JP2571072B2 - パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 - Google Patents
パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、LSI、ハイブリツトIC及び高密度実装用多
層板における層間絶縁膜あるいは表面保護膜として使用
可能なパターン形成材料及びそれを用いた多層配線板に
関する。
層板における層間絶縁膜あるいは表面保護膜として使用
可能なパターン形成材料及びそれを用いた多層配線板に
関する。
従来、IC、LSI、プリント配線板等の絶縁膜として
は、ポリイミドが用いられている。これはポリイミドが
ポリマーの中で最も高い耐熱性と低い誘電率をもち、蒸
着，メツキなどの加工プロセスに耐え、信号の遅延を減
らすことができる長所をもつためである。このポリイミ
ドを用いて高密度実装化する方法としては、通常基板上
にポリイミドの前駆体であるポリアミツク酸をスピンコ
ートし、加熱してポリイミドにした後、その上にホトレ
ジストを塗布し、ホトリソグラフイによりバイヤホール
をつくる。そして、その上に蒸着やスパッタリングでCu
層をつくる。以下、この工程を繰返して多層化する方法
がとられている。
は、ポリイミドが用いられている。これはポリイミドが
ポリマーの中で最も高い耐熱性と低い誘電率をもち、蒸
着，メツキなどの加工プロセスに耐え、信号の遅延を減
らすことができる長所をもつためである。このポリイミ
ドを用いて高密度実装化する方法としては、通常基板上
にポリイミドの前駆体であるポリアミツク酸をスピンコ
ートし、加熱してポリイミドにした後、その上にホトレ
ジストを塗布し、ホトリソグラフイによりバイヤホール
をつくる。そして、その上に蒸着やスパッタリングでCu
層をつくる。以下、この工程を繰返して多層化する方法
がとられている。
しかし、この工程ではホトレジストのパターンを作つ
た後、ポリイミド被膜のエツチングに人体に有害なドラ
ジンなどの高反応性のエツチング液を使わないといけな
いこと、またエツチング時にポリイミド被膜が等方的に
エツチングされるために、小さいバイヤホールをあける
場合、上部が削れ、テーパ状となり、高密度化の支障と
なる欠点がある。この欠点を改善するためにポリイミド
に感光性をもたせ、ポリイミドそのものを光によりパタ
ーン化することが発表されている（特公昭55−30207
号、同55−41422号）。しかし、感光性ポリイミドを用
いることにより工程は短縮できるが、いくつかの問題点
がある。例えば、現像時に露出部が溶けだし、膜減りを
起こす。また現像時の膨潤のために解像性が低下するな
どである。また、現像後にはポストキユアが必要であ
り、その際に膜厚が30〜50％も短縮するという欠点を有
している。
た後、ポリイミド被膜のエツチングに人体に有害なドラ
ジンなどの高反応性のエツチング液を使わないといけな
いこと、またエツチング時にポリイミド被膜が等方的に
エツチングされるために、小さいバイヤホールをあける
場合、上部が削れ、テーパ状となり、高密度化の支障と
なる欠点がある。この欠点を改善するためにポリイミド
に感光性をもたせ、ポリイミドそのものを光によりパタ
ーン化することが発表されている（特公昭55−30207
号、同55−41422号）。しかし、感光性ポリイミドを用
いることにより工程は短縮できるが、いくつかの問題点
がある。例えば、現像時に露出部が溶けだし、膜減りを
起こす。また現像時の膨潤のために解像性が低下するな
どである。また、現像後にはポストキユアが必要であ
り、その際に膜厚が30〜50％も短縮するという欠点を有
している。
また、テーパをなくすことを目的にプラズマエツチン
グを利用してバイヤホールを形成するとの報告もなされ
ている（昭和58年度電子通信学会半導体材料部門全国大
会、予稿集、講演番号27号）。
グを利用してバイヤホールを形成するとの報告もなされ
ている（昭和58年度電子通信学会半導体材料部門全国大
会、予稿集、講演番号27号）。
これを第２図に示す。すなわち第２図は従来の３層構
造を用いた多層配線板製造の工程図である。第２図にお
いて符号１は基板、２は第一層導体パターン、３は耐熱
性樹脂層、４は無機層、５はホトレジスト、６はホトマ
