JPS63241542A - レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＬＳＩ等の半導体デバイス作製プロセスにＪ
３いて使用するレジストパターンの形成材料に関りる。

（従来技術Ｊ３よび問題点〕 ＬＳＩの、Ｙ′１集積化にともない従来の単層レジス１
−では解像限界が明らかになり、レジストを単層ではな
く多層化りることにより、膜厚が厚くしかも微細な高形
状比パターンを形成する方法が提案されている。りなわ
ら、第１１１１目に有機へ分子の１９膜を形成し、その
上の第２層に薄膜のレジスト祠料層を形成したのち、第
２のレジス１へ４４利にへＪネルギ線を照射し、現像す
る。得られるパターンをマスクとして第１の有機８分子
を１％ブフズマエッチング（０２ＲＩ　Ｅ　）　ｔ’＋
Ｉ′４方エツチングづることにより高形状比のパターン
を得ようと１゛るものである。（リン、ソリッドステー
トテクノロジー　第２４巻　第７３ページ（１９８１）
参照）この場合、第２のレジメＩ−材料は０ｚｌｔｌＥ
ｉｉ４性が＾＜＜Ｔければならないので、シリコン含有
ポリマを用いることが提案されている。例えば、バンバ
ロンはシリル化ポリオレフィンスルフＡンを報告してい
る（アメリカンケミカルソサイアテイシ力ゴミイテイン
グ予ｉ！９３２５ページ（１９８５＞　参照）。また、
ボウデンらはポリトリメデルシリルブテニルスルフィン
を報告している（ソリイアテ・イ　オブ　）第１・オプ
チカル　インストルメンデイシ１ン　エンジニアリング
　アブス１ヘラクト　６３１−０１　１４ページ（１９
８６）参照〉。しかしながら、これらのレジスト材ＩＩ
はシリ′：１ン含右率が低く、またシリコンが側鎖に導
入されているため、酸素プラズマに対り゛る耐性が十分
ぐなく、第１層目の有機高分子をエツチングするときの
マスクにはならなかった。また、高解像性のパターン形
成のためにはアルカリ現像が可能な非膨潤形レジス１−
が必要であった。

本発明は、ｌ記事情に鑑みてなされたものであり、その
「１的は高感度であり、しからｌｌＩ素プラズマ耐性の
高いアルカリ現像タイプのポジ形しジスト組成物を提供
することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明省等は、上記のようなレジスト材料の現状に鑑み
Ｃ１新規なレジスト材料を開発１Ｊべく種々検討した結
果、８感度ポジ形レジス１−として、一般式（ＩＩ）、
一般式（Ｉ［Ｉ）あるいは一般式（ＩＶ）（式中Ｒ＃は
水木、アルキルｌルあるいはアルコ１キシ基を示り゛。

ｐは正の整数を示す。）（式中Ｒ″″′はアルキル基、
アルキルシリル基、オキシシリル基を示り、ｑは正の整
数をポリ。）・・・（ＩＶ　） （式中Ｒ１，ｎｚはアルキル基、フェニル導、（を示し
、Ｒ３はアルキレン基、置換アルキレン！５を示す、ｒ
とＳはＯまたは正の整数を示し、同１時にＯになること
はない。） で表わされ、必要に応じて添加されるオニウム塩を含む
ポリマと、からなるレジスト材料を使用し、酸素プラズ
マ耐性を４舊するためのシロキザンポリマと混合するこ
とが極めて４ｇ効であることを見いだし、本発明を完成
した。高感度化とｍ累プラズマ耐性のｊ川には背反用が
あり、単一ポリマで２つの特性を同時に満足さ「ること
は困難であり、オニウム塩で化学ｊ１う感Ｃきるレジス
ト材料′ｃＴＪｒ感ｍ化を、そしてシロキナンポリマで
高０２ＲＩＥ耐性を付与７ることで、それぞれ機能分担
させた。

本発明によるレジスト組成物は、下記一般式％式％（） 置換炭化水素を示す）、カルボキシル基の中から選ばれ
た１種を示し、同じであっても異なっていでも良い。Ｒ
Ｊ　、　Ｒｌ／およびＲ″は、同一または異なり、水Ｍ
基、アルキル雄おＪ、びフェニル基よりなるｉｔから選
択した１種の旦を示し、Ｊ、ｍおよび「１は０または正
の整数を示し、Ｊ、ｍが同時にＯになることはない。１
Ｆ表わされるシＤ　４＝　１Ｊンボリマと、一般式（■
）、一般式（Ｉ［ｌ）あるいは一般式〈１ｖ〉で表わさ
れ、必要に応じて添加されるオニウム塩を含む加水分解
性ポリマと、からなる。

