JPS63285538A - パタ−ン形成材料およびそれを用いた多層配線板 - Google Patents
パタ−ン形成材料およびそれを用いた多層配線板Info
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- JPS63285538A JPS63285538A JP12079787A JP12079787A JPS63285538A JP S63285538 A JPS63285538 A JP S63285538A JP 12079787 A JP12079787 A JP 12079787A JP 12079787 A JP12079787 A JP 12079787A JP S63285538 A JPS63285538 A JP S63285538A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、LSI、ハイブリッドICおよび高密度実装
用多層板における層間絶縁膜あるいは表面保護膜として
使用可能なパターン形成材料およびそれを用いた多層配
線板に関する。
用多層板における層間絶縁膜あるいは表面保護膜として
使用可能なパターン形成材料およびそれを用いた多層配
線板に関する。
(従来の技術および問題点)
従来、IC,LSl、プリント配線板等の絶縁膜として
は、ポリイミドが用いられている。これはポリイミドが
ポリマーの中で最も高い耐熱性と低い誘電率をもち、蒸
着、メッキなどの加工プロセスに耐え、信号の遅延を減
らすことができる長所をもっためである。このポリイミ
ドを用いて高密度実装化する方法としては、通常基板上
にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸をスビンコ
ートシ、加熱してポリイミドにした後、その上にホトレ
ジストを塗布し、ホトリソグラフィによりピアホールを
つくる。そして、その上に蒸着やスパッタリングでCu
1lをつくる。以下、この工程を繰り返して多層化する
方法がとられている。
は、ポリイミドが用いられている。これはポリイミドが
ポリマーの中で最も高い耐熱性と低い誘電率をもち、蒸
着、メッキなどの加工プロセスに耐え、信号の遅延を減
らすことができる長所をもっためである。このポリイミ
ドを用いて高密度実装化する方法としては、通常基板上
にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸をスビンコ
ートシ、加熱してポリイミドにした後、その上にホトレ
ジストを塗布し、ホトリソグラフィによりピアホールを
つくる。そして、その上に蒸着やスパッタリングでCu
1lをつくる。以下、この工程を繰り返して多層化する
方法がとられている。
しかし、この工程ではホトレジストのパターンを作った
後、ポリイミド被膜のエツチングに人体に有害なヒドラ
ジンなどの高反応性で人体に有害なエツチング液を使わ
ないといけないこと、またエツチング時にポリイミド被
膜が等方的にエツチングされるため、小さいピアホール
をあける場合、上部が削れ、テーバ状となり、高密度化
の支障となる欠点がある。この欠点を改善するためにポ
リイミドに感光性をもだゼ、ポリイミドそのものを光に
よりパターン化することが発表されている(特公昭55
−30207号;特公昭55−414220)。しかし
、感光性ポリイミドを用いることにより工程は短縮でき
るが、いくつかの問題点がある。例えば、現像時に露出
部が溶けだし、膜減りを起こす。また現像時の膨潤のた
めに解像性が低下するなどである。また、現像後にボス
トキュアが必要であり、その際に膜厚が30〜50%も
収縮するという欠点を有している。
後、ポリイミド被膜のエツチングに人体に有害なヒドラ
ジンなどの高反応性で人体に有害なエツチング液を使わ
ないといけないこと、またエツチング時にポリイミド被
膜が等方的にエツチングされるため、小さいピアホール
をあける場合、上部が削れ、テーバ状となり、高密度化
の支障となる欠点がある。この欠点を改善するためにポ
リイミドに感光性をもだゼ、ポリイミドそのものを光に
よりパターン化することが発表されている(特公昭55
−30207号;特公昭55−414220)。しかし
、感光性ポリイミドを用いることにより工程は短縮でき
るが、いくつかの問題点がある。例えば、現像時に露出
部が溶けだし、膜減りを起こす。また現像時の膨潤のた
めに解像性が低下するなどである。また、現像後にボス
トキュアが必要であり、その際に膜厚が30〜50%も
収縮するという欠点を有している。
また、テーバをなくすことを目的にプラズマエツチング
を利用してバイヤホールを形成しようとの報告もなされ
ている(58年度電子通信学会半導体材料部門全国大会
、予稿集、講演tS号27)。
を利用してバイヤホールを形成しようとの報告もなされ
ている(58年度電子通信学会半導体材料部門全国大会
、予稿集、講演tS号27)。
寸なわら、第3図に示すように、基板1上にポリイミド
などの耐熱性樹脂3を形成し、その上に無機、物4を塗
布する。さらにその上にホトレジスト5を塗布して三?
