JPS623520A - 遅延回路 - Google Patents

遅延回路

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JPS623520A
JPS623520A JP60143794A JP14379485A JPS623520A JP S623520 A JPS623520 A JP S623520A JP 60143794 A JP60143794 A JP 60143794A JP 14379485 A JP14379485 A JP 14379485A JP S623520 A JPS623520 A JP S623520A
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JP
Japan
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transistor
conduction type
base
collector
emitter
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JP60143794A
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Hitoshi Ishikawa
仁 石川
Kenji Kano
賢次 加納
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、遅延回路に関するもので、特に低電圧動作
が可能な遅延回路に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来の遅延回路を示し、図において、rl、I
2は定電流源、Qllはスイッチング用トランジスタ、
C12,C13は遅延用カレントミラー回路、CMを構
成するカレントミラートランジスタ、C1は遅延用容量
である。
なおIN、OUTは人、出力端子、Vccは電源(第1
の基準電位)端子、GNDは接地(第2の基準電位)端
子である。
次に動作について説明する。トランジスタQ12、C1
3のエミッタ面積は適当な面積比に設定されており、そ
の面積比をA(≧1)とすると、A=Q13のエミッタ
面積/ C12のエミッタ面積   ・・・(1)である。
今、入力INにハイレベルが印加されると、トランジス
タQllがオンされ、これによりトランジスタQ12.
Q13がオンされるために出力端子OUT電圧V OU
Tはロウレベルとなる。
次に入力INがロウレベルになると、トランジスタQl
lがオフされるので、定電流源■2からの電流のみが容
量C1を介してトランジスタQ12に流れるとともに、
トランジスタQ13にも流れる。ここでトランジスタQ
12のエミッタ電流をIgG1、トランジスタQt3の
エミッタ電流をIgG3とすると、トランジスタQ12
.Q13はカレントミラー回路CMを構成しているため
に、IgG3 / I EQ2 #A      ・・
・(2)へる。その結果、容量C1は電流I2/(A+
1)で充電され、出力端子電圧V OUTは、遅延時間
をtDとすると、 となり、遅延時間tDは となる。そのため、容量C1は見掛は上01・(A +
 1 )なる容量と等価となり、Aを大きくすることに
より、小さな容量であるにもかかわらず、大きな遅延時
間を発生させることができる。
第3図(al、 (blはこの遅延回路の入出力特性を
示したものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の遅延回路は以上のように構成されているので、入
力がロウレベルの時、第2図中のA点を高入力インピー
ダンスにするために、トランジスタQllが必要となる
。このトランジスタQllをオンさせるために入力のハ
イレベルとして、2倍のペースエミッタ間電圧VBE 
(xO,7v)以上、即ち約1.4V以上の電圧が必要
となり、低電圧動作が困難であるなどの問題点があった
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、簡単な構成により、低電圧動作が可能な遅
延回路を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る遅延回路は、遅延用カレントミラー回路
を構成する第2導電型の第2、第3のトランジスタのう
ちの第2のトランジスタと並列に第2導電型の第1のト
ランジスタを設け、該第1゜第2のトランジスタの共通
コレクタを第1導電型のスイッチング用トランジスタの
ベースに接続し、該スイッチング用トランジスタを介し
て入力信号を上記第2.第3のトランジスタのベースに
印加するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、入力信号に応じて第2導電型の第
1のトランジスタがオンあるいはオフされ、該第1のト
ランジスタにより第1導電型のスイッチング用トランジ
スタのオン、オフが制御されるから、第1のトランジス
タのベース・エミッタ間電圧以上の低入力電圧で回路が
動作する。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による遅延回路を示し、図に
おいて、II、12は第1.第2の定電流源、R1はレ
ベルシフト用抵抗、Qlは第1導電型のスイッチング用
トランジスタ、C2は第2導電型の放電用トランジスタ
(第1のトランジスタ)C3,C4はカレントミラー回
路CMを構成している第2導電型の第2.第3のトラン
ジスタ、C1は遅延容量である。
なおIN、  OUTは人、出力端子、Vccは電源(
第1の基準電位)端子、GNDは接地(第2の基準電位
)端子である。
次に動作において説明する。
第1図の回路において、入力INにハイレベルが印加さ
れるとトランジスタQ2がオンし、そのため該トランジ
スタQ2のコレクタ電位が下がり、VBEQI  ≧ 
 VCEQ2         −(5)VBEQI 
: ) −y 7ジスタQl(7)ベース・エミッタ電
圧 VCEQ2:l−ランジスタQ2の コレクタ・エミッタ電圧 になると、トランジスタQ1がオンし、このトランジス
