
おった後、ポリイミド膜１８１，１８２にょる保護ｇ
オｊ Ｕ Ａｔ等の金属膜による光シールドＭ１９を設
けている。ポリイミドＨｉｓ、、ＩＢ２は表示画素電極
１６部に窓を有し、光シールド膜１９は各ＴＰＴのチャ
ネル領域上をおおうようにパターニングされている。
の液晶表示装置の構造を示す。第１図（ａ）はトランジ
スタマトリクスアレイが形成はれた第１の電極基板１側
の模式的平面パターンを示し、同図（ｂ）は全体構成の
Ａ −Ａ’位置での断面構造を示している。第１の電極
基板ｌは、ガラス基板１１上に、ダート電極１２、ダー
ト絶縁膜１３、アモルファスＳｉ層・１４、ソースｔ
ａ １５ ｔおよヒトレイン電極１５２からなるＴＦＴ
アレイとその各ドレイン電極１５２に接続される表示画
素電極１６とを集積形成したものである。この第１の霜
、極基板１の表面には例えは全面を８１０２膜１７でお
おった後、ポリイミド膜１８１，１８２にょる保護ｇ
オｊ Ｕ Ａｔ等の金属膜による光シールドＭ１９を設
けている。ポリイミドＨｉｓ、、ＩＢ２は表示画素電極
１６部に窓を有し、光シールド膜１９は各ＴＰＴのチャ
ネル領域上をおおうようにパターニングされている。
この第１の電極基板ｌと対向する第２の電極基板２は、
ガラス基板２ノの全面に透明導電膜からなる対向電極２
２を形成したものであり、これら第１、第２の電極基板
１．２間に液晶３を挾持Ｌ７ている。
ガラス基板２ノの全面に透明導電膜からなる対向電極２
２を形成したものであり、これら第１、第２の電極基板
１．２間に液晶３を挾持Ｌ７ている。
このような従来の構造では、第１の型砂基板１が多数の
マスクを用いた写真蝕刻技術を繰返してパターン形成さ
れる。従って大面積の表示装置を得ようとする揚台、多
くの写真蝕刻工程でゴミの付着等により画素欠陥を生ず
る確率が大きい。このため歩留逆向上を図る／ヒめにね
１、写真蝕刻工程をできる限多少なくすることが１要で
ある。
マスクを用いた写真蝕刻技術を繰返してパターン形成さ
れる。従って大面積の表示装置を得ようとする揚台、多
くの写真蝕刻工程でゴミの付着等により画素欠陥を生ず
る確率が大きい。このため歩留逆向上を図る／ヒめにね
１、写真蝕刻工程をできる限多少なくすることが１要で
ある。
また第１図の構造では、元シールド膜１９がＴＰＴのチ
ャネル領域上のみをおおっているため、光シールド効果
が十分でなく漏れ光による影響が大きい。
ャネル領域上のみをおおっているため、光シールド効果
が十分でなく漏れ光による影響が大きい。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、写真蝕刻工程
数を減らして歩留逆向上を図シ、かつ光シールド効果を
十分なものとした、ＴＰＴを用いたアクティブマトリク
ス方式の液晶表示装置を提供することを目的とする。
数を減らして歩留逆向上を図シ、かつ光シールド効果を
十分なものとした、ＴＰＴを用いたアクティブマトリク
ス方式の液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、ＴＰＴを用いたトランジスタマトリクスアレ
イを構成する第１の電極基板側のトランジスタマトリク
スアレイをおおう保護膜と光シールド膜の積層膜を、表
示画素電極部に窓をもつ同一ノ４ターンに形成したこと
を特徴とする。
イを構成する第１の電極基板側のトランジスタマトリク
スアレイをおおう保護膜と光シールド膜の積層膜を、表
示画素電極部に窓をもつ同一ノ４ターンに形成したこと
を特徴とする。
本発明によれは、トランジスタマトリクスアレイをおお
う保護膜と光７−ルド膜に対してそｈ−’ｆ：’れ別個
の写真蝕刻工程を必要とせず、これらのｓ）＠膜を一つ
のマスクを用いてエッテンダ条件を異ならせるだけで連
続的にパターニングすることができる。従って写真蝕刻
工程数が従来よシ少なくて済み、アクティブマトリクス
型液晶表示装置の歩留逆向上が図られる。
う保護膜と光７−ルド膜に対してそｈ−’ｆ：’れ別個
の写真蝕刻工程を必要とせず、これらのｓ）＠膜を一つ
のマスクを用いてエッテンダ条件を異ならせるだけで連
続的にパターニングすることができる。従って写真蝕刻
工程数が従来よシ少なくて済み、アクティブマトリクス
型液晶表示装置の歩留逆向上が図られる。
また本発明では光シールド膜がＴＰＴのチャネル領域の
みならず、表示画素電極部を除いてトランジスタマトリ
クスアレイの全面をおおうため、漏れ光の影響が殆んど
なく、コントラストの良い優れた表示特性を得ることが
できる。
みならず、表示画素電極部を除いてトランジスタマトリ