j構造とする。まず、最上層のホトレジスト5を露光し
、現像することによりバターニングする。さらに、これ
をマスクとして無機11!14をエラチンブザる。パタ
ーン化した無機層4をマスクとして下層のポリイミド層
3をエツチングする。最後に無機層4を除去する。
などの耐熱性樹脂3を形成し、その上に無機、物4を塗
布する。さらにその上にホトレジスト5を塗布して三?
j構造とする。まず、最上層のホトレジスト5を露光し
、現像することによりバターニングする。さらに、これ
をマスクとして無機11!14をエラチンブザる。パタ
ーン化した無機層4をマスクとして下層のポリイミド層
3をエツチングする。最後に無機層4を除去する。
このように、3府構造とすることによりテーバのない微
細なパターンの形成が可能であるが、無機層の塗布、除
去など工程数が多く煩雑である欠点をもっている。
細なパターンの形成が可能であるが、無機層の塗布、除
去など工程数が多く煩雑である欠点をもっている。
この問題を解決するため、耐熱性に侵れたシロキサンポ
リマとオルトジアゾナラ1〜キノン系感光剤とからなる
感光性シリコーン系層間絶縁膜が提案されている(特願
昭61−136816号)。
リマとオルトジアゾナラ1〜キノン系感光剤とからなる
感光性シリコーン系層間絶縁膜が提案されている(特願
昭61−136816号)。
この層間絶縁膜は耐熱性でしかも微細なパターンを形成
できる特徴があるが、10m以上のrIA厚になると亀
裂が発生し、信頼性が低下する問題があった。
できる特徴があるが、10m以上のrIA厚になると亀
裂が発生し、信頼性が低下する問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その
目的は感光性シリコーン系層間絶縁膜に無機粉末を添加
することにより厚膜形成を可能にした高信頼性のパター
ン形成材料およびそれを用いた多層配線板を提供するこ
とにある。
目的は感光性シリコーン系層間絶縁膜に無機粉末を添加
することにより厚膜形成を可能にした高信頼性のパター
ン形成材料およびそれを用いた多層配線板を提供するこ
とにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明を概説すれば、本発明の第1の発明は耐熱性のパ
ターン形成材料であって、一般式(I)0叶 は置換炭化水素を示す。)、カルボキシル基の群から選
ばれた一種であり、同じでも異なっても良い。
ターン形成材料であって、一般式(I)0叶 は置換炭化水素を示す。)、カルボキシル基の群から選
ばれた一種であり、同じでも異なっても良い。
R+ 、 RrtおよびRIIIは同一または異なり、
水酸基、アルキル基およびフェニル基よりなる群から選
ばれる1種の基を示す。J、mおよびnはOまたは正の
整数を示し、Jとmが同時にOになることはない。]で
表わされるアルカリ可溶性シリコーンポリマと、オルト
ナフトキノン系感光剤とを含有する感光性樹脂組成物に
無機粉末を添加したことを特徴とする。
水酸基、アルキル基およびフェニル基よりなる群から選
ばれる1種の基を示す。J、mおよびnはOまたは正の
整数を示し、Jとmが同時にOになることはない。]で
表わされるアルカリ可溶性シリコーンポリマと、オルト
ナフトキノン系感光剤とを含有する感光性樹脂組成物に
無機粉末を添加したことを特徴とする。
本発明のパターン形成材料に用いられるアルカリ可溶性
シリコーンポリマは、主鎖構造がポリシロキサン構造で
あるため耐熱性が高い。また、フェニル基に親水基が導
入されているために、ポリマーはアルカリ水溶液に可溶
であり、オルトナフトキノン系化合物を加えることによ
りポジ形の感光性樹脂として利用でき、ピアホール形成
等に使用可能である(第1図)。この感光性樹脂組成物
は紫外線照射により照射部分のオルトナフトキノン系化
合物がインデンカルボン酸の形となるためアルカリ可溶
性を示し、アルカリ水溶液で現像でき、従来のピアホー
ル形成のための工程(第3図)に比べU[易な工程で、
しかも現像時の膨潤がないため微細なパターンを形成で
きる。しかしながら、これを多層配線板の居間絶縁層と
して使用するには10」以上の厚膜化が必要となるが、
亀裂が発生し信頼性が低下する問題がある。本発明者ら
はセラミック粉末、ガラス粉末、雲母粉末などの無機粉
末あるいは造膜性能を有する有機ポリマを添加すること
により厚膜形成できることを発見した。有機ポリマを添
加する場合、耐熱性が低下する問題があるため、無機粉
末を添加剤として使用した方が良いことは明らかである
。
シリコーンポリマは、主鎖構造がポリシロキサン構造で
あるため耐熱性が高い。また、フェニル基に親水基が導
入されているために、ポリマーはアルカリ水溶液に可溶
であり、オルトナフトキノン系化合物を加えることによ