タQ1のコレクタ電流によりトランジスタQ3.Q4が
オンする。
次に入力がロウレベルになると、トランジスタQl、Q
2がオフし、トランジスタQ1がオフすることにより、
第1図中のA点がハイインピーダンスとなり、電流■2
が容量C1に流れ、トランジスタQ3.Q4によるカレ
ントミラー回路CMが動作する。ここでトランジスタQ
3とC4のエミツタ面積比をB(≧1)とすると、 B−C3のエミッタ面積/ C4のエミッタ面積  ・・・(6) であり、従ってトランジスタQ3のエミッタ電流IEQ
3とトランジスタQ4のエミッタ電流111!Q4との
比は、 B = IgG1 / IgG4          
    ・・・(7)となる。
その結果、容量C1はI2/(B+1)で充電され出力
端子電圧V OUTは遅延時間をtDとすると、 となる。このため、容量C1は見掛は上01 ・ (B
+1)なる容量と等価となり、Bを大きくすることで、
小さな容量で大きな遅延時間を得ることができる。
ここで、H”時の入力レベルVINFIは、VINH≧
VBEQ 4 +VCEQ 1 zo、7 V  −α
〔VBHQ 4 : トランジスタQ4のベース・エミ
ッタ電圧 VCEQ 1: トランジスタQ1の コレクタ・エミッタ電圧 となり、約0.7■以上の低電圧で遅延回路が制御でき
る。なお、抵抗R1は入力が“H”の時、該抵抗R1に
より電圧降下が100 m V程度になるようにその抵
抗値を調整しておく。こうすることにより、入力のH”
レベルVINHは VINH−VBEQ 2 +VR1wo、T V−(L
l)VBEQ 2 : トランジスタQ2のベース・エ
ミッタ電圧 VJ :抵抗R1による電圧降下 となり、入力信号のハイレベルが従来のものの約半分で
済み、低電圧動作が可能となる。なおトランジスタQ1
のコレクタ・エミッタ電圧VCEQ 1は VCEQ 1−0.7  V −VBEQ 4 zo、
I  V・(12)VBBQ 4 : )ランジスクQ
4のベース・エミッタ電圧 となる。つまり、抵抗R1はその電圧降下により確実に
トランジスタQ1がオンできるようにするためのレベル
シフト抵抗として機能するものである。
なお、上記実施例ではディスクリート回路の場合につい
て説明したが、集積回路内に構成される場合であっても
良く、上記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る遅延回路によれば、入力
信号をスイッチングトランジスタのコレクタ・エミッタ
間を介して伝達し、該スイッチングトランジスタの制御
を第2導電型の第1のトランジスタで行なうようにした
ので、簡単な回路構成で低電圧動作が可能となる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による遅延回路を示す図、
第2図は従来の遅延回路を示す図、第3図は第2図の回
路の人、出力特性を示す図である。 図において、Qlは第1導電型のトランジスタ、C2,
C3,C4は第2導電型の第1.第2.第3のトランジ
スタ、11.12は第1.第2の定電流源、R1はレベ
ルシフト用抵抗、C1は遅延容量、Vccは電源端子(
第1の基準電位)、GNDは接地端子(第2の基準電位
)である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入力端子には第1の定電流源及び第1導電型のト
    ランジスタのエミッタ、抵抗が接続され、該抵抗の他端
    は第2導電型の第1のトランジスタのベースに接続され
    、 該第1のトランジスタのコレクタはこれと同極性の第2
    のトランジスタのコレクタに接続されるとともに前記第
    1導電型のトランジスタのベース及び第2の定電流源、
    コンデンサに接続され、該コンデンサの他端は前記第1
    導電型のトランジスタのコレクタ及び前記第2のトラン
    ジスタのベースに接続されるとともに前記第1、第2の
    トランジスタと同極性の第3のトランジスタのコレクタ
    とベースに接続され、 第1の基準電位には前記第1、第2の定電流源の他端が
    接続され、 第2の基準電位には前記第1ないし第3のトランジスタ
    のエミッタが接続され、 前記第1導電型のトランジスタのベースには出力端子が
    接続されてなることを特徴とする遅延回路。
JP60143794A 1985-06-28 1985-06-28 遅延回路 Granted JPS623520A (ja)

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JP60143794A JPS623520A (ja) 1985-06-28 1985-06-28 遅延回路

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JP60143794A JPS623520A (ja) 1985-06-28 1985-06-28 遅延回路

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JPS623520A true JPS623520A (ja) 1987-01-09
JPH0347775B2 JPH0347775B2 (ja) 1991-07-22

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JP60143794A Granted JPS623520A (ja) 1985-06-28 1985-06-28 遅延回路

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US8925429B2 (en) 2008-01-17 2015-01-06 Wagic, Inc. Radial foldout tool
US9120208B2 (en) 2009-10-05 2015-09-01 WAGIC, Inc Handled ratcheting tool with a flip out handle

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