一般式（ｎ）、　　（１■）　ＪＪ　にび（ＩＶ　）の
ポリマは、アルカリ水溶液に溶解しないが、高エネルギ
ー線照射により分解するか、あるいは添加共存させたオ
ニ１クム塩から発生する酸触媒と反応づることによって
ポリビニルフェノールに変化し、アルカリ可溶となる。

このため、ポジ形レジストとしての特性を有する。一般
式（Ｉ）および（Ｖ）で表わされるシ「１キザンボリマ
はアルカリ可溶性であるので、これらを混合したレジス
ト組成物はアルカリ現像が可能なポジ形レジストとなる
。

前記オニウム塩としては、ヨードニウム塩、スルフオニ
ウム塩、ジアゾニウム塩が使用できる。

オニウム塩は高エネルギー線によりルイス酸を発生ずる
。その他、酸触媒として塩酸、スルフォン酸を発生する
化合物も使用可能であるが、応用性が低い。すなわち、
ｒｊＪ度が低い。

本発明によるレジスト組成物は、ポジ形として作用する
が、ここにおいて一般式（ＩＩ）、（１）および（ｒＶ
）で表わされる加水分解性ポリマはアルカリ水溶液に対
するシロキサンポリマの溶解禁１剤としての役割を果た
す。この溶解禁止剤が少／、【いと、その役割を十分に
宋たずことができない。

また逆に多い場合、Ｍ索プラズマエツヂング耐性が１１
（下ケる。このため、添加δｌは１から３０重Ｆ１＋％
の間が好ましい、９本発明によるレジスト組成物を２層
しジス］・の上層レジス１−とじて使用りる場合、上層
レジストパターンを保護マスクとして下層の有機高分子
膜の酸素プラズマによる１ツヂングが行なわれるが、こ
の上層レジス１〜は酸素プラズマに対する］−分な耐性
を右する。本発明のレジスト組成物の酸素プラズマ耐性
は上記添加δｌの範囲ではシロ４：ザンポリマによって
決定され、レジストの酸素プラズマにＪ：るエツチング
速度は３ｎｏ＋／ｗｉｎ以下になることがわかっている
。一方、上層の有機高分子のそれは１０００ｍ／ｍｉｎ
以−Ｌである。

また、この発明のレジスト組成物によるパターン形成方
法においては、まず、被加工填板上に右ａ高分子膜を形
成Ｊる。この有機高分子膜は各種公知のホトレジストぐ
よく、たとえば、シブレイ（Ｓｂｉｐｌｅｙ　）社のＡ
Ｚシリーズ、東京応化製の０ＦＰＲ，ＴＰＲ，Ｏ３Ｒ，
ＯＭＲなどの各シリーズを例示することができる。この
０機高分子膜の形成は、これらを適当な溶剤に溶解させ
、得られる溶液をスビンコ−１・法、スプレィ法等によ
り塗布することにＪ、り行なわれる。次いで、上記有機
高分子膜の第１層上に、本発明のレジスト組成物の膜を
形成する。これは第１層と同様にレジスト材料を適当な
溶剤に溶解させ、得られる溶液をスピン」−ト法、スプ
レィ法等により塗布することにより行なわれる。

得られた２層レジストは次にパターン形成工程にイ・１
されるが、その第１段階として、まず第２層、づなわら
上層のレジスト組成物の膜にパターン形成処理を行なう
。必要に応じてマスク合わせを行ない、このマスクを通
して高エネルギー線を照射りることにより、照射部分の
レジスト組成物をアルカリ水溶液に可溶とし、アルカリ
水溶液で現像してパターンを形成する。

次いで、第２段階として有機高分子膜のエツチングを行
なうが、この操作は上記のレジスト組成物の膜のパター
ンをマスクとしＵＭ素プラズマエツチングにより実施し
、アスペクト比の高い微細なパターンを形成する。この
Ｍ索プラズマエツチングによる有機高分子膜のエツチン
グは、従来のホ］・エツチング操作によるＬ（板のエツ
チング加工の終了後に行なわれるレジスト膜の剥離の際
に利用されるプラズマアッシングとまったく同一の技術
である。この操作は、例えば円筒形プラズマエツチング
装置、平行平板形プラズマエツチング装ｄにより、反応
性ガス、ｆ　７３わらエツチングガスとしてＰｌ！！索
を使用して実施づることができる。