りポジ形の感光性樹脂として利用でき、ピアホール形成
等に使用可能である(第1図)。この感光性樹脂組成物
は紫外線照射により照射部分のオルトナフトキノン系化
合物がインデンカルボン酸の形となるためアルカリ可溶
性を示し、アルカリ水溶液で現像でき、従来のピアホー
ル形成のための工程(第3図)に比べU[易な工程で、
しかも現像時の膨潤がないため微細なパターンを形成で
きる。しかしながら、これを多層配線板の居間絶縁層と
して使用するには10」以上の厚膜化が必要となるが、
亀裂が発生し信頼性が低下する問題がある。本発明者ら
はセラミック粉末、ガラス粉末、雲母粉末などの無機粉
末あるいは造膜性能を有する有機ポリマを添加すること
により厚膜形成できることを発見した。有機ポリマを添
加する場合、耐熱性が低下する問題があるため、無機粉
末を添加剤として使用した方が良いことは明らかである
。
無機粉末としては金R酸化物、金属窒化物、金属炭化物
、雲母、ベントナイト等の粘度鉱物などのヒラミック粉
末あるいはガラス粉末が使用できる。
、雲母、ベントナイト等の粘度鉱物などのヒラミック粉
末あるいはガラス粉末が使用できる。
無機粉末の添加室は、通常感光性樹脂組成物に対し5〜
100重最%の範囲とされる。5旭が%未満では厚膜に
おける亀裂発生を抑制できず、100重量%以上になる
と紫外線の透過性が悪くなり、光照射によるパターン形
成が困難となる。
100重最%の範囲とされる。5旭が%未満では厚膜に
おける亀裂発生を抑制できず、100重量%以上になる
と紫外線の透過性が悪くなり、光照射によるパターン形
成が困難となる。
本発明の第2の発明は多層配線板に関するもの ゛で
あり、上記パターン形成材料を層間絶縁膜あるいは表面
保W!膜として用いることを特徴とする特以下に前記ア
ルカリ可溶性シリコーンポリマの製造例を示寸。
あり、上記パターン形成材料を層間絶縁膜あるいは表面
保W!膜として用いることを特徴とする特以下に前記ア
ルカリ可溶性シリコーンポリマの製造例を示寸。
(製造例1)
かき混ぜ機、温度計5滴下漏戸をつけた300dのフラ
スコに無水塩化アルミニウム15g、塩化アセデル50
M1をとり撹拌する。つぎに分子鎖7800のポリフェ
ニルシルセスキオキサン5びを塩化アセチル50sdi
に溶かした溶液を徐々に滴下する。温度を25℃に保ち
反応を進める。反応の進行とともに塩化水素が発生する
。3時間反応後冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に注
ぐ。よくかき混ぜて塩化アルミニウムを分解し、氷水が
酸性であることを確かめてから沈澱したポリマを炉別す
る。希塩酸−水でよく洗い。最後に真空乾燥器で乾燥す
る。得られたポリマの分子1は7900であった。赤外
線吸収スペクトルでは167oIl−II−電にカルボ
ニル基の吸収が、NMRでろ−2゜4にメチル基の吸収
がみられ、アセチル化されたことが確認できた。この時
のアセチル化率はNMRから60%であった。
スコに無水塩化アルミニウム15g、塩化アセデル50
M1をとり撹拌する。つぎに分子鎖7800のポリフェ
ニルシルセスキオキサン5びを塩化アセチル50sdi
に溶かした溶液を徐々に滴下する。温度を25℃に保ち
反応を進める。反応の進行とともに塩化水素が発生する
。3時間反応後冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に注
ぐ。よくかき混ぜて塩化アルミニウムを分解し、氷水が
酸性であることを確かめてから沈澱したポリマを炉別す
る。希塩酸−水でよく洗い。最後に真空乾燥器で乾燥す
る。得られたポリマの分子1は7900であった。赤外
線吸収スペクトルでは167oIl−II−電にカルボ
ニル基の吸収が、NMRでろ−2゜4にメチル基の吸収
がみられ、アセチル化されたことが確認できた。この時
のアセチル化率はNMRから60%であった。
(製造例2)
かき混ぜ機、温瓜計9滴下漏戸をつけた300−のフラ
スコに塩化第二スズ25d、無水酢酸50−をとり撹拌
する。つぎにジフェニルシランジオール6gを無水酢酸
50!dに溶かした溶液を徐々に滴下する。以下’JJ
造例1と同様な方法でアセチル化ポリシロキサンを得た
。得られたポリマの分子鎖は1500であり、アセチル
化率は42%であった。
スコに塩化第二スズ25d、無水酢酸50−をとり撹拌
する。つぎにジフェニルシランジオール6gを無水酢酸
50!dに溶かした溶液を徐々に滴下する。以下’JJ
造例1と同様な方法でアセチル化ポリシロキサンを得た
。得られたポリマの分子鎖は1500であり、アセチル
化率は42%であった。
(製造例3)
製造例1で得た、アセデル化フェニルシルセスキオキサ
ン6gを10%の次亜塩fisQナトリウムの水溶液1
00I11に加え、12時間還流する。得られた透明な
