JPS62282434A - 高周波によつて励起されたプラズマ放電内でサブストレ−トをプラズマ処理するための装置 - Google Patents

高周波によつて励起されたプラズマ放電内でサブストレ−トをプラズマ処理するための装置

Info

Publication number
JPS62282434A
JPS62282434A JP62047902A JP4790287A JPS62282434A JP S62282434 A JPS62282434 A JP S62282434A JP 62047902 A JP62047902 A JP 62047902A JP 4790287 A JP4790287 A JP 4790287A JP S62282434 A JPS62282434 A JP S62282434A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
hollow
substrate
anode
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62047902A
Other languages
English (en)
Inventor
イエルク・キーザー
ミヒヤエル・ゼルシヨツプ
ミヒヤエル・ガイスラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold Heraeus GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6295415&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS62282434(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Leybold Heraeus GmbH filed Critical Leybold Heraeus GmbH
Publication of JPS62282434A publication Critical patent/JPS62282434A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は高周波源によって給電される２つの電極間で高
周波によって励起されたプラでマ放電内でサブストレー
トヲゾラぐマ処理する九めの装置であって、一方の電極
が中空陽僅として形成されており、サブストレートを支
持する他方の電極が中′ｇ！陽極の中空室の前に配置さ
れるか又はこの中空室の近くを通り過ぎるようになって
おり、中空陽極が、他方の電極へ回かつて張出した、中
２２！陽極と同じ電位に在る縁を備えており、この級が
他方の電極に対してすべての側で最大１０寵福のザヤツ
ゾ８１を形成している形式のものに関する。
従来の技術 プラズマ処理では、プラズマエツチング、プラズマぼり
メリゼーションによるサブストレート上のポリマ層の製
作、サブストレート表面の活性化等が行なわれる。
高周波によるサブストレートのプラズマ処理の九めの装
置は一般に２つの電′ｊｊＭを備え、その一方の電極が
真空型及びサブストレート保持体の少なくともいずれか
によって形成され、両電極は金属材料から成る。その場
合、対向電極として作用する表面に比して小さな有効面
を有する方の電極に、プラズマに比して著しく負の電位
が形成されることは公知である。それゆえ、負の電位で
バイアスされ九この電極は「カッ−１−’Ｊど呼ばれる
。
真空室と同じ電位に在りこれによって一方の電４１ｔ−
形成する板状のサブストレート保持体と、このサブスト
レート保持体に対向して位置する板状の電極とを使用し
た場合、これによって必然的に生じる面積比の九めに、
後者の電極に負の電位が形成される。これによってこの
電極（カソード）上に存在する材料（ターデッド）が粉
砕されてサブストレート上に沈積する。この種の装置で
エツチングが行なわれる場合、サブストレート及びター
