JPS62293239A - 感光性高分子膜およびこれを用いた多層配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＩＣ、ＬＳｌ、ハイブリッドＩＣなどの半導
体装置や高密度実装基板など（：おける層間絶ｌｌ膜あ
るいは保護膜として使用可能で、しかも微細なパターン
形成可能な感光性高分子膜及びそれらを使用した多層配
線板に関するものである。

［従来技術とその問題さ〕 従来、ｒｃ　　、　　ＬＳＩ　、　　多層配線板等の層
間絶縁膜や絶縁膜としては、ポリイミドが用いられてい
る。これは、ポリイミドがポリマーの中で最も高い耐熱
性と低い誘電率をもち、蒸着１．メッキなどの加工プロ
セスに耐え、信号の遅延を減らすことができる長所をも
っためである。゛このポリイミドを用いて高密度実装化
する方法としては、通常基板上Ｉ：ポリイミドの前駆体
であるポリアミック酸ヲスピンコートシ、加熱してポリ
イミドこした後その上にホトレジストを塗布しホトリソ
グラフィにより、ピアホールをつくるいそして、この上
に蒸着やスパッタリングでＣｕ層をっ（る。以下、この
工程を繰り返して多層化する方法がとられている。

しかし、この方法では、ホトレジストのパターンを作っ
た後、ポリイミド皮膜のエツチングにヒドラジンなどの
高反応性で人体に有害なエツチング液を使わなければな
らないこと、ま九エツチング時にボリイばド皮膜が静方
的にエツチング畜れるたｔ１小さいピアホールをあける
場曾、上部が削れ子−バ軟となり高密度化の支障となる
欠点がある。

この欠Ａを改善するために、ポリイミドに感光性をもた
せ、ポリイミドそのものを光（二よりパターン化するこ
とが発表されている。（＠公昭５５−３０２０７号、特
公昭５５−４１４２２号減の、感光性ポリイミドを用い
ることにより工程は短縮できるが、現儂時に露光部が溶
けだし、膜減りを起こした９、現儂時の、膨潤のために
解儂性か低下したすするなどの問題がある。、ｔた、現
儂後にボストキュ了が必要であり、その際に膜厚が３０
〜５０’ｔも収縮するという欠点を有している。

また、ピアホールのテーバ化をさけることを目的に、プ
ラズマエツチングを利用してピアホールを形成しようと
の報告もなされている。（５８年度電子通信学会半導体
材料部門全国大会、予稿集、講演番号２７）すなわち、
第５図（ａ）〜（ｈ）に示すように、絶縁基板１上にア
ディティブ法（ユより第一層の導体２を設け、この上に
ポリイミドなどの耐熱性樹脂膜３を形成し、その上（二
無機物４を塗布するｈ嘔らに、その上にホトレジスト５
を塗布し三Ｎ！１構造とＴる。ついで、この上にホトマ
スク６を載せ、最上層のホトレジスト５を露光し、現像
することによりバターニングする。さらに、これをマス
クとして無機物４をエツチングする、パターン化した無
機物４をマスクとして、下層の耐熱性樹脂膜３をエツチ
ングＴる。最後に無機物４を除去するや このように、３，１々７（造とすることによりテーバの
ない微細なパターンの形成が可能であるが、無機物の塗
布、除去など工程数が多（煩雑である欠点をもっている
。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで、この発明にあってはポリシロキサン構造を有し
、側鎖にフェニル基を多数導入したシリコーンポリマと
オルトナフトキノン系化８！＞とからなる感光性高分子
膜を層間絶ｉ膜、保Ｓ膜等に用いることにより上記問題
点を解決するようにしｃ５ 本発明の感光性高分子膜は、次の一般式（Ｔ）あるいは
（１） ・・・・・・・・・ＣＩ） ・・・・・・・・・（１） ０　　　　　　　０Ｈ 索あるいは置換炭化水紫を示す６　）、カルボキシル基
の群から選ばれた一種であり、同じでも異なってもよい
、 Ｒ’＠Ｒ″およびＲ”は、同一またはＡなり、水素、ア
ルキル基およびフェニル基よりなる群から選ばれる１橋
の基を示す。