液に塩酸を加えることにより酸性にすると沈澱が生じる
。炉別して黄白色固体を得た。
ン6gを10%の次亜塩fisQナトリウムの水溶液1
00I11に加え、12時間還流する。得られた透明な
液に塩酸を加えることにより酸性にすると沈澱が生じる
。炉別して黄白色固体を得た。
赤外線吸収スペクトルにおいて1670cm−’のカル
ボニル基の吸収が消滅し1700Ql−’にカルボニル
基の吸収がみられカルボキシル化されたことが認められ
た。収率70% (製造例4) 1m例2で得られたアセチル化ポリジフェニルシロキサ
ン6gを10%の次亜塩素酸ナトリ1クムの水溶液10
0−に加え、12時間還流する。以下、製造例3と同様
にしてカルボキシル化を行つた。収率65% 製造例3および製造例4で得られたカルボキシル化物は
アルカリ性水溶液、メタノール、エタノールに可溶、他
の有機溶媒に不溶であった。
ボニル基の吸収が消滅し1700Ql−’にカルボニル
基の吸収がみられカルボキシル化されたことが認められ
た。収率70% (製造例4) 1m例2で得られたアセチル化ポリジフェニルシロキサ
ン6gを10%の次亜塩素酸ナトリ1クムの水溶液10
0−に加え、12時間還流する。以下、製造例3と同様
にしてカルボキシル化を行つた。収率65% 製造例3および製造例4で得られたカルボキシル化物は
アルカリ性水溶液、メタノール、エタノールに可溶、他
の有機溶媒に不溶であった。
(製造例5)
製造例1で得たアセチル化ポリジフェニルシルセスキオ
キサン5gをテトラヒドロフラン100dに溶かし、こ
れに3gのLi#114を加え、3時間還流を行った。
キサン5gをテトラヒドロフラン100dに溶かし、こ
れに3gのLi#114を加え、3時間還流を行った。
反応終了後5%の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白
色固体を得た。収率55% 生成物の赤外線吸収スペクトルでは原料でみられた16
70c!I−’のカルボニルの吸収が消え、3100〜
3400α−1付近にOH基に起因する吸収が見られ、
還元されたことが確認できた゛。
色固体を得た。収率55% 生成物の赤外線吸収スペクトルでは原料でみられた16
70c!I−’のカルボニルの吸収が消え、3100〜
3400α−1付近にOH基に起因する吸収が見られ、
還元されたことが確認できた゛。
(製造例6)
製造例2で得たアセデル化ポリジフェニルシロキサン5
gをテトラヒドロフラン100I+!1!に溶かし、こ
れに3gのLIAJHiを加え、還流を行った。
gをテトラヒドロフラン100I+!1!に溶かし、こ
れに3gのLIAJHiを加え、還流を行った。
反応終了後5%の塩酸を含む氷水の中に注ぎこみ、黄白
色固体を得た。収率66% 製造例5および製造例6で得られたポリマはアルカリ性
水溶液、メタノール等のアルコールに可溶であった。
色固体を得た。収率66% 製造例5および製造例6で得られたポリマはアルカリ性
水溶液、メタノール等のアルコールに可溶であった。
(製造例7)
製造例1においてポリフェニルシルセスキオキサンの代
りに環状シロ4−サンの開環重合で得られたポリジフェ
ニルシロキサン(分子担1万)を用いて、同じ方法でア
セデル化ポリジフェニルシロキサンを得た。
りに環状シロ4−サンの開環重合で得られたポリジフェ
ニルシロキサン(分子担1万)を用いて、同じ方法でア
セデル化ポリジフェニルシロキサンを得た。
(製造例8)
製造例1において、塩化アセチルの代りに塩化プロピオ
ニルを用いて同じ方法によりプロピオモル化ボリフェニ
ルシルレスキオキザンを得た。
ニルを用いて同じ方法によりプロピオモル化ボリフェニ
ルシルレスキオキザンを得た。
(製造例9)
製造例7において、塩化アセチルの代りに塩化プロピオ
ニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフェニ
ルシロキザンを(qだ。
ニルを用いて同じ方法によりプロピオニル化ポリフェニ
ルシロキザンを(qだ。
以下、この発明の実施例を示す。
〈実施例1〉
前記製造例1〜9で得られたシリコーンポリマに
で表わされるナフトキノン化合物を20重量%およびエ
ア[]ジルを307ifi1%添加した組成物の酸13
Ll−ルソルブ溶液を導体パターンの形成されたアルミ
ナ基板上に20tIIRの厚さで塗布し、80℃20分
プリベークした。
ア[]ジルを307ifi1%添加した組成物の酸13
Ll−ルソルブ溶液を導体パターンの形成されたアルミ
ナ基板上に20tIIRの厚さで塗布し、80℃20分
プリベークした。
つぎに、ホトマスクを介しオーク社のジェットライトを
用いて表1に示す照射量を照射した。照射後、マイク【
コボジェット2401 (シブレイ社製)と水の比が1