スク、７は露光用光、８、９及び10はバイヤーホールを
意味する。第２図に示すように、基板１上にポリイミド
の耐熱性樹脂層３を形成し、その上に無機層４を塗布形
成する。更にその上にホトレジスト５を塗布して三層構
造とする。まず、最上層のホトレジスト４を露光し、現
像することによりパターニングする。更に、これをマス
クとして無機層４をエツチングする。パターン化した無
機層４をマスクとして下層の耐熱性樹脂層３をエッチン
グする。最後に無機層４を除去する。
造を用いた多層配線板製造の工程図である。第２図にお
いて符号１は基板、２は第一層導体パターン、３は耐熱
性樹脂層、４は無機層、５はホトレジスト、６はホトマ
スク、７は露光用光、８、９及び10はバイヤーホールを
意味する。第２図に示すように、基板１上にポリイミド
の耐熱性樹脂層３を形成し、その上に無機層４を塗布形
成する。更にその上にホトレジスト５を塗布して三層構
造とする。まず、最上層のホトレジスト４を露光し、現
像することによりパターニングする。更に、これをマス
クとして無機層４をエツチングする。パターン化した無
機層４をマスクとして下層の耐熱性樹脂層３をエッチン
グする。最後に無機層４を除去する。
このように、３層構造とすることによりテーパのない
微細なパターンの形成が可能であるが、無機層の塗布，
除去など工程数が多く煩雑である欠点をもつている。
微細なパターンの形成が可能であるが、無機層の塗布，
除去など工程数が多く煩雑である欠点をもつている。
この問題を解決するため、耐熱性に優れたシロキサン
ポリマーとオルトジアゾナフトキノン系感光剤とからな
る感光性シリコーン系層間絶縁間膜が提案されている
（特願昭61−136816号）。
ポリマーとオルトジアゾナフトキノン系感光剤とからな
る感光性シリコーン系層間絶縁間膜が提案されている
（特願昭61−136816号）。
この層間絶縁膜は耐熱性でしかも微細なパターンを形
成できる特徴があるが、10μｍ以上の膜厚になるとき裂
が発生し、信頼性が低下する問題があつた。
成できる特徴があるが、10μｍ以上の膜厚になるとき裂
が発生し、信頼性が低下する問題があつた。
本発明は、上記事情にかんがみてなされたものであ
り、その目的は厚膜形成を可能にした高信頼性のパター
ン形成材料及びそれを用いた多層配線板を提供すること
にある。
り、その目的は厚膜形成を可能にした高信頼性のパター
ン形成材料及びそれを用いた多層配線板を提供すること
にある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はパターン
形成材料に関する発明であつて、下記一般式又はII: 〔但し、ｘは同一又は異なり、 （Ｒは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカ
ルボキシル基よりなる群から選択した１種の基、Ｒ′、
Ｒ″、Ｒ及びＲ′は、同一又は異なり、水酸基、ア
ルキル基、及びフエニル基よりなる群から選択した１種
の基を示し、ｌ、ｍ及びｎは０又は正の整数であるが、
ｌ及びｍの少なくとも一方は正の整数であり、ｐは正の
整数である〕で表されるアルカリ可溶性シリコーンポリ
マーと、オルトナフトキノン系感光剤とを含有する感光
性樹脂組成物に、更に有機ケイ素化合物として、下記一
般式III: （但し、R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、アルキル
基、フエニル基、置換フエニル基、あるいは有機ケイ素
置換基を示し、R5はアルキレン基、フエニレン基、置換
フエニレン基、２価の有機ケイ素置換基、あるいは酸素
を示す）で表される化合物が含有されているが、無機粉
末を含有していないことを特徴する。
形成材料に関する発明であつて、下記一般式又はII: 〔但し、ｘは同一又は異なり、 （Ｒは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカ
ルボキシル基よりなる群から選択した１種の基、Ｒ′、
Ｒ″、Ｒ及びＲ′は、同一又は異なり、水酸基、ア
ルキル基、及びフエニル基よりなる群から選択した１種
の基を示し、ｌ、ｍ及びｎは０又は正の整数であるが、
ｌ及びｍの少なくとも一方は正の整数であり、ｐは正の