ｔ　ａ　ｍおよびｎはＯまたは正の整数を示し、ｔとｍ
が同時５二〇になることはない。］で表わされるポリマ
とオルトナフトキノン系化合物とからなるものである。

上記一般式（１）ｔたは（１）で示されるシリコーンポ
リマは、主鎖構造がポリシロキサン構造であるため耐熱
性が高く、側鎖のフェニル基に親木基″が導入されてい
る九めアルカリ水溶液に可溶である。また、ポリシロキ
サン構造を有する九めＩｎ！ｌ素プラズマエツチング（
０２ＲＩＥ　）耐ｔ’ｌが非常Ｃ二高（，０□ＲＩＭ　
　を二よって微細なパターンを形−成する際のマスクと
して使用可能となる。

また、上記オルトナフトキノン系化合物としては、次の
一般式（薯）、 、　　５ｏ２−ｚ ・・・・・・・・・（１） （式中Ｚは−ＯＲ，−０Ｃｔ、−ＯＦ。

ＯＨＯＨ Ｈ３ Ｉ ２Ｈ５ で表わされるものが用いられる２ 一般式（Ｔ）ｔたは（１）のシリコーンポリマにこのよ
うな一般式（璽）で表わされるオルトナフトキノン系化
合物を添加した組成物は、紫外線照射により照射部分の
オルトナフトキノン系化合物がインデンカルボン酸の形
となるため、アルカリ可溶性を示し、ポジ形の感光性を
示すようになる。このため、この組成物から膜化したこ
の発明の高分子膜は、ポジ形の感光性を有するものとな
机 上記オルトナフトキノン系化合物の添加量は、通常５〜
３０重量係の範囲とされる。５重量憾未満では、シリコ
ーンポリマのアルカリ現像液に対する溶解を抑制するこ
とができず、アルカリ現像ができな（なり、また３０重
量彊を超えると耐熱性が低下して不都合となる、 この発明の感光性高分子膜は、上記シリコーンポリマお
よびオルトナフトキノン系化合物をアルカリ注水溶液、
エタノール、メタノールなどの溶剤Ｉ：溶解し、この溶
液をスピンコード法などによって基板などの基材に塗布
し、乾燥することによって形成することかできる。そし
て、この感光性高分子膜は、上述の特性を有することか
ら、　ＩＣ。

ＬＳＩ、ハイブリッドＩＣなどの半導体装置や高密度冥
装基板の層間絶縁膜や保護膜として使用することができ
る。

次に、図面を参照して、本発明の感光性高分子膜の使用
例を具体的に説明する。

第１図（Ａ）〜（Ｄ）は、保ＩＩ膜として使用した例を
工程順に示すものである。、ｔず、絶縁基板２１上に常
法のアディティブプロセスにより導体パターン２２を形
成する。この上Ｉ：、本発明のシリコーンポリマとオル
ソナフトキノン系化合物とからなる組成物の溶液をスピ
ンコード法などによって塗布し、乾燥して保護膜２３を
形成する。ついで、この保護膜２３上にホトマスク２４
を載せ、紫外線照射し、アルカリ現像液で現像し、保護
膜２３Ｉ：ビアホール２５．２５・・・を形成する。

第２図（入）〜（Ｅ）は、本発明の感光性高分子膜を層
間絶縁膜として使用する例を工程順に示したものである
。先の例と同様に絶縁基板３１上に第１層の導体パター
ン３２を設け、この上に本発明のシリコーンポリマとオ
ルトナフトキノン系化合物とからなる溶液を塗布、乾燥
して層間絶縁膜３３を形成する。ついで、この上にホト
マスク３４を載せ、紫外線照射しアルカリ現像液で現像
し、層間絶縁膜３３（＝ピアホール３５．３５・・・を
形成する。次Ｃ：、この１間絶縁膜３３上にセミアディ
ティブプロセスによＶ銅などの第２１ｉ１の導体パター
ン３６を形成する。

第３図（Ａ）〜（Ｆ）は、この感光性高分子膜を他のポ
リイミドなどの高分子膜と組み合せて二層構造とし、こ
れを眉間絶縁膜として使用する例を工程順に示したもの
である。