デッドは互いに交換されなければならない。
直流電圧の使用時には、電極の極性は直流電圧源の各個
との関係によって必然的に決定される。西独国特許出願
公開第２１１５５９０号明細誉によれば、層厚の分布の
均一性を改善するためにサブストレート保持体へ向かっ
て張出した緑を備えた中空カソードが使用されている。
しかし、この張出した縁はｉｔ流電圧の使用時に極性の
逆転を可能ならしめない。
西独国特許第２２４１２９９号会報に基づく冒頭ｖｃ述
べ丸形式の装置では、高周波の使用によって、中空の電
極が、その縁を有することによって、他方の電極（サブ
ストレート保持体）の、中空室に直に対面し比表面に比
して大きな表面を有しており、これによって１場極の機
能を有しており、従って電位に関連した関係の逆転が可
能である。それが可ｌＩ！な理由は、中空陽極の縁が放
電室を制限し、この放電室に対して外側に位置する、装
置の金属製の部分が電極の機能を失ない、その九め、バ
イアスに関連した関係が、中空陽極とサブストレート保
持体との互いに対向しｔ表面部分によって規定されるか
らである。これを「エツジ効果」と呼ぶことができる。
しかし、この公知手段は、サブストレートを連続搬送す
る所定の装置でこの原理を使用する場合に若干の内錐が
生じる。すなわち、サブストレートｔ−備えたサブスト
レート保持体が遠ざかると、一般に中空電極に比して大
きな面積を備えかクアースされ九、真ｇ！室の少なくと
も金属製の基板が対向電極として働いてしまう。この場
合、電位の関係が完全に逆転して中空電極が負の電位と
なり、カソードとして作用する。
中空電極の錬とサブストレート若しくはサブストレート
保持体との間のギャップの大きさは、プラズマによって
光てんされた空間領域内での電位分布の構成にとって極
めて重要な意味を有する。上記プヤツプがプラズマとそ
の分囲気との結合を表わしている九め、ザヤッグの大き
さは中空電極が装置の陽極として劾くか又はカソードと
して−くかを決定する。実験によれば、上記ギャップの
寸法をほぼ１ｍを超えて増大させると、その曲の金属製
の装置部分の影響が極４に増大するのみならず、サブス
トレートの代りに中空電極に負のバイアスが形成される
。しかし、この樵のヤヤツプ増大は、運動するサブスト
レート保持体上にサブストレートｅ配置ｔした連続的な
装置では、時にこの種のサブストレート保持体が互いに
間隔上おいて中空を極の開口を通り過ぎるさいには実際
に不可避である。
さらに　このギャップｔ−任意に小さくすることはでき
ない。なぜならば、そのことのなめにはサブストレート
保持体の著しく正確な案内が盛会となるばかりか、各サ
ブストレート形状及び寸法の九めに檀々異なるサブスト
レート保持体を使用してこのサブストレート保持体内に
サブストレートを沈めてサブストレート保持体の表面と
一平面に配置するような不経済を避け１ないならば、場
合によってはサブストレート保持体上に位置するサブス
トレートが装置を通過するさいにはギャップの変化が生
じるからである。
これによって公知原理の適用範囲は著しく制約される。
本発明が解決しようとする問題点 本発明の課題は、ギャップの増大に敏感でなく、特に連
続的又はほぼ連続的なサブストレート搬送を行なう装置
、要するにいわゆる「インライン装置」でも使用するこ
とができるように冒′頑に述べた形式の装置を改良する
ことにある。
問題・点を解決する九めの手段 上記課題ｔ−解決した本発明の要旨は、中空陽極の中空
室内に、その内側の表面を増大させる突出部が設けられ
ていることにある。
本発明の作用・効果 本発明の構成によれば、突出部によって、中空陽極の、
プラズマに面した表面が著しく拡大され、従ってザヤッ
プ鴫が著しく大きくなった場合でもプラズマの射突が維
持され、かつ走行可能又は４ｉｌ＠可能なサブストレー
ト保持体が中ｇ！陽極の開口に対して移動した場合でも
電位関−係の逆転は生じない。突出部のジオメトリは厳
密ではなく、可能な限り大きな表面を得ることができれ