さらに、このレジストパターンをマスクとして閃板の加
工が行なわれるが、加工法としてはスパッタエツチング
、ガスプラズマ−［ツヂング、イオンビームエツチング
などのドライエツチング法を利用することができる。

本発明のレジスト材料を含む２層膜レジスト材料ににる
エツチング処理は、レジスト膜の剥１ＩｌｌＩ操作によ
って完了する。このレジスト材料の剥離は単に第１層の
有機高分子月利の溶解処理にＪ、って実ｈｌｉｉするこ
とができる。この有機高分子材料は任意のホｌ−レジス
トであり、かつ上記ホトエツチング操作においてなｌｖ
ら変質（硬化等）されていないので、各公知の小トレジ
スト自体の右ｖ１溶媒を使用することができる。あるい
は、プラズマアッシング等の処理により、溶媒を使用す
ることなく剥離することも可能である。

本発明の一般式（Ｉ）で表わされるシロキサンポリマの
製造法としては環状フェニルシロキ→ノンなどを重合さ
せで得られるポリフェニルシロキサンを変性することに
より得られる。また、本発明の一般式（Ｖ）′ｃ表わさ
れるシロキサンポリマの製造法としてはフェニルトリク
ロロシランを加水分解・縮重合して得られるフ１ニルシ
ルセスキオキ→ノンを変ｔｑ　？Ｊ’ることによりｉＪ
られる。

以下、実施例ならびに製造例によって本発明を更に具体
的に説明するが、本発明の範囲はこれら実施例により何
等′ａｉｌ＋限されない。

〔製造例１〕 かぎまぜき、温度上１８滴下ロートを付番プた３００１
ｎｌのノラス：１＃こ無水塩化アルミニウム１５ｇ。

塩化アビチル５０ｄをとり、撹拌する。つぎに分子ｆｒ
１７８００のボリフェニルシルセスキオキイナン５ｇを
塩化アレデル５０Ｉｒｄ！に溶かした溶液を徐々に滴ト
づる。温度を２５℃に保ち反応を進める。

反応の進行と共に塩化水素が発生覆る。３時間反応後、
冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ。

よくかき混ぜて塩化アルミニウムを分解して、氷水が酸
性であることを確かめてから沈澱したポリマを濾過Ｊる
。水ｅ良く洗い、最後に真空乾燥器で乾燥する。４ｑら
れたポリマの分子量は７９００であった。赤外吸収スベ
ク］−ルでは１６７０ｃＩＲ−’にカルボニル基の吸収
がみられアセチル化されたことが確認された。この時の
アセチル化率はＮＭＲから６０％であった。

〔１！Ｊ造例２〕 かきまぜき、温度計１２滴下ロートを付【プた３００Ｉ
Ｉ１１のフラスコに無水塩化アルミニウム１５ｇ。

塩化アセチル５０ＩＩｉをとり、撹拌する。つぎに分子
ｆｆ１２５００のポリマ１ニルシ〔Ｌｌ：サン５ｇを塩
化アセデル５０ｍに溶かした溶液を徐々に滴下する。温
度を２５℃に保ち反応を進める。反応の進行と共に塩化
水素が発生ずる。３時１ｍ反応後、冷却して内容物を塩
酸を含む氷水中に注ぐ。よくかぎ混ぜて塩化アルミニウ
ムを分解して、氷水が酸性であることを確かめてから沈
澱したポリマを濾過りる。水ぐ良く洗い、最後に真空乾
燥器ｅ乾燥りる。得られたポリマの分子ｆＰｉは２５０
００であった。赤外吸収スペクトルでは１６７０ｃｍ−
’にカルボニル基の吸収がみられアセチル化されたこと
が確認された。この時のアセチル化率はＮＭＲから５３
２％であった。

（装造例３〕 かきま【ぞき、温度泪２滴下ロートを何１ノだ３００ｄ
のフラスコに無水塩化アルミニウム１５Ｓｉ。

ｊｐ化アセデル５０ｍ１をとり、撹拌する。つぎにシフ
１、ニルシランジオール５ｇを塩化アごデル５０ｄに溶
かした溶液を徐々に滴下りる。温度を２５℃に保ら反応
を進める。反応の進行と共に塩化水素が発生づる。３時
間反応後冷却して内容物を塩酸を含む氷水中に注ぐ。よ
くかき混ぜＣ塩化アルミニウムを分解して、氷水が酸性
であることを確かめてから沈澱したポリマを濾過する。