まず、絶縁基板４１上に第１層月の導体パターン４２を
設け、この上に液状ポリイミドプレポリマなどをスピン
コード法などによって塗布し、加熱して硬化させて有機
高分子ｌＩ４３とする０次１：、この高分子ｍ４３上に
本発明の感光性高分子膜４４を先の例と同様にして設け
、これら２層で層聞納縁膜４５を形成する。ついで、こ
の層間絶縁Ｍ４５上１：ホトマスク４６を載せ、紫外線
照射、アルカリ現像し、感光性高分子膜４４１：ビアホ
ール４７．４７・・・を形成したのち、この感光性高分
子膜４４をマスクとして、下層の高分子膜４３を酸素プ
ラズマエツチングし、高分子膜４３にもピアホール４７
．４７・・・を形成する。ついで、この上にセミアディ
ティブプロセスによｔ）ＩＥＺ層目の導体バ、ターフ４
８を設ける。必要に応じてこの一連の工程を繰り返すこ
とで、所望の層数の多層配線板などを得ることができる
。なお、上記高分子膜４Δを構成するものとして社、酸
素プラズマエツチングされる本のであれば、特１：限定
されないが、絶縁性、耐熱性、機械的特性などの優れ九
ポリイミド°が最も好ましい二 ［作用〕 このように本発明の感光性高分子膜は、紫外線照射でア
ルカリ可溶性を示し、丁ルカリ水溶液で現像が可能とな
る。このため、従来のピアホール形成法（８５図）に比
べて簡便な工程でピアホールが形成でき、しかも現儂時
の膨潤がないため、微細ナパターンをシャープに形成で
きるいさらに、この感光性高分子膜は酸素プラズマエツ
チング耐性が非常に高く、この高分子膜をパターンマス
クとして下層の有機高分子膜を酸素プラズマエツチング
でき、下層の有機高分子膜に微細でしかも高アスペクト
比を有するピアホールを形成することができる。このた
め、保護膜、層間絶縁膜として有効に使用でき、式らに
これらを多層に積層して優れた多層配線板を形成するこ
とができる。

〔製造方法〕

次に、本発明で用いられる一般式ＣＩ）および（１）の
シリコーンポリマの製造法≦：ついて説明する。

一般式（Ｉ）で示されるシロキサンポリマの製造法とし
ては、ヘキサフェニルシクロトリシロキサンナト環状フ
ェニルシロキサンをアルカリ金属の水酸化物で開環重合
したポリマをフリーデルクラフト反応で変性する方法が
とられる。

一般式（１）で示されるシロキサンポリマの製造法とし
ては、 わされるシラン化合物を加水分解することにより容易に
得られるフェニルレルセスキオキサンボリマを７リ一デ
ルクラフト反応で変性する方法がとられる。

以下、製造例を示す。

（製造例１） かきまぜ機、温度計、滴下１戸をつけた３００ｍｇのフ
ラスコに無水塩化チルミニラム１５９．塩化アセチル５
０−をとり攪拌する。っぎ１：分子量７８００のポリフ
ェニルシルセスキオキサン５Ｉｉを塩化アセ≠ル５０−
に溶かした溶液を徐々１二滴下Ｔる。温度を２５℃に保
ち反応を進める０反応の進行とともに塩化水素が発生す
る。３時間反応後冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に
注ぐ、よくかき混ぜて塩化アルミニウムを分解し、氷水
が酸性セあることを確かめてから沈澱したポリマを戸別
する。希塩酸−水でよく洗い、最後比真空乾燥器で乾燥
する。得られたポリマの分子量は７９００であった。赤
外線吸収スペクトルでは１６７０ｔＭｉ　　にカルボニ
ル基の吸収が、ＮＭＲでδζ２．４１：メチル基の吸収
が入られ、アセチル化され次ことが確認できた。この時
の了セチル化率はＮＭＲから６０４であった。

（製造例２） かき混ぜ機、温度計、滴下１戸をつけた３　０　（１ｍ
のフラスコに塩化第二スズ２５−１無水酢ＩＷ５０ｍを
とり攪拌する。つぎＩニジフェニルシランジオール６ｇ
を無水酢飯５０−に溶かした溶液を徐々Ｉ：滴下する。