整数である〕で表されるアルカリ可溶性シリコーンポリ
マーと、オルトナフトキノン系感光剤とを含有する感光
性樹脂組成物に、更に有機ケイ素化合物として、下記一
般式III: （但し、R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、アルキル
基、フエニル基、置換フエニル基、あるいは有機ケイ素
置換基を示し、R5はアルキレン基、フエニレン基、置換
フエニレン基、２価の有機ケイ素置換基、あるいは酸素
を示す）で表される化合物が含有されているが、無機粉
末を含有していないことを特徴する。
そして、本発明の第２の発明は多層配線板に関する発
明であつて、第１の発明のパターン形成材料を層間絶縁
膜あるいは表面保護層として使用してみることを特徴と
する。
明であつて、第１の発明のパターン形成材料を層間絶縁
膜あるいは表面保護層として使用してみることを特徴と
する。
本発明のパターン形成材料に用いられるアルカリ可溶
性シリコーンポリマーは、主鎖構造がポリシロキサン構
造であるため耐熱性が高い。また、シラノール基がある
ためにポリマーはアルカリ水溶液に可溶であり、オルト
ナフトキノン系化合物を加えることによりポジ形の感光
性樹脂として利用でき、バイヤホール形成等に使用可能
である。この感光性樹脂組成物は紫外線照射により照射
部分のオルトナフトキノン系化合物がインデンカルボン
酸の形となるためアルカリ可溶性を示し、アルカリ水溶
液で現像でき、従来のバイヤホールの形成のための工程
（第２図）比べて簡易な工程で、しかも現像時の膨潤が
ないため微細なパターンを形成できる。しかしながら、
これを多層配線板の層間絶縁層として使用するには10μ
ｍ以上の厚膜化が必要であるが、このような膜厚を、レ
ジスト溶液を基板上に回転塗布し、しかるのちに膜中に
残存している塗布溶媒を除くためにプリベークを行う一
連の工程に従つて作製しようとすると、き裂が発生し、
信頼性が低下する問題があつた。
性シリコーンポリマーは、主鎖構造がポリシロキサン構
造であるため耐熱性が高い。また、シラノール基がある
ためにポリマーはアルカリ水溶液に可溶であり、オルト
ナフトキノン系化合物を加えることによりポジ形の感光
性樹脂として利用でき、バイヤホール形成等に使用可能
である。この感光性樹脂組成物は紫外線照射により照射
部分のオルトナフトキノン系化合物がインデンカルボン
酸の形となるためアルカリ可溶性を示し、アルカリ水溶
液で現像でき、従来のバイヤホールの形成のための工程
（第２図）比べて簡易な工程で、しかも現像時の膨潤が
ないため微細なパターンを形成できる。しかしながら、
これを多層配線板の層間絶縁層として使用するには10μ
ｍ以上の厚膜化が必要であるが、このような膜厚を、レ
ジスト溶液を基板上に回転塗布し、しかるのちに膜中に
残存している塗布溶媒を除くためにプリベークを行う一
連の工程に従つて作製しようとすると、き裂が発生し、
信頼性が低下する問題があつた。
本発明者らは、この問題を解決するために鋭意検討し
た結果、分子中にシラノール基を含む有機ケイ素化合物
を添加することにより、厚膜形成のできることを発見し
た。この添加剤は親水性のシラノール基を含むためにア
ルカリ可溶性であり、アルカリ水溶液を用いて現像する
パターン形成方法において、一般式（Ｉ）あるいは（I
I）で示されるアルカリ可溶性シリコーンポリマーと感
光性樹脂組成物の組合せによるパターン形成能を損なわ
ない。更に耐熱性も向上し、シリコン基板上に形成した
膜厚は、350℃までの加熱及び加熱後の急冷において、
き裂は発生せず、体積変化もほとんどない。
た結果、分子中にシラノール基を含む有機ケイ素化合物
を添加することにより、厚膜形成のできることを発見し
た。この添加剤は親水性のシラノール基を含むためにア
ルカリ可溶性であり、アルカリ水溶液を用いて現像する
パターン形成方法において、一般式（Ｉ）あるいは（I
I）で示されるアルカリ可溶性シリコーンポリマーと感
光性樹脂組成物の組合せによるパターン形成能を損なわ
ない。更に耐熱性も向上し、シリコン基板上に形成した
膜厚は、350℃までの加熱及び加熱後の急冷において、
き裂は発生せず、体積変化もほとんどない。
130℃以上で熱架橋したのちは、ドライエツチングに
対する耐性が極めて高くなるために、厚膜のマスクパタ