水で良く洗い、最後に真空乾燥器で乾燥覆る。得られた
ポリマの分子ｍは１５０００であった。赤外吸収スベク
１ヘルでは１６７０ｃＩＲ−’にカルボニル基の吸収が
みられアレデル化されたことが確認された。この時のア
ｔ？　＝１−弗化率はＮＭＲから４２％【゛あった。

〔製造例４〕 ｖＪ装造例で得たアセチル化ポリシルセス：ｌニオリン
６ｇを１０％の次亜塩素酸ソーダの水溶液１００Ｉｄに
加え、１２時間還流する。（ξｌられた透明な液に塩酸
を加えることにより酸性にすると沈澱を生ずる。濾過し
て白色固体を得た。赤外吸収スベクｌ〜ルで１ま１６７
０ｃａ＋−’にカルボニル基の吸収が消滅し、１７００
ｃｍ−’にカルボニル基の吸収がみられ、カルボ１．シ
ル化されたことが認められた。

〔製造例５〕 製造例２で得たアヒヂル化ポリシルヒスキオリン６Ｕを
１０％の次曲塩Ａ酸ソーダの水溶液１００Ｒ１に加え、
１２時間遠還流る。以下製造例４と同様にしてカルボニ
ル化を行った。

〔製造例６〕 製造例１で得たアヒチル化ポリシルセスキオ勺ン５Ｕを
テトラヒドロフラン１００−に溶かし、これに３ｇのＬ
ｉ／Ｖｌ１４を加え、還流する。反応侵５％の塩酸を含
む氷水中にそぞざ込み白色固体を１！７だ。赤外吸収ス
ペクトルでは１６７０ａ＋−’にカルボニル１゜（の吸
収が消滅し、３１００〜３４００１゛１に水１［４の吸
収がみられ、ヒドロキシ化されたことが認められた。

〔製造例７〕 製造例２で得たアセデル化ポリシロキリン５ｇをテトラ
ヒドロフラン１００ａｅに溶かし、これに３ｇのＬＩＡ
＃Ｉ＋４を加え、還流する。以下製造例４と同様にして
ヒト０．１：シル化を行った。

次に、Ａニウム塩から発生ずる酸触媒により加水分解を
生じるポリマの製造例を説明する。

〔製造例８〕（ボリアヒトキシスチレン）パラアセトキ
シスチレン９．９５９とアゾイソブブロニ１−リル０．
０９９７ｓを６０　ｎｒ！ｌのトルエンに溶解し、それ
を窒素雰囲気下で７５℃に加熱し、２／１時間反応させ
た。反応液をメタノール中に注ぎ込み、白色のポリマ沈
澱を（ｑた。濾過後、沈殿物をメタノールで洗浄し、乾
燥さ「、５．４びのポリマを得た。分子量１，２万、分
散度１゜７６であった。

（！ｙＪｎ例９）　（ポリフォルミルスチレン）６．１
１９のパラフォルミルスチレンと０．０６５　ｇのアゾ
イソブロヂニトリルを２５−の丸底フラスコに入れ、窒
素雰囲気下８０℃′Ｃ″１２時間反応さけた。反応物を
テトラヒドロフランに溶解させ、石油エーテル中に１ｔ
ざ込み、ポリマ沈澱を得た。沈殿物を洗浄し、乾燥さけ
た。収量４．９び、分子量１．１万、分散度１．５であ
った。

〔製造例１０〕　（ポリブト４：シカルポニルスヂレン
） パラターシャリブトキシカルボニルスチレン１０ｇと、
アゾイソプロブ−ニトリル０．０９５Ｌ：Ｊとを６０−
のトルエンに溶解させ、製造例８と同様の方法でポリマ
を得た。収ｆｆ１５ｇ、分子量１．０万、分散度１．７
′ｃあった。

〔製造例１１〕（ポリシリルオキシスチレン）バラ（ジ
メチルターシルリブチルシリルオキシ）スチレン１ｙを
テトラヒドロ７ラン１０ｊＩｉ！に溶解ざＵ、ブレーカ
シール句の反応管に入れ、脱気後村管し、−７８℃に冷
却した。その後、ブレーカシールを通しでブチルリチウ
ムを１ｍｍｏｌ加え、娠動境拌により１時間反応さけた
。反応液をメタノールに注ぎ、白色のポリマ沈澱を得た
。分子ｍ１．０万、分散度１．１であった。