以下製造例１と同様な方法でアセチル化ポリシロキサン
を得た。得られたポリマの分子量は１５００であり、ア
セチル化率は４２４であった。

（１）！！造例３） 製造例１で得たアセチル化ポリフェニルシルセスキオキ
サン６９を１０１）の次亜塩素噛ナトリウムの水ｍ１）
［１００−に加え、１２時間還流する。

得られた透明な液に塩酸を加えることにより酸性にする
と沈澱が生じる。Ｐ別して黄白色固体を得た。赤外巌吸
収スペクトルにおいて１６７０ｃｍ−１のカルボニル基
の吸収が消滅し１７００ｏ＊　　　ｌ：カルボキシル基
の吸収がみられカルボキシル化されたことが認められ九
、収ＩＫ７０幅。

（製造例４） 製造９１）２で得られたアセチル化ポリジフェニルシロ
キサン６９を１（ｌの次亜塩素酸ナトリウムの水溶液１
００−に加え、１２時間還流する。以下、製造例３と同
様にしてカルボキシル化を行った。収率６５４゜ 製造例３および製造例４で得られたカルボキシル化物は
アルカリ性水溶液、メタノール、エタノールに可溶、他
の有機溶媒に不溶であった。

（製造例５） ｌｋｌ造例１で得たアセチル化ポリフェニルシルセスキ
オキサン５ＩＩをテトラヒドロフラン１０〇−に溶かし
、これに３１のＬｉＡｔＨ４を加え、３時間還流を行っ
た。反応終了後５１）の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ
、黄白色固体を得た。収率５５％。

生成物の赤外線吸収スペクトルでは原料でみられた１６
７０ｃｍ　　　のカルボニルの吸収が消え、３１００〜
３４００鋸　　付近にＯＨ基に起因する吸収が見られ、
還元されたことが確認できた。

（製造例６） 製造例２で得た了セチル化ポリジフェニルシロキサン５
９をテトラヒドロフラン１００−に溶カし、これに３９
のＬｉＡｔＨ４を加え還流を行った。

反応終了後５憾の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白
色固体を得九。収率６６４゜ 製造例５および製造例６で得られ九ポリマはアルカリ注
水溶液、メタノール等のアルコールに可溶であった。

（製造例７） Ｈ造例１ζ二おいてポリフェニルシルセスキオキサンの
代りに環状シロキサンの開環重合で得られたポリジフェ
ニルシロキサン（分子量１万）を用いテ、同じ方法でア
セチル化ポリジフェニルシロキサンを得ｆｃ１ （製造例８） 製造例１において、塩化アセチルの代りに塩化プロピオ
ニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフェニ
ルシルセスキオキサンヲ得たう（製造例９） 製造例７において、壇化了セチルの代夛に塩化プロピオ
ニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフェニ
ルシロキサンヲ得た。

〔実施例〕

以下、実施例を示すが、本発明はこれに限定されるもの
ではないゆ （実施例１） セラミック基板を出発原料として、一般に行なわれてい
るアディティブプロセスにより第一層目導体パターン（
パターン幅３０μｍ１バッド径５０μｍ５厚さ５μｍ）
を形成した１次ぎに、製造例１〜９で得られたシリコー
ンポリマにで表わされるオルトナフトキノン系化合物を
２０重量憾添加し九組成物溶液をスピンコード法により
５μｍの厚さで塗布し８０℃・２０分間プリベークし友
、つぎにホトマスクを用いオーク社のジェツトうイトを
用いてｉｌｌに示す照射量を照射した。照射後、マイク
ロポジット２４０１（シブレイ社製）を水の比が１／１
の現像液で現像し、ピアホールを形成した。さら１ｍ、
一般Ｃ：行なわれているセミアディティブ法により無電
解銅メッキで導体ハターン２０μｍ、パッド径３０μｍ
　、　と７ホ一ル２０μｍを形成した。

以上述べ九方法により絶縁層形成と回路形成を行い、Ａ
密度な多層配線板を製造で１し表　　　１ （実施例２） ａｌｌ造例１によるフ゛エニルシロキサンポリマヲ用い
、前記一般丈（１）で示されるｉルトナフキノン系化合
物において基２が下記構造： １）１　−ＯＨ，（２）　　−０Ｃ１，＋３１　−ＯＦ
。