クスアレイの全面をおおうため、漏れ光の影響が殆んど
なく、コントラストの良い優れた表示特性を得ることが
できる。
本発明の一実施例の液晶表示装置につき第１図（ｂ）に
対応する断面構造を第２図に示す。第１図と対応する部
分には第１図と同一符号を付しである。従来構造と異な
る点は、第１の電極基板１上の保護膜であるポリイミド
膜１８１．１Ｅ１２と光シールド膜１ね；ｌ）： 、表
示画素％極１６上に窓を有する同一ノぐター／に形成し
であることである。具体的な製造工程を説明すれは次の
とおシである。
対応する断面構造を第２図に示す。第１図と対応する部
分には第１図と同一符号を付しである。従来構造と異な
る点は、第１の電極基板１上の保護膜であるポリイミド
膜１８１．１Ｅ１２と光シールド膜１ね；ｌ）： 、表
示画素％極１６上に窓を有する同一ノぐター／に形成し
であることである。具体的な製造工程を説明すれは次の
とおシである。
まず、第１の電極基板１は、透明ガラス基鈑（コーニン
グ社７０５９）１１上にＡｔ膜を約１０００Ｘ蒸着し、
写真蝕刻技術によフグート電極１２を形成する。次にＳ
ｉＯ２をスパッタによシ約３０００Ｘ堆積してダート
絶縁膜１３を形成し、この上に約２０００１のＩＴＯ膜
を蒸着して写真蝕刻技術によシ表示画素電極１６を形成
する。次いで５ｉＩ（４のグロー放電分解により約４０
００Ｘの高抵抗の７モル７アスＳｔ層１４を形成し、こ
れを写真蝕刻技術によｐ ）Ｊ？ターンニングする。こ
の後、ＡｔＪｌｉを約１μｍ蒸着し、パターニングして
ソース電極１５１、ドレイン電極１５２を形成する。
グ社７０５９）１１上にＡｔ膜を約１０００Ｘ蒸着し、
写真蝕刻技術によフグート電極１２を形成する。次にＳ
ｉＯ２をスパッタによシ約３０００Ｘ堆積してダート
絶縁膜１３を形成し、この上に約２０００１のＩＴＯ膜
を蒸着して写真蝕刻技術によシ表示画素電極１６を形成
する。次いで５ｉＩ（４のグロー放電分解により約４０
００Ｘの高抵抗の７モル７アスＳｔ層１４を形成し、こ
れを写真蝕刻技術によｐ ）Ｊ？ターンニングする。こ
の後、ＡｔＪｌｉを約１μｍ蒸着し、パターニングして
ソース電極１５１、ドレイン電極１５２を形成する。
こうしてＴＰＴによるマトリクスアレイを形成した後、
全面に約１０００ＸのＳ ｔ Ｏ２膜１７をスパッタに
より堆積し、この上に約１μｍのポリイミド膜（東しト
リニース）１８１をスピンコードシて１００℃で１時間
、続いて２００〜３００’Ｃで１時間の熱処理を行う。
全面に約１０００ＸのＳ ｔ Ｏ２膜１７をスパッタに
より堆積し、この上に約１μｍのポリイミド膜（東しト
リニース）１８１をスピンコードシて１００℃で１時間
、続いて２００〜３００’Ｃで１時間の熱処理を行う。
次に光シールドＭ１９＾となるＭｏ膜をスパッタで約２
０００Ｘ堆積した後、再びこの上に約０５μｍのポリイ
ミド膜１８２をスピンコードして先の場合と同様の温度
７’ｏセスで熱処理する。そして表示画素電極１６上に
窓ヲモつレジストマスクを形成して、ヒドラジンにより
ポリイミド膜１８２を選択エツチングし、次いでリン酸
系エッチャントにょシＭｏ膜を選択エツチングし、再び
ヒドラジンでポリイミド膜１８１を選択エツチングする
。これによシ、保護膜としてのポリイミド膜１８１ｒ１
”２と光シールド膜１９久の種層膜が同一パターンでト
ランジスタマトリクスアレイをおおう構造が得られる。
０００Ｘ堆積した後、再びこの上に約０５μｍのポリイ
ミド膜１８２をスピンコードして先の場合と同様の温度
７’ｏセスで熱処理する。そして表示画素電極１６上に
窓ヲモつレジストマスクを形成して、ヒドラジンにより
ポリイミド膜１８２を選択エツチングし、次いでリン酸
系エッチャントにょシＭｏ膜を選択エツチングし、再び
ヒドラジンでポリイミド膜１８１を選択エツチングする
。これによシ、保護膜としてのポリイミド膜１８１ｒ１
”２と光シールド膜１９久の種層膜が同一パターンでト
ランジスタマトリクスアレイをおおう構造が得られる。
そしてこの第１の電極基板１に対して、ガラス基板２１
にＩＴＯ膜による対向電極２２を形成した抛２の電極基
板２を対向させて接着し、液晶３を注入して液晶表示装
置が完成する。
にＩＴＯ膜による対向電極２２を形成した抛２の電極基
板２を対向させて接着し、液晶３を注入して液晶表示装
置が完成する。
この実施例によれは、トランジスタマトリクスアレイの
保護膜と光シールド膜を同一パターンに形成することに
より、写真蝕刻工程を減らすことができ、液晶表示装置
の歩留り向上、従ってコスト低減が図られる。また漏れ