ーンとしてInPなどの種々の基板の深溝の加工も可能で
あるし、２層レジストの薄膜の上層マスクパターンとし
て用いて、下層レジストのドライエツチングにも用いる
ことができる。酸素プラズマによつて下層レジストを加
工する場合には、従来のアルカリ可溶性シリコーンポリ
マーと感光性樹脂組成物との組合せのものよりも酸素プ
ラズマエツチング耐性が高いために、上層レジストをよ
り薄くすることができ、またパターン変換差を小さくす
ることが可能である。
対する耐性が極めて高くなるために、厚膜のマスクパタ
ーンとしてInPなどの種々の基板の深溝の加工も可能で
あるし、２層レジストの薄膜の上層マスクパターンとし
て用いて、下層レジストのドライエツチングにも用いる
ことができる。酸素プラズマによつて下層レジストを加
工する場合には、従来のアルカリ可溶性シリコーンポリ
マーと感光性樹脂組成物との組合せのものよりも酸素プ
ラズマエツチング耐性が高いために、上層レジストをよ
り薄くすることができ、またパターン変換差を小さくす
ることが可能である。
有機ケイ化合物の添加量は、主成分であるアルカリ可
溶性シリコーンポリマーに対して、５〜30重量％の範囲
が最適とされる。５重量％未満では厚膜におけるき裂発
生を制御できない。また、30重量％よりも多く添加する
と製膜性が悪くなる。
溶性シリコーンポリマーに対して、５〜30重量％の範囲
が最適とされる。５重量％未満では厚膜におけるき裂発
生を制御できない。また、30重量％よりも多く添加する
と製膜性が悪くなる。
第１図に本発明のパターン形成材料を用いた多層配線
板構造の１例の工程図を示す。第１図において符号21は
基板、22は第一層導体パターン、23はアルカリ可溶性シ
リコーン系ポリマー＋オルトナフトキノン化合物＋有機
ケイ素化合物（組成物）、24はホトマスク、25は露光用
紫外光、26はバイヤホールを意味する。
板構造の１例の工程図を示す。第１図において符号21は
基板、22は第一層導体パターン、23はアルカリ可溶性シ
リコーン系ポリマー＋オルトナフトキノン化合物＋有機
ケイ素化合物（組成物）、24はホトマスク、25は露光用
紫外光、26はバイヤホールを意味する。
以下に前記アルカリ可溶性シリコーンポリマーの製造
例を示す。
例を示す。
製造例１ かき混ぜ機、温度計、滴下漏斗をつけた300mlのフラ
スコに無水塩化アルミニウム15g、塩化アセチル50mlを
とりかくはんする。次に分子量7800のポリフエニルシル
セスキオキサン5gを塩化アセチル50mlに溶かした溶液を
徐々に滴下する。温度を25℃に保ち反応を進める。反応
の進行と共に塩化水素が発生する。３時間反応後冷却し
て内容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ。よくかきまぜて塩
化アルミニウムを分解し、氷水が酸性であることを確か
めてから沈殿したポリマーを別する。希塩酸−水でよ
く洗い、最後に真空乾燥器で乾燥する。得られたポリマ
ーの分子量は7900であつた。赤外線吸収スペクトルでは
1670cm-1にカルボニル基の吸収が、NMRでδ＝2.4にメチ
ル基の吸収がみられ、アセチル化されたことが確認でき
た。また、赤外吸収スペクトルで3400cm-1にOHの吸収が
NMRでは、6.5ppm付近にシラノール基のOHのシグナルが
観測され、ポリマー中にシラノール基があることが確認
できた。
スコに無水塩化アルミニウム15g、塩化アセチル50mlを
とりかくはんする。次に分子量7800のポリフエニルシル
セスキオキサン5gを塩化アセチル50mlに溶かした溶液を
徐々に滴下する。温度を25℃に保ち反応を進める。反応
の進行と共に塩化水素が発生する。３時間反応後冷却し
て内容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ。よくかきまぜて塩
化アルミニウムを分解し、氷水が酸性であることを確か
めてから沈殿したポリマーを別する。希塩酸−水でよ
く洗い、最後に真空乾燥器で乾燥する。得られたポリマ
ーの分子量は7900であつた。赤外線吸収スペクトルでは
1670cm-1にカルボニル基の吸収が、NMRでδ＝2.4にメチ
ル基の吸収がみられ、アセチル化されたことが確認でき
た。また、赤外吸収スペクトルで3400cm-1にOHの吸収が