/1の現像液で現像した。これによりシリコーン系絶縁
膜にパイヤホール用孔を形成した。この基板を400℃
℃30分間熱処理を行なっても絶縁層に亀裂を生じなか
った。さらに一般に行なわれているセミアディティ°ブ
法により無電解銅メッキで導体パターン20ux、パッ
ド系30ulR,パイヤホール20uaを形成した。
用いて表1に示す照射量を照射した。照射後、マイク【
コボジェット2401 (シブレイ社製)と水の比が1
/1の現像液で現像した。これによりシリコーン系絶縁
膜にパイヤホール用孔を形成した。この基板を400℃
℃30分間熱処理を行なっても絶縁層に亀裂を生じなか
った。さらに一般に行なわれているセミアディティ°ブ
法により無電解銅メッキで導体パターン20ux、パッ
ド系30ulR,パイヤホール20uaを形成した。
以上述べた方法により絶縁層形成と回路形成を行ない、
高密度な多層配線板を製造できた。
高密度な多層配線板を製造できた。
〈実施例2〜9〉
製造例1によるシロキサンポリマを用い実施例1の感光
剤20@W%、および表2に示す無機粉末50ffif
fi%を添加した組成物を用い、実施例1と同様の方法
で多層配線板を作製した。表2における照射量の違いは
材料の光吸収および反射強度の違いによるものと考えら
れる。なお、どの居間絶縁膜も400℃の熱処理で亀裂
が発生することがなかった。
剤20@W%、および表2に示す無機粉末50ffif
fi%を添加した組成物を用い、実施例1と同様の方法
で多層配線板を作製した。表2における照射量の違いは
材料の光吸収および反射強度の違いによるものと考えら
れる。なお、どの居間絶縁膜も400℃の熱処理で亀裂
が発生することがなかった。
〈実施例10〉
実施例8のエアロジル50重量%は実施例1のエアロジ
ル30重量%と紫外線照射口が同じであった。エアロジ
ルが光透過性に優れているためである。エアロジルけと
照射1の関係を第2図に示す。エアロジル邑100%ま
では照rJJffi2001J/−以下であったが、そ
れ以上になると照射Mを増加させてもパターン形成が困
難となった。
ル30重量%と紫外線照射口が同じであった。エアロジ
ルが光透過性に優れているためである。エアロジルけと
照射1の関係を第2図に示す。エアロジル邑100%ま
では照rJJffi2001J/−以下であったが、そ
れ以上になると照射Mを増加させてもパターン形成が困
難となった。
〔発明の効果)
以上説明したように、本発明におけるパターン形成材料
は、シリコーンポリマ、オルトナフトキノン系感光剤、
無機粉末からなるため、耐熱性にゆれ、厚膜でも微細パ
ターンを形成できる利点がある。このパターン形成材料
を居間絶縁膜および表面保護膜として使用した多層配線
板は高密度で高信頼性であり、また製造工程が従来と比
較して大幅に簡略化できる利点がある。
は、シリコーンポリマ、オルトナフトキノン系感光剤、
無機粉末からなるため、耐熱性にゆれ、厚膜でも微細パ
ターンを形成できる利点がある。このパターン形成材料
を居間絶縁膜および表面保護膜として使用した多層配線
板は高密度で高信頼性であり、また製造工程が従来と比
較して大幅に簡略化できる利点がある。
第1図は、本発明のパターン形成材料を用いた多層配線
板製造の工程図、第2図(Lエアロジル添加量とパター
ン形成における紫外線の照射量の関係を示すグラフ、第
3図は3層構造を用いた多層配線板製造の工程図である
。 21・・・絶縁基板、22・・・第一)1体パターン、
23・・・シリコーン系ポリマ+オルトナフトキノン化
合物+無機粉末組成物、24・・・ホトマスク、25・
・・露光用紫外光、26・・・パイヤホール。
板製造の工程図、第2図(Lエアロジル添加量とパター
ン形成における紫外線の照射量の関係を示すグラフ、第
3図は3層構造を用いた多層配線板製造の工程図である
。 21・・・絶縁基板、22・・・第一)1体パターン、
23・・・シリコーン系ポリマ+オルトナフトキノン化
合物+無機粉末組成物、24・・・ホトマスク、25・
・・露光用紫外光、26・・・パイヤホール。
Claims (6)
- (1)下記一般式( I )あるいは(II) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [但し、XはR▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼(Rは炭化水素あるい
は置換炭化水素を示す。)、カルボキシル基の群から選
ばれた一種であり、同じでも異なっても良い。 R′、R″およびR″′は同一または異なり、水酸基、
アルキル基およびフェニル基よりなる群から選ばれる1
種の基を示す。l、mおよびnは0または正の整数を示
し、lとmが同時に0になることはない。]で表わされ
るシリコーンポリマと、オルトナフトキノン系感光剤と