光によるＴＰＴへの影響が殆んどなくなシ、コントラス
トが改善される。
保護膜と光シールド膜を同一パターンに形成することに
より、写真蝕刻工程を減らすことができ、液晶表示装置
の歩留り向上、従ってコスト低減が図られる。また漏れ
光によるＴＰＴへの影響が殆んどなくなシ、コントラス
トが改善される。
上記実施例では保護膜としてポリイミドを用いたが、ポ
リビニルアルコールやシリコーン々と他の有機絶縁膜を
用いることができ、丑たＳｔ、２．５ｔ３Ｎ４等の無機
絶縁膜を用いることもできる。また光シールド膜として
ＭＯの他、Ａｕ ｇ Ａｔ ｒＰｄなど他の部材とのエ
ツチング速度比を考慮して種々の金属膜を用いることか
できる。更に、ポリイミド等の有機絶縁膜中にカーボン
、金属酸化物、金属窒化物等の粉末を分散させて光シー
ルド膜として用いることも可能である。その場合の構造
例を第３図に示す。図の光シールド膜１９ｂがカーボン
粉末を分散配合したポリイミド膜である。このような光
シールド効果を付与した有機絶縁膜を用いれば、一層だ
けで保護膜と光シールド膜を兼用させることもできる。
リビニルアルコールやシリコーン々と他の有機絶縁膜を
用いることができ、丑たＳｔ、２．５ｔ３Ｎ４等の無機
絶縁膜を用いることもできる。また光シールド膜として
ＭＯの他、Ａｕ ｇ Ａｔ ｒＰｄなど他の部材とのエ
ツチング速度比を考慮して種々の金属膜を用いることか
できる。更に、ポリイミド等の有機絶縁膜中にカーボン
、金属酸化物、金属窒化物等の粉末を分散させて光シー
ルド膜として用いることも可能である。その場合の構造
例を第３図に示す。図の光シールド膜１９ｂがカーボン
粉末を分散配合したポリイミド膜である。このような光
シールド効果を付与した有機絶縁膜を用いれば、一層だ
けで保護膜と光シールド膜を兼用させることもできる。
その場合の構造例を第４図に示す。図においてポリイミ
ド膜１９ｃはｋ１２０３．ＢＮ、５ｔ３Ｎ４゜Ｓ ｉ
Ｏ２等の絶縁物粉末を配合して絶縁性を十分なものにす
ると同時に、光シールド効果を持たせたものである。第
３図に於いて若干低抵抗になっても構わなければカーボ
ンのみを分散させたポリイミド膜も使用し得る。
ド膜１９ｃはｋ１２０３．ＢＮ、５ｔ３Ｎ４゜Ｓ ｉ
Ｏ２等の絶縁物粉末を配合して絶縁性を十分なものにす
ると同時に、光シールド効果を持たせたものである。第
３図に於いて若干低抵抗になっても構わなければカーボ
ンのみを分散させたポリイミド膜も使用し得る。
また上記実ｌｊＯ，ｉ例では１゛ＦＴ′ＩＡ−相として
アモルファスＳｔを用いたが、多結晶Ｓｔでもよいし、
その他のＩＦ単結晶半導体材料ＣｄＳ ＋ ＣｄＳｅな
どを用いることができる。
アモルファスＳｔを用いたが、多結晶Ｓｔでもよいし、
その他のＩＦ単結晶半導体材料ＣｄＳ ＋ ＣｄＳｅな
どを用いることができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は従来の液晶表示装置の構造
を示す図、第２図は本発明の一実施例の液晶表示装置の
構造を示１′図、第３図および第４図は他の実施例の液
晶表示装置の構迄全示す図である。 １・・・第１の電極基板、２・・・第２の電極基板、３
・・・液晶、１８１，１８２・・ポリイミド膜（保護膜
）、１９ａ・・・光シールド膜（Ｍｏ膜）、１９ｂ・・
・光シールド膜（カーポン粉未配合ｉ（５リイミド膜）
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第３図 第４図
を示す図、第２図は本発明の一実施例の液晶表示装置の
構造を示１′図、第３図および第４図は他の実施例の液
晶表示装置の構迄全示す図である。 １・・・第１の電極基板、２・・・第２の電極基板、３
・・・液晶、１８１，１８２・・ポリイミド膜（保護膜
）、１９ａ・・・光シールド膜（Ｍｏ膜）、１９ｂ・・
・光シールド膜（カーポン粉未配合ｉ（５リイミド膜）
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第３図 第４図
Claims (3)
- （１） 薄膜トランジスタからなるトランジスタマト
リクスアレイとこれにより選択駆動される表示画素電板
が集積形成された第１の電極基板と、この第１の電極基
板に対向する対向電極が形成された第２の電極基板と、
これら第１１第２の電極基板間に保持される液晶とから
構成される液晶表示装置において、前記第１の電極基板
上のトランジスタマトリクスアレイをおおう保護膜と光
シールド膜の積層膜が前記表示画素電極部に窓を設けた
同−ｉＲターンに形成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - （２） 前記保護膜が有機絶縁膜である特許請求の範
囲第１項記載の液晶表示装置。 - （３）前記光シールド膜が金属膜である特許請求の範囲
第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070971A JPS59195682A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58070971A JPS59195682A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195682A true JPS59195682A (ja) | 1984-11-06 |
Family
ID=13446913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070971A Pending JPS59195682A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195682A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62100737A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPS63157476A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPH02297968A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-12-10 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 平板ディスプレー用薄膜トランジスタ |
| JPH0474476A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JPH04119331A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法 |
| WO1999028784A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Afficheur du type a reflexion et dispositif d'image utilisant cet afficheur |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP58070971A patent/JPS59195682A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62100737A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
| JPS63157476A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JPH02297968A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-12-10 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 平板ディスプレー用薄膜トランジスタ |
| JPH0474476A (ja) * | 1990-07-17 | 1992-03-09 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JPH04119331A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-20 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法 |
| WO1999028784A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Afficheur du type a reflexion et dispositif d'image utilisant cet afficheur |
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