NMRでは、6.5ppm付近にシラノール基のOHのシグナルが
観測され、ポリマー中にシラノール基があることが確認
できた。
製造例２ 製造例１においてポリフエニルシルセスキオキサンの
代りに環状シロキサンの開環重合で得られたポリジフエ
ニルシロキサン（分子量１万）を用いて、同じ方法でア
セチル化ポリジフエニルシロキサンを得た。
代りに環状シロキサンの開環重合で得られたポリジフエ
ニルシロキサン（分子量１万）を用いて、同じ方法でア
セチル化ポリジフエニルシロキサンを得た。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されない。
が、本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１ 前記製造例１及び２で得られたシリコーンポリマー
に、 （式中ｘ及びｙは１対１の比率を示す）で表されるナフ
トキノン化合物を20重量％及び1,4−ビス（ヒドロキシ
ジメチルシリル）ベンゼンを20重量％添加した組成物の
酢酸セロソルブ溶液を導体パターンの形成されたアルミ
ナ基板上20μｍの厚さで塗布し、100℃、20分プリベー
クした。
に、 （式中ｘ及びｙは１対１の比率を示す）で表されるナフ
トキノン化合物を20重量％及び1,4−ビス（ヒドロキシ
ジメチルシリル）ベンゼンを20重量％添加した組成物の
酢酸セロソルブ溶液を導体パターンの形成されたアルミ
ナ基板上20μｍの厚さで塗布し、100℃、20分プリベー
クした。
次に、ホトマスクを介しウシオ社製の紫外線照射装置
（250W）を用いて２分間照射した。照射後、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド（TMA）３％水溶液
の現像液で現像した。これによりシリコーン系絶縁膜に
バイヤホール用孔を形成した。現像後に100℃でポスト
ベークした後、130℃で熱架橋させたものは、350℃の加
熱、急冷の処理で膜にき裂が発生することがなかつた。
（250W）を用いて２分間照射した。照射後、テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド（TMA）３％水溶液
の現像液で現像した。これによりシリコーン系絶縁膜に
バイヤホール用孔を形成した。現像後に100℃でポスト
ベークした後、130℃で熱架橋させたものは、350℃の加
熱、急冷の処理で膜にき裂が発生することがなかつた。
更に、一般に行われているセミアデイテイブ法により
無電解銅メツキで導体パターン20μｍ、パツド系30μ
ｍ、バイヤホール20μｍを形成した。
無電解銅メツキで導体パターン20μｍ、パツド系30μ
ｍ、バイヤホール20μｍを形成した。
以上述べた方法により絶縁層形成と回路形成を行い、
高密度な多層配線板を製造できた。
高密度な多層配線板を製造できた。
実施例２〜８ 製造例１によるシロキサンポリマーを用い、実施例１
の感光剤20重量％、及び表１に示す有機ケイ素化合物20
重量％を添加した組成物を用い、実施例１と同様な方法
でポジ型パターンを作製した。どの場合も、現像後に10
0℃でポストベークした後、130℃で熱架橋させたもの
は、350℃の加熱，急冷の処理でき裂が発生することが
なかつた。
の感光剤20重量％、及び表１に示す有機ケイ素化合物20
重量％を添加した組成物を用い、実施例１と同様な方法
でポジ型パターンを作製した。どの場合も、現像後に10
0℃でポストベークした後、130℃で熱架橋させたもの
は、350℃の加熱，急冷の処理でき裂が発生することが
なかつた。
実施例９ 実施例１〜８の組成物を基板上に膜厚を0.5μｍに塗布
し、100℃でプリベークしたのち、130℃で熱架橋させ
て、酸素プラズマエツチング耐性を測定した。アネルバ
製 DEM−451（平行平板型）を用い、出力＝0.1w/cm2、
バイアス＝0.6kV、流量＝50sccm、圧力＝10mTorrの条件
で評価したところ、実施例１〜８のものはいずれも、２
〜4nm/minのエツチングレートを示し、代表的なレジス
ト材料であるMP1400（シツプレイ社）のエツチングレー
トに対して25〜50倍の耐性であつた。
し、100℃でプリベークしたのち、130℃で熱架橋させ