＋４１　　　　　　　　　　　１５１ Ｈｅ　　　　０１（ ＯＨ３ ２Ｈ５ α４ の吃のを゛２０重竜旙添刀口し、表２に示す照射量で照
射し、実施例１と同様な方法で高密度な多層２配組板を
製造し喪。

表　　　２ （夾＃！１ｆｔ１３　） セラミック基板を出発基材として、一般６：行われてい
るアディティブプロセスにより第一層目導体パターン（
パターン幅３０μｒｎ　＆　パット径ｓ　。

μｍ１厚さ５μｍ）を形成した７次ぎに、有機高分子膜
と【、て液状ポリイミド＃８脂をスピンコード法により
１５００〜２　＋１００　ｒｐｍの回転速度で１０μｍ
の膜を均一に塗布し、２５０℃で３０分硬化させポリイ
ミド膜を設けた。

次いで、この上に実施例１で用いた組成物を、スピンコ
ード法６：より０．３μｍの厚さに塗布し次。

次キに、ホトマスクピアホール用孔３０μｍ径を介して
紫外光を照射した。紫外光の照射量は表３に示したもの
とした。照射後、実施例１と同様な現像条件で現像し、
ピアホールを形成した。次ぎに、ボリイずド膜へピアホ
ールを酸素プラズマによ−り形成した。酸素プラズマ条
件は、アルバック社製平行平板形ドライエツチング装置
（ＤＥＭ　−４５１）を用い、酸素ガスをエッチャント
ガスとし１ガス流量５０　ｓｅｃｍ５、ガス圧３０ｍｍ
Ｔｏｒ℃、ＲＦバ’７−２００Ｗ１電極間電圧８００ｖ
でエツチング時間２０分で行った。

ざらに、この上に一般のセミアディティブ法により無電
解鋼メッキで導体パターン２０μｍ１バツド径３０μｍ
１ピアホール２０μｍを形成し念。

以上述べた方法により、絶縁層形成と回路形成を行い、
高密度な多層配線板を製造した。

表　　　３ （！！実施例） モノリシックＬＳＩ　　における多層配線を＠４図（４
）Ｓ−Ｑ））に示すように行った。８１　基板５１上に
所定の寸法で酸化シリコンの絶縁膜５２を形成し、この
上に、ＦＥＴ　　と纂１層のＡｔ配線層５３を形成シた
のち、その上に実施例２で用いた層間絶縁１ｘ５３を３
μｍの厚さで形成した１次いで、実施例２と同様の方法
で露光、現像し３μｍ径のピアホール５５を形成した。

その後、所定の方法で第２層のｆｉｔ配線層５６を形成
し良。

多層配線板の層間絶縁膜に酸化シリコンなどの無機材料
を用い九場合、段差構造が避けられないため、段差部に
おけるＡｔ配線の断線を生ずる問題があった。

しかし、本発明の層間絶縁膜を用い次モノリシックＬＳ
Ｉ　　の場合、平坦化されている九め上記問題は生じな
かった。また、耐熱性−二優れているため、ＬＳＩ　　
の加エエ穐における熱処理においても熱劣化を生じるこ
とはなかった。

（１！施例５） 実施例４で得られ友モノリシックＬＳＩ　　の上に実施
例２で用いた組成物を保護膜として６０μｍ厚さ１：形
成した、 防湿性および表面絶縁性が良好であることは当然のこと
とし、−α線によるＬＳＩ　　のソフトエラー防止に大
きな役割りを果でことがで＊ｆｃｅ　　６０μｍ厚サノ
保す膜を形成することによりソフトエラー率を約千分の
１に減少式ぞることかできた、〔発明の効果〕 以上説明したよう（ユ、本発明の感光性高分子膜は、紫
外線照射ｍ：よりアルカリ現像かでき、ボジ形の感光性
を示し、かつ現像時の膨潤がない皮め、微細でテーバの
小ていピアホールの形成が可能となる。また、酸素プラ
ズマエツチング耐性が極めて大きい危め、この高分子膜
を酸素プラズマエツチングの際のレジストとして使用す
ることができ、微細で高アスペクト比のパターン形成が
可能となる。

