JPS63150928A - Ic基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法 - Google Patents

Ic基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法

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JPS63150928A
JPS63150928A JP29700186A JP29700186A JPS63150928A JP S63150928 A JPS63150928 A JP S63150928A JP 29700186 A JP29700186 A JP 29700186A JP 29700186 A JP29700186 A JP 29700186A JP S63150928 A JPS63150928 A JP S63150928A
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JP
Japan
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belt
resin material
ceramic substrate
resin
transfer belt
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JP29700186A
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Masaaki Oishi
大石 雅章
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Koito Manufacturing Co Ltd
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Koito Manufacturing Co Ltd
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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ハイブリッドIC基板の保護及び耐湯を図る
目的で被設する。樹脂皮膜の被着技術に係るIC基板の
樹脂皮膜拭き取り仕上工法に関するものである。
〔従来の技術〕
ハイブリッドICは、セラミック基板に搭載した部品及
び回路を衝撃及び接触から保護し、回路の耐温度性能を
向上する目的で、部品51を搭載したセラミック基板5
0を、エポキシ系樹脂と充填剤とシリカを主成分とし、
更にメチル・エチル・ケトンから成る混合溶剤で稀釈し
た樹脂材52の中に浸漬したものを引き上げて皮膜53
を被設する方法が採られている。
しかし、上記方法では一般にセラミック基板50をハン
ガー54に懸吊して浸漬を行っているため、セラミック
基板50の下側に過剰な樹脂材52が付着し、従来では
この過剰に付着した樹脂材52を拭き採る方法として、
第6図(a)に示すように、不織布55にその下端を当
接後退するもの、また(blに示すように該不織布55
をその下端に密接して横方向に引くもの、或は(C)に
示すように該不織布55をその下端に密接して縦方向に
引くものがある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記従来の過剰樹脂材52の拭き取り方法では
L (alの場合は不織布55に樹脂材52の樹脂分の
みが吸収され、フィラー56が基板50側に残ってしま
うため、仕上面がザラザラに成ってしまうという問題を
有していた。また(b)の場合は、端子用脚を利用して
ハンガー54に懸吊支持したセラミック基板50が横方
向からの加重によって傾倒し、該端子が曲がってしまう
と共に、引き方向と逆の基板上縁部に該樹脂材52の盛
り上がり部57が生じ、且つ該盛り上がり部57に不織
布55の糸屑が付着することもあるものであった。然る
に縦方向に引いた場合では、端子の曲がり問題を解消す
ることはできるが、fc)に示すように引き方向と逆の
基板端縁部後方に該樹脂材52の詫状突起58が生じる
と共に、不織布55がセラミック基板50のエツジによ
って切断されるという問題を有していた。
更に、上記(b)及び(C1の従来の方法では、不織布
55を使い捨てのテープ状に構成しているが、1個のI
C基板に対して略60nを要し、ランニングコストが高
騰するという問題をも有するものであった。
本発明は、上記の問題に鑑みて創案されたもので、IC
基板の樹脂皮膜作成において、操作が簡単であると共に
、ランニングコストの低減が図れ、且つ仕上り状態が良
好な、IC基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法を提唱する
ことを目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係るIC基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法は、
部品を搭載したセラミック基板を、エポキシ系樹脂と充
填剤とシリカを主成分とし、更にメチル・エチル・ケト
ン等から成る混合溶剤で稀釈した樹脂材の中に浸漬した
ものを引き上げて皮膜を被設する樹脂皮膜の浸漬被着工
程において、1個又は複数個ハンガーに懸吊した上記セ
ラミック基板を樹脂材に浸漬引き上げ後、下面に敷板を
敷設したシリコンベルト又はテフロンベルト等の転写ベ
ルトに対して1回又は複数回、セラミック基板の下端面