て、酸素プラズマエツチング耐性を測定した。アネルバ
製 DEM−451（平行平板型）を用い、出力＝0.1w/cm2、
バイアス＝0.6kV、流量＝50sccm、圧力＝10mTorrの条件
で評価したところ、実施例１〜８のものはいずれも、２
〜4nm/minのエツチングレートを示し、代表的なレジス
ト材料であるMP1400（シツプレイ社）のエツチングレー
トに対して25〜50倍の耐性であつた。
実施例10 シリコン基板にMP1400を１μｍ厚に塗布し、200℃で
１時間ベークしたのち、その上に実施例１の組成物を0.
3μｍ厚に塗布し、90℃で10分間プリベークした。PLA50
1Fアライナ（キヤノン製）を用いて、密着露光で15秒露
光し、TMA水溶液で現像、水でリンスし、パターンを転
写した。100℃でポストベークしたのち、130℃で熱架橋
させた。酸素プラズマエツチングで下層レジストをエツ
チングし、0.6μｍのライン＆スペースのパターンを転
写することができた。
１時間ベークしたのち、その上に実施例１の組成物を0.
3μｍ厚に塗布し、90℃で10分間プリベークした。PLA50
1Fアライナ（キヤノン製）を用いて、密着露光で15秒露
光し、TMA水溶液で現像、水でリンスし、パターンを転
写した。100℃でポストベークしたのち、130℃で熱架橋
させた。酸素プラズマエツチングで下層レジストをエツ
チングし、0.6μｍのライン＆スペースのパターンを転
写することができた。
以上説明したように、本発明におけるパターン形成材
料は、耐熱性に優れ、厚膜でも微細パターンを形成でき
る利点がある。このパターン形成材料は、350℃におい
てもほとんど重量は減少しないため、層間絶縁膜や表面
保護膜として有望であり、その際製造工程が従来と比較
して大幅に簡略化できる。また、厚膜で急しゆんなパタ
ーンが得られるために、InP、GaAs等の種々の基板の深
溝の加工にマスクパターンとして用いることができる。
また、２層レジストとして微細加工に用いることもでき
る。
料は、耐熱性に優れ、厚膜でも微細パターンを形成でき
る利点がある。このパターン形成材料は、350℃におい
てもほとんど重量は減少しないため、層間絶縁膜や表面
保護膜として有望であり、その際製造工程が従来と比較
して大幅に簡略化できる。また、厚膜で急しゆんなパタ
ーンが得られるために、InP、GaAs等の種々の基板の深
溝の加工にマスクパターンとして用いることができる。
また、２層レジストとして微細加工に用いることもでき
る。
第１図は本発明のパターン形成材料を用いた多層配線板
製造の１例の工程図、第２図は従来の３層構造を用いた
多層配線板製造の工程図である。 １、21:基板、２、22:第一層導体パターン、3:耐熱性樹
脂層、4:無機層、5:ホトレジスト、６、24:ホトマス
ク、7:露光用光、８、９、10、26:バイヤホール、23:ア
ルカリ可溶性シリコーン系ポリマー＋オルトナフトキノ
ン化合物＋有機ケイ素化合物（組成物）、25:露光用紫
外光
製造の１例の工程図、第２図は従来の３層構造を用いた
多層配線板製造の工程図である。 １、21:基板、２、22:第一層導体パターン、3:耐熱性樹
脂層、4:無機層、5:ホトレジスト、６、24:ホトマス
ク、7:露光用光、８、９、10、26:バイヤホール、23:ア
ルカリ可溶性シリコーン系ポリマー＋オルトナフトキノ
ン化合物＋有機ケイ素化合物（組成物）、25:露光用紫
外光
Claims (2)
- 【請求項１】下記一般式Ｉ又はII: 〔但し、Ｘは同一又は異なり、 （Ｒは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカ
ルボキシ基よりなる群から選択した１種の基、Ｒ′、
Ｒ″、Ｒ及びＲ′は同一又は異なり、水酸基、アル
キル基、及びフエニル基よりなる群から選択した１種の
基を示し、ｌ、ｍ及びｎは０又は正の整数であるが、ｌ
及びｍの少なくとも一方は正の整数であり、ｐは正の整
数である〕で表されるアルカリ可溶性シリコーンポリマ
ーと、オルトナフトキノン系感光剤とを含有する感光性
樹脂組成物に、更に、有機ケイ素化合物として、下記一
般式III: （但し、R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、アルキル