よって、このｇ光性高分子膜は、ＩＣ％　ＬＳＩなどの
半導体装置や高密度配線板などの層間絶縁膜や保Ｉｉ膜
として極めて有用なものとなる、

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は、いずれ吃この発明の感光性高分
子膜の具体的使用例についての製造工程を示す説明図で
あって、 第１図（Ａ）−ａは感光性高分子膜を保護膜としたもの
の、第２図ハ）〜■ｈ感元注高分子膜を層間絶縁膜とし
たものの、第３図（４）〜（ト）は感光性高分子膜を他
の、Ｗ機高分子膜と組み合せ２層樗造とし、多層配線板
としたものの、１）４図（４）〜ｐ）は感光性高分子膜
をモノリシックＩＣの眉間絶Ｉｌｋ膚としたものの工程
説明図である、 第５図（ａ）〜（ｈ）は、従来の多層配線板の製造工程
を説明する説明図である。 ２３．３３．４３．５４・・・・・・感光性高分子膜Ｃ
層間絶縁膜、絶縁膜）。 第１図 （Ｃ） 第２図 （Ｃ）

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［但しＸは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼（Ｒは炭化 水素あるいは置換炭化水素を示す。）、カルボキシル基
   の群から選ばれた一種であり、同じでも異なつてもよい
   。 Ｒ′、Ｒ″およびＲ″′は、同一または異なり、水素、
   アルキル基およびフェニル基よりなる群から選ばれる１
   種の基を示す。 ｌ、ｍおよびｎは０または正の整数を示し、ｌとｍが同
   時に０になることはない。］ で表わされるポリマとオルトナフトキノン系化合物から
   なる感光性高分子膜。
2. （２）層間絶縁膜である特許請求の範囲第１項記載の感
   光性高分子膜。
3. （３）保護膜である特許請求の範囲第１項記載の感光性
   高分子膜。
4. （４）有機高分子膜との二層構造である特許請求の範囲
   第１項記載の感光性高分子膜。
5. （５）下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［但しＸは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼（Ｒは炭化 水素あるいは置換炭化水素を示す。）、カルボキシル基
   の群から選ばれた一種であり、同じでも異なつてもよい
   。 Ｒ′、Ｒ″およびＲ″′は、同一または異なり、水素、
   アルキル基およびフェニル基よりなる群から選ばれる１
   種の基を示す。 ｌ、ｍおよびｎは０または正の整数を示し、ｌとｍが同
   時に０になることはない。］ で表わされるポリマとオルトナフトキノン系化合物から
   なる感光性高分子膜。
6. （６）層間絶縁膜である特許請求の範囲第５項記載の感
   光性高分子膜。
7. （７）保護膜である特許請求の範囲第５項記載の感光性
   高分子膜。
8. （８）有機高分子膜との二層構造である特許請求の範囲
   第５項記載の感光性高分子膜。
9. （９）下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［但しＸは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼（Ｒは炭化 水素あるいは置換炭化水素を示す。）、カルボキシル基
   の群から選ばれた一種であり、同じでも異なつてもよい
   。 Ｒ′、Ｒ″およびＲ″′は、同一または異なり、水素、
   アルキル基およびフェニル基よりなる群から選ばれる１
   種の基を示す。 ｌ、ｍおよびｎは０または正の整数を示し、ｌとｍが同
   時に０になることはない。］ で表わされるポリマとオルトナフトキノン系化合物から
   なる感光性高分子膜を、層間絶縁膜または保護膜とした
   多層配線板。
10. （１０）下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［但しＸは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
    、化学式、表等があります▼（Ｒは炭化 水素あるいは置換炭化水素を示す。）、カルボキシル基
    の群から選ばれた一種であり、同じでも異なつてもよい
    。 Ｒ′、Ｒ″およびＲ″′は、同一または異なり、水素、
    アルキル基およびフエニル基よりなる群から選ばれる１
    種の基を示す。 ｌ、ｍおよびｎは０または正の整数を示し、ｌとｍが同
    時に０になることはない。］ で表わされるポリマとオルトナフトキノン系化合物から
    なる感光性高分子膜を、層間絶縁膜または保護膜とした
    多層配線板。