を降下押接し、未乾燥状態の過剰付着樹脂材を転写除去
することを要旨とするものであり、上記転写ベルトは、
該ベルトの下方に位置する容器に充填した樹脂溶剤中を
経由する無端ベルトによって構成されており、前記セラ
ミック基板の降下押接運動と対応してその後退時に一方
向に間歇回転駆動せしめ、樹脂溶剤通過中に転写付着し
た樹脂剤を洗浄するものである。
また、上記転写ベルトがシリコンベルトの場合は、その
硬度が40度以上であることが望ましく、テフロンベル
トの場合は、その肉厚が0.31以下であることが望ま
しい。
更に、上記転写ベルトへの転写タイミングがセラミック
基板引き上げ後、30秒乃至60秒の間であり、樹脂材
が未乾燥時であることが必要である。
〔作用〕
上記IC基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法では、ハンガ
ーに懸吊したセラミック基板を転写ベルト面に対して垂
直降下せしめ、その下端部を接面して過剰付着樹脂材を
ベルト面に転写するものであるため、樹脂材を平均に転
写除去するように成り、皮膜の偏り等を生ずることがな
いばかりでなく、セラミ・ツク基板が面方向に押圧され
ることがないため、端子を利用して懸吊した吊部が曲成
するようなこともない。更に、上記転写ベルトが無端ベ
ルトに成り、繰返し連続して使用することができるため
、ランニングコストの低減を図ることができる。
〔実施例〕
以下、本発明に係るIC基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工
法を第1図乃至第4図に示す一実施例に従って説明する
1は、ローラ2.3間に上面が水平になるように懸架し
、且つ下方懸架部をテンションローラ4゜5を介し、更
に1個の浸漬ローラ6を経由して成る無端状の転写ベル
トであり、該転写ベルト1は硬度が40度以上であるシ
リコンベルト、或は肉厚が0.3mm以下であるテフロ
ンベルトによって構成されると共に、上記ローラ2と間
歇駆動モータ7間をベルト8を介して連結し、一方向に
間歇回転駆動するように構成する。
上記浸漬ローラ6は、溶液溜9に収容した樹脂溶剤a中
に浸漬してあ灯、摺擦部材10.10によって樹脂溶剤
aに浸漬した転写ベルト1の表面を摺擦すると共に、浸
漬後、乾燥用ファン11によって適宜温度の熱風を該転
写ベルト1に吹き付け、強制乾燥せしめる。また12は
、ローラ2゜3間に懸架した転写ベルト1の下面に敷設
した敷板であり、上方から降下するセラミック基板20
の当接を、上記転写ベルト1を介して受圧する構成に成
っている。
このセラミック基板20は、部品21を搭載した後、ハ
ンガー13の挟持構造14に端子22を挟持して懸吊す
ると共に、エポキシ系樹脂と充填側とシリカを主成分と
し、更にメチル・エチル・ケトンから成る混合溶剤で稀
釈した樹脂材(図示せず)の中に浸漬したものを引き上
げて、表面にセラミック基板に搭載した部品及び回路を
衝撃及び接触から保護し、回路の耐温度性能を向上する
皮膜を被設するもので、該ハンガー13はセラミック基
板20を樹脂材から引き上げた後、30秒乃至60秒の
樹脂材す未硬化時間内に前記転写ベルト1の上面に降下
せしめ、セラミック基板20の下端部を当接して過剰付
着した樹脂材すを該転写ベルト1に転写除去する。この
転写除去は、ハンガー13を数回昇降させると共に、ハ
ンガー13の上昇時に間歇駆動モータ7を駆動して転写
ベルト1を移動せしめながら転写するものであり、該転
写ベルト1に付着した過剰樹脂材すの残滓は、溶液溜9
に収容した樹脂溶剤a中に移動浸漬して溶解除去すると
共に、摺擦部材10.10によって完全に摺擦除去され
る。こうして洗浄された転写ベルト1は、乾燥用ファン
11によって適宜温度の熱風を吹き付けられ、強制乾燥
された状態で敷板12上に移動し、繰返し転写作用を成
す。
尚、前記転写ベルト1としてテフロンベルトを使用する
場合は、第5図に示すように敷板12に代えて適宜弾性
を有するクッション材15を敷設し、転写性能を向上せ
しめることが望ましい。
上記転写作用によってセラミック基板2oに付着した過
剰樹脂材すは完全に除去され、略均−に樹脂皮膜を施し
たIC部品を得ることができる。
〔発明の効果〕
本発明に係るIC基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法は、
以上のように構成したから、上記方法によって部品を搭
載したセラミック基板に樹脂材を被設しているため、I
C基板の樹脂皮膜作成において、操作が簡単であると共
に、ランニングコストの低減が図れ、且つ仕上り状態が
良好なる優れた特徴を有するものであり、本発明の実施
による効果は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るIC基板の樹脂皮膜拭き取り仕上
工法に係る一実施例を示す装置全体の略図、第2図はハ
ンガーに懸吊した状態を示す要部拡大断面図、第3図は
ハンガーを降下した状態の正面図、第4図はハンガーを
上昇した状態の正面図、第5図はテフロンベルト使用時
の実施例を示す要部正面図、第611(al、 fb)
、 (clはそれぞれ従来の過剰に付着した樹脂材を拭
き取る方法を示す説明図である。 1・・・転写ベルト    2.3・・・ローラ4.5
・・・テンションローラ 6・・・浸漬ローラ7・・・
間歇駆動モータ    9・・・溶液溜11・・・乾燥
用ファン′    12・・・敷板13・・・ハンガー
       15・・・クッション材20・・・セラ
ミック基板   21・・・部品22・・・端子   
      a・・・樹脂溶剤b・・・過剰樹脂材