（製造例１２）（ポリシリルエーテル）エチレングリコ
ール０　、５　ｍｏｌｅと、パラン（ヒドロキシメヂル
）ベンゼン０．５１ｏｌｅとをメチルエヂルケトン１５
０−に溶解し、ピリジン０．２２ｍｏｌｅを添加した。

その後、ジメチルジクロロシランＱ、１ｍｏｌｅを室温
ドで撹拌しながら滴下した後、５０℃にて３時間撹拌を
続けた。生成したピリジン塩を除去し、５％Ｎａ１ｌＣ
０３水溶液と飽和ＨａＣ！水１ｎ液で洗浄した。溶液を
Ｈａ、、　ｓｏ４で乾燥後、濃縮乾固さ「で分子ｋｔ１
．５万、分散度１．７のポリマを得た。

（実施Ｐ／４１〜７） 製造例１・〜７により得られたシロキＶンポリマ１ｇと
、製造例１１て”得られたポリシリルＡ−１−シスヂレ
ンｏ、ｉｇと、シフ１ニルヨードニウ１１へ：１ニリフ
ルオロアーピネー１−０．０２４７とをメブールイソブ
ヂルケトン１５＋ｍに溶解し、シリア」ンウエハに約０
．２ｕｍ厚さで塗布（）、１００℃で３０分間プリベー
クした。電子Ｆｉｌ（加速電Ｊ、’［２０ｋ　Ｖ　）で
露光したのら、テトラメヂルアンモニウムヒドロキシド
水溶液〈２．５％〉で現像覆ることにより０．２４のポ
ジ形パターンが形成できた。

この時のパターンのできる最少露光ｔＩＢを表１に示す
。

〔表１〕 ざらに、平行平板形反応性イオンエツヂング装；ｄで、
ＭＡガスをエッヂ１７ントガスとして使用して、エツチ
ングを行なった（印加パワー５０Ｗ。

エツチング室内圧１０＋ａ　Ｔｏｒｒ）。この条件では
、そのレジスト組成物のエツチング速度はいづれも３　
ｒｕｎ／分以下であり、またＡＺレジスト（シブレイ礼
製）のエツチング速度は１００ｒｖ／分であった。

〔実施例８〜１３〕 実施例１のレジスト組成物を用いて同様にシリコ１ンウ
〕ハに約０．２ｔｓの厚さで塗布し、１００℃で３０分
１１υ窒１気流中でプリベークした。次に、このつ１ハ
にマスクを小ね、１．ｔｌ）ＩＯＮＩｃｓ製のエキシマ
レー９“−！Ａ置で静「　（波長１９３ｎｌ）（実施例
８）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｌ）（実施例９　）　、　
ＸｅＣＩ（波長３０３ｎｌ）（実施例１０）を用いて露
光したところ（１パルス当たり２００＋Ｊ／ｍ）、いづ
れの場合−ｂ１パルスで露光部分の高分子が分解してポ
ジ形の０．５を謂ライン／スペースのパターンが形成で
きた。次に、このウェハにＳＯＲ光（実施例１１）、プ
ラズマＸ線（実施例１２）、イオンビーム（実施例１３
）を用いて露光し、０．５應ライン／スペースのパター
ンが形成できた。この時、パターンのできる最少露光量
を表２に示ず。

（表２〕 〔実施例１４〜１７〕 製造例１で得られたシロギナンポリマ１ｇに製造例ε３
．９．１０．１２で得られたボリア０．１３とジフェニ
ルコードニウムアーセネート０．０２７とを加えたレジ
スト組成物を実施例１と同様の方法によってパターンを
形成した。０．２１ライン／スペースのパターンが形成
できた。この時のパターンの形成できる最少露光酊を表
３に示す。

〔表３〕 〔実施例１８〕 実施例１４において、ジフェニルヨードニウムへ一１サ
フルオロアーＬネートを添加しないレジスト組成物の最
少露光量を測定した結架、５．０μＣ／ａＡであり、低
感度であった。