ばよい。しかし、突出部の相互間隔若しくは突出部と酸
との間に形成される中空室は、表面の増大がプラズマに
関して無効となるほど小さくてはならない。要するに突
出部相互の間隔はいわゆる「ｄｆ黒部間隔」の２倍の大
きさを下回わりではならない。さらに中２２！１ｓ極の
内側の面の増大は、サブストレート若しくはサブストレ
ート保持体の表面上に中空陽極に対して形成される負の
電圧の増大を結果する。これによりて、プラズマ盟から
サブストレートへ衝突スる正に荷電されたイオンの運動
エネルヤが相応して高められる。このことは本発明装置
をエラ。
チング装置として使用する場合にはエツチング効率の１
大につながる。ガス相から層を析出する場合には、サブ
ストレート上に成長し次層への正のイオンの射突が、層
の弱く結合し九部分をスパッタするため特別に高価な層
が得られる。
本発明手段によれば、中空陽極の特性がサブストレート
の走行搬送時でも完全に維持される。
プラズマは、例えば特に高周波の使用時に万全ではない
磁界によって閉じ込められずに、材料壁によって完全に
閉じ込められる。さらに、プラズマ室内の中空陽極によ
る完全な閉じ込めによって、単位面積当りの電気的出力
で比較すれば、プラズマ射突時に磁界によっては得られ
ない高い密度のプラズマが得られる。その上、実験の示
すところによれば、中空陽極の中空室全体の内部のプラ
ズマ密度は、縁領域で減少するほかは、光学的に偏位が
検出できない穆度に均一である。醸領域内でのプラズマ
密度の低下に５　ｍｍ未溝に制限される。これは±３％
未満の層厚偏位を生ぜしめるが、この値はプラズマの磁
気的な閉じ込めでは得られないよい値である。
本発明に基づく中空ｌＩＩ極の構成は容易に実施可能で
あり、それも鋳造法により又は金属製ストリップ材料の
合成により実施可能である。さらに、本発明に基づく中
空陽極は、装置全体への複雑な着は替えを要することな
く、従来技術に比して簡単に交換可能である。
本発明装置はプラズマボリメリゼーション、換言すれば
サブストレート上でのポリマ層の析出、特にサブストレ
ート上の保護層としての非晶質の炭素の析出のために適
している。後者の目的の九めに、ガス状の炭化水素を中
空陽極の中空ｘｈへ導入し、反応酸生物（主に水素）の
排出を後で詳しく述べるように行なう。
中空陽極の外側が少なくとも部分的に真空にさらされる
ように中空ＩＷＪ極を真空型内へ突入させた場合、中空
１犠衡の外１ｌＩｌｔ−全面的に暗黒部Ｌ１へいによっ
て取囲むことが必要である。この暗黒部遮へいは同様に
第２の電硼へ向かつて張出した、＃黒部遮へいと同じ電
位に在る縁ｔ−備えている。その場合、本発明の１実抱
標様でに、暗黒部遮へいの碌が第２の電極（サブストレ
ート保持体）に対してあらゆる側で最大１０ｍ５のザヤ
ツ７’　Ｓｓ　を形成している。
この＋１の装置の本発明に基づく別の実施態様では、暗
黒部踵へいの周囲の少なくとも１部に、少、なくとも１
つの電気的な連結部材が配置されて・おり、この連結部
材がヤヤツゾの間隔をおいて第２の電極の表面に対して
ほぼ平行に延びている。この撞の連結部材を設けること
の付加的な利魚は、「エツジ効果」が消失する前にザヤ
ツ、プを一層大きく設計できることにある。
この連結部材の構成については後で詳しく説明、する。
その意味の説明については西独国特許第２２４１２９９
号明細書ｔ−参照せられたい〇サブストレート保持体が
高周波アース点、要するに金！ｊ４製の真空冨にじかに
結合されているにもかかわらず、サブストレート保持体
は、両側でねじ固定された、大きな断面の銅線によつ℃
アース電位に立置しない。このことは、サブストレート
保持体の周りの閉じ念プラズマ帯域の構成から明らかで
ある。可動のサブストレートを備えた装置では１位の関
係はさらに一層制御田厳である。なぜならば、その場合
には、固定的な接続によるアース接続が行なえないから
である。
有利ＶＣはサブストレート保持体の面に隣合いかつこの
面に対して平行な薄板片から成る連結部材を配置し九こ