を含有する感光性樹脂組成物に無機粉末を添加したこと
を特徴とするパターン形成材料。 - (2)無機粉末がエアロジルであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のパターン形成材料。 - (3)無機粉末が雲母であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のパターン形成材料。 - (4)下記一般式( I )あるいは(II) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [但し、Xは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼(Rは炭化水素あるいは
置換炭化水素を示す。)、カルボキシル基の群から選ば
れた一種であり、同じでも異なっても良い。 R′、R″およびR″′は同一または異なり、水酸基、
アルキル基およびフェニル基よりなる群から選ばれる1
種の基を示す。l、mおよびnは0または正の整数を示
し、lとmが同時に0になることはない。]で表わされ
るシリコーンポリマと、オルトナフトキノン系感光剤と
を含有する感光性樹脂組成物に無機粉末を添加したこと
を特徴とするパターン形成材料を層間絶縁膜あるいは表
面保護膜として使用することを特徴とする多層配線板。 - (5)無機粉末がエアロジルであることを特徴とする特
許請求の範囲第4項記載の多層配線板。 - (6)無機粉末が雲母であることを特徴とする特許請求
の範囲第4項記載の多層配線板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12079787A JPS63285538A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | パタ−ン形成材料およびそれを用いた多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12079787A JPS63285538A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | パタ−ン形成材料およびそれを用いた多層配線板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63285538A true JPS63285538A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14795234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12079787A Pending JPS63285538A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | パタ−ン形成材料およびそれを用いた多層配線板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63285538A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01102550A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 |
EP1349007A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photosensitive Paste |
JP2011128469A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Jsr Corp | 感放射線性組成物、硬化膜及びこの形成方法 |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP12079787A patent/JPS63285538A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01102550A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 |
EP1349007A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photosensitive Paste |
JP2011128469A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Jsr Corp | 感放射線性組成物、硬化膜及びこの形成方法 |
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