〔実施例１９〕 実施例１にお【ノるジフェニルヨードニウムへキリフル
Ａ１］アーセネートの代りに表４に示すヨードニウム塩
を用いて最少露光量を測定した。

（実施例２０） 実施例１にＪ３　ＧＪるコードニウム塩の代りに表Ｊ）
に示り゛スルフオニウム塩を用い（最少露光ｔ１１を測
定した。

（実施例２１） 実施例１におりるヨードニウム塩の代りに表６に示すジ
アゾニウム塩を用いて最少露光ｍを測定した。

〔実施例２２〕 シリ」ンウェハにΔ２１３５０レジスト（シブレイ社）
を２浦の厚さに塗布し、２００℃で３０分間プリベーク
した。このΔＺレジスト上に実施例１で用いたレジスト
組成物を実施例１と同様の操作で約０．２ｔｓの厚さに
塗布し、１００℃で３０分間プリベークした。プリベー
ク後、電子線装δで露光した。その結果、ＡＺレジスト
上に０゜２ｔＩＪＡのライン／スペースパターンが形成
できた。

その後、酸素ガスをエッヂ１１ントガスとして平行平板
形反応性イオンエッヂングを行なった。２５分のエツチ
ングにより、パターンに覆われていない部分のＡＺレジ
ストは完全に潤失し、０．２ｕａライン／スペースで厚
さが２．１ｔＩＩ４のパターンが形成できた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明ににるシロキリンポリマと
、必要に応じ゛（添加されるオニＣシム塩を含む加水分
解性ポリマと、からなるレジスト組成物は、電子線、Ｘ
線、遠紫外線に対してポジ形の感エネルギー線特性を示
し、しかもアルカリ水溶液で現像できるため膨潤が生ず
ることなくパターンが形成できる。このため、微細なパ
ターン形成が可能である。

また、シロキリンポリマを含有するため酸素エップーン
グ耐性が高く、したがって下層に厚い有機ポリマを右Ｊ
る２層レジストの上層レジストとし【使用できる。２Ｆ
Ｉｊレジストとし【使用した場合、膜厚は簿くてよいの
で、解像性があがる。また、段差を右する基板上に著し
く形状比の高いり゛ブミクロンパターンを形成すること
もできる。

以上のことは半導体水子等の製造において、極めて大き
な効果をもたらずものと期待することができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） ［式中ＸはＲ−Ｃ−、Ｒ−ＣＨ−（Ｒは炭化水素あるい
   は置換炭化水素を示す）、カルボキシル基の中から選ば
   れた１種を示し、同じであっても異なっていても良い。 Ｒ′、Ｒ″、Ｒ″′は、同一または異なり、水酸基、ア
   ルキル基およびフェニル基よりなる群から選択した１種
   の基を示し、ｌ、ｍおよびｎは０または正の整数を示し
   、ｌ、ｍが同時に０になることはない。］で表わされる
   シロキサンポリマと、 下記一般式（II）、一般式（III）あるいは一般式（IV
   ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（II） （式中Ｒ″″は水素、アルキル基あるいはアルコキシ基
   を示す。ｐは正の整数を示す。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III） （式中Ｒ″″′はアルキル基、シリル基、オキシシリル
   基を示す。ｑは正の整数を示す。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（IV） （式中Ｒ＾１、Ｒ＾２はアルキル基、フェニル基を示し
   、Ｒ＾３はアルキレン基、置換アルキレン基を示す。ｒ
   とｓは０または正の整数を示し、同時に０になることは
   ない。） で表わされ、必要に応じて添加されるオニウム塩を含む
   ポリマと、を含むことを特徴とするレジスト組成物。
2. （２）下記一般式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（Ｖ） ［式中Ｘは▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
   、化学式、表等があります▼（Ｒは炭化水素あるいは置
   換炭化水素を示す。）、カルボキシル基の中から選ばれ
   た１種を示し、同じであっても異なっていても良い。Ｒ
   ′、Ｒ″およびＲ′″は、同一または異なり、水酸基、
   アルキル基およびフェニル基よりなる群から選択した１
   種の基を示し、ｌ、ｍおよびｎは０または正の整数を示
   し、ｌ、ｍが同時に０になることはない。］で表わされ
   るシロキサンポリマと、 下記一般式（II）、一般式（III）あるいは一般式（IV
   ） ▲数式、化学式、表等があります▼　・・・（II） （式中Ｒ″″は水素、アルキル基あるいはアルコキシ基
   を示す。ｐは正の整数を示す。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（III） （式中Ｒ″″はアルキル基、シリル基、オキシシリル基
   を示す。ｑは正の整数を示す。） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（IV） （式中Ｒ＾１、Ｒ＾２はアルキル基、フェニル基を示し
   、Ｒ＾３はアルキレン基、置換アルキレン基を示す。ｒ
   とｓは０または正の整数を示し、同時に０になることは
   ない。） で表わされ、必要に応じて添加されるオニウム塩を含む
   ポリマと、を含むことを特徴とするレジスト組成物。