とによって、高周波条件下でサブストレート保持体ｔｉ
黒部遮へいに連結することができ、これによってプラズ
マの射突が一層改善される。連Ｗｐ１部材の長さ若しく
は唱が十分であれば、例えば１０ｃＩＩＬであれば、さ
もなければ絶縁されて配置されるサブストレート保持体
において、サブストレート保持体の負のバイアスによっ
てプラズマの申し分のない射突が３１ｍｌまでのイヤツ
７１″Ｓｓで得られる。
サブストレート保持体の緑が中空陽極の中空室を平らに
覆っていれば、走行するサブストレート保持体でもその
完全に負のバイアス及びプラズマの射突が維持される。
連結部材の表面積が８００ｃＩＩＬ２、ギャップ８雪２
＞Ｅ　Ｏ，３３１’　６　ｔｌ、に１、例えば板コンデ
ンサは２３５　ｐＦの容量で形成され、これによって、
１３．５６′ｋＪｍｚの普通の周波数で交流抵抗Ｒは３
１３オームと計算される。
１ＫＶの普通のバイアス電圧ではこの容量を介して１乃
至２ＫＷの大きさの出力が簡単に伝達される。はぼ１．
５　Ｋ　Ｗの出力以後では（はぼ４Ｗ　／　ａｎ”サブ
ストレート面の面出力に相応して）、サブストレート保
持体の周９に極めて弱いプラズマの形成が観察される。
しかしこれ燻プラズマ室内の極性関係への著しい影響を
有しない〇換言すれば、連結部材を介して生じる、高周
波零点へのサブストレート保持体の純粋に容量的な結合
は、公知技術で一般的な銅線を介し九結合に比して著し
く有効的である。その場合、プヤツゾＳ１１は３鱈であ
り、極めて大きなサブストレート保持体のためにも実現
可能である。
実施例 第１図に真空室１が図示されており、この真空室１は吸
込ｆ２を介して、この種のプラズマプロセスでは一般的
な圧力まで真空にされる。
真空室１の天井にに中空陽極３が挿入されており、この
中空陽極３は導電的な支持装置４及びコンデンサ５を介
して高周波源６に接・続されている。中空陽極３の下方
に、サブストレート７を支持する第２のｔ極８が配置さ
れており、この電！！ＪＡはサブストレート保持体を形
成している。
中ｇ！陽極はその（方形の）全周にわたって、電！Ｍ８
へ向かりて張°出した、中空陽極３と同じ電位に在る微
９を備えている。このＷ＆９は第２の電極８に対してあ
らゆる側で２ｎのザヤツゾＳ０を形成している。
従って中９電極３は中空翼１０ｔ−形成しており、その
内側の表面１１は突出部１２によって増大されている。
突出部１２に平行なリブによって形成されることもでき
る（第２図）。この突出部の相互間隔は、真空使用時の
暗黒部（ｆ−クルーム）間隔の２倍より著しく大きくな
ければならない。その場合、はぼ２　Ｘ　１０−”ミリ
パールの真空度では、実際に使用可能な突出部の相互間
隔及び突出部と橡９との間隔はほぼ２０ｍである。リブ
の高さには制約はないが、しかし、サブストレート７の
領域内でのガス組成の均一性を良くするためには、リブ
の高さが緑９の高さのｔｌぼ半分より大きくてはならな
い。
この比は第１図にほぼ尺度通り示されている。
適当な処理ガスの導入のためにガス供給導管１３が設け
られており、これは使用すべきブスのための図示しない
ガス供給装置に接続されている。ｆス供給導ｆ１３は中
ｇ！Ｎ１０１／’３に開口しており、ブスの分布は図示
しない分配管によって改善されることができる。その場
合、分配管は中空’４１０の長さ及び幅の大部分にわ念
って延在して、その全長にわたり多数の流出口、を備え
る。縁９の下方の環状のエツジは中？！關陽極の開口を
形成するとともに、電極８との間にギャップ８ｘｔ−規
定する。
中空ＩＩ極３は下方の開口以外は方形の暗黒部辿へい１
４によってあらゆる側で取囲まれている。暗黒部迩へい
１４の碌１５と電極８との間のイヤツゾｓｌは２ｔｎで
ある。供給され友ガスのうら使用されない反応酸生物の
出入りはギャップＳ１．　Ｓ雪を介して行なわれる。暗
黒部属へい１４は支持装置１６ｔ−介して真空ｍ１に導
電的に結合されており、従って真′ｇ！１１１とともに
アース電位に在る。
Ｘ？！室１は左側及び右側の１部でそれぞれ図示しない