基、フエニル基、置換フエニル基、あるいは有機ケイ素
置換基を有し、R5はアルキレン基、フエニレン基、置換
フエニレン基、２価の有機ケイ素置換基、あるいは酸素
を示す）で表される化合物が含有されているが、無機粉
末を含有していないことを特徴とするパターン形成材
料。 - 【請求項２】下記一般式Ｉ又はII: 〔但し、Ｘは同一又は異なり、 （Ｒは炭化水素基又は置換炭化水素基を示す）、及びカ
ルボキシル基よりなる群から選択した１種の基、Ｒ′、
Ｒ″、Ｒ及びＲ′は同一又は異なり、水酸基、アル
キル基、及びフエニル基よりなる群から選択した１種の
基を示し、ｌ、ｍ及びｎは０又は正の整数であるが、ｌ
及びｍの少なくとも一方は正の整数であり、ｐは正の整
数である〕で表されるアルカリ可溶性シリコーンポリマ
ーと、オルトナフトキノン系感光剤とを含有する感光性
樹脂組成物に、更に、有機ケイ素化合物として、下記一
般式III: （但し、R1、R2、R3及びR4は同一又は異なり、アルキル
基、フエニル基、置換フエニル基、あるいは有機ケイ素
置換基を示し、R5はアルキレン基、フエニレン基、置換
フエニレン基、２価の有機ケイ素置換基、あるいは酸素
を示す）で表される化合物が含有されているが、無機粉
末を含有していないパターン形成材料を、層間絶縁膜あ
るいは表面保護膜として使用してなることを特徴とする
多層配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259521A JP2571072B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62259521A JP2571072B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01102550A JPH01102550A (ja) | 1989-04-20 |
| JP2571072B2 true JP2571072B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=17335252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62259521A Expired - Fee Related JP2571072B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571072B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59125730A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-20 | Fujitsu Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| JPS59121042A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-12 | Fujitsu Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
| JPS6236662A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト材料及びその使用方法 |
| JPS63241542A (ja) * | 1987-03-28 | 1988-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジスト組成物 |
| JPS63285538A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタ−ン形成材料およびそれを用いた多層配線板 |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62259521A patent/JP2571072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01102550A (ja) | 1989-04-20 |
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