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)部品を搭載したセラミック基板を、エポキシ系樹
    脂と充填剤とシリカを主成分とし、更にメチル・エチル
    ・ケトン等から成る混合溶剤で稀釈した樹脂材の中に浸
    漬したものを引き上げて皮膜を被設する樹脂皮膜の浸漬
    被着工程において、1個又は複数個ハンガーに懸吊した
    上記セラミック基板を樹脂材に浸漬引き上げ後、下面に
    敷板を敷設したシリコンベルト又はテフロンベルト等の
    転写ベルトに対して1回又は複数回、セラミック基板の
    下端面を降下押接し、未乾燥状態の過剰付着樹脂材を転
    写除去することを特徴とするIC基板の樹脂皮膜拭き取
    り仕上工法。
  2. (2)前記転写ベルトが該ベルトの下方に位置する容器
    に充填した樹脂溶剤中を経由する無端ベルトによって構
    成されており、前記セラミック基板の降下押接運動と対
    応してその後退時に間歇回転駆動せしめ、樹脂溶剤通過
    中に転写付着した樹脂剤を洗浄することを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載のIC基板の樹脂皮膜拭き取り
    仕上工法。
  3. (3)前記シリコンベルトの硬度が40度以上であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項及び第2項記載の
    IC基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法。
  4. (4)前記テフロンベルトの肉厚が0.3mm以下であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項及び第2項記
    載のIC基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法。
  5. (5)前記転写ベルトへの転写タイミングがセラミック
    基板引き上げ後、30秒乃至60秒の間であることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4項記載のIC基
    板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法。
JP61297001A 1986-12-13 1986-12-13 Ic基板の樹脂皮膜拭き取り仕上工法 Expired - Lifetime JPH0669051B2 (ja)

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JPH0669051B2 JPH0669051B2 (ja) 1994-08-31

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009033716A (ja) * 2007-04-26 2009-02-12 Bouygues Telecom 窓ガラス一体型透明アンテナを備えたリピータシステム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5831080U (ja) * 1981-08-20 1983-03-01 株式会社スリ−ボンド 自動連続塗布装置における物品の底拭装置
JPS60227862A (ja) * 1984-04-26 1985-11-13 Hitachi Condenser Co Ltd 樹脂外装形成装置

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