真空スルースｒ−）に接続されており、この真空スルー
スＣ−トを介して、サブストレート保持体として役立つ
電ｍｓが逐久装置内へ導入されかつ装置から搬出される
。電極８の連動の途上の２つの位置８ａ＊８ｂが破線で
示されている。
第３図に突出部の２つの実施例が図示されている。＠３
図の圧中分に示す実施例は蜂の巣状に形成されており、
石手分に示す実施例り惑子状に形成されている。
第４図は第１図に示す突出部１２ｔ−備えた中空陽極３
と、暗黒部遮へい１４とをその対綴平面に沿って断面し
た斜視図である。暗黒部遮へい１４の外周面には、方形
状の平らな枠から成る電気的な金属性の連結部材１７が
設けられており、これは導電的に暗黒部迩へい１４に結
合されている。枠幅ｂｌ　、　ｂ＝はほぼ４乃至１２ｃ
ｒＩＬである。連結部材１７が暗黒部遮へい１４の開い
九下側若しくは緑と正確に一平面を成すように枠が形成
されている。サブストレート７を支持する電極８セイヤ
ツプＳ＠の間隔をおいて連結部材７に対して平行に両矢
印１８で示す方向に中空１禰極３の開口全通過する。そ
の場合、電極８の完全に申し分のない電気的な連結の目
的のためには、電極が連結部材１Ｔの３つの周側ｆ：覆
えば十分である。
第４図から判るように、中空陽極３及び暗黒部遮へい１
４の壁直には、供給されたブスの使用されない反応厄生
物の流出の九めの穴１９が設けられている。この穴１９
の詳細については第５図について詳しく説明する・ 第５因は穴１９の領域の壁部分の拡大部分を示す。中空
陽極３の壁面の穴１Ｓと暗黒部遮へい１４の壁面の穴１
９ａは互いに合致しており、かつそれぞれ高周波に対し
て透過性の格子２０゜２０ａをＵ４えており、この格子
２０．２０＆の手前にに中空室側に円板状の１へい部材
２１が配置されている。これによってプラズマは穴のな
い壁によって閉じられた如くに閉鎖される。
しかし七の場合、ガスの搬送は実際に妨げられない。有
利には１３．５６　ＭＨｚの周波数を使用した場合、１
０分の数ミリ椙度の網目を備え九市販の金属ネツ）１使
用することができる。この種のネットの光学的な透過率
は４０乃至７０％である。遮へい部材２１は中空陽極の
空運転（中空陽極の前に電極８が存在しない状態）時の
格子のｖｌ、１ａｌｔ−妨げるのに役立つ。遮へい部材
と中２２！陽極３の対面する表面との間隔はほば５ｆｉ
である。
第６図は第４図に示す実施例の変化実施例を示す。この
実施例では第２の電極２２が金ＩＩ！製の冷却ローラか
ら放り、この電箇２２を介してベルト状のサブストレー
ト２３が案内されている。−のサブストレート２３は貯
鞭ロール２４から□到来して＝ｓ取クロール２５案内さ
れている。
その間に位置するその他のロールは、本発明には１＠係
しない別の処理のための案内ローラ又は冷却ローラとし
て形成されている。第６図にに中空１ｓｊｌ極が図示さ
れず、たんに暗黒部遮へい１４だけが図示されているが
、この暗黒部遮へい１４は図示されていない中空陽極と
同様に電極２２０円筒状の輪郭に適合されている。この
場合、□装置の軸方向の全長を小さくするために′、電
気的な連結部材１７は複数の部分から構成される。連結
部材１Ｔは電極２２の円闇面の領域に、それも暗黒部遮
へい１４の６１Ｊ後に部分片１７ａ１に備えており、そ
のうち第６図では前方の部分片１７ａしか見えない。第
２の電極２２の円形状の端面の領域には２つの平らな部
分片１７ｂが設けられており、そのうち前方の部分片１
７ｂだけが第６図に図示されている。これら部分片１７
ａ、１７ｔ）は、ギャップＳ＠の間隔をおいてｗｃ２の
電極２２の表面に対してほぼ平行に延びるという要求を
すべて満たしている。
第７図に第４図に示す装置を２つ鏡面対称的に組合わせ
た実施例を示す。この場合、中空陽極３は第２の中空陽
極３′に対して、七の縁９゜９′が互いに合致して位置
しかり連ＩＩｌ！部材１７゜１７′がその間に中間室２
６を閉じるように配置されている。この中間室２６は適
当に形成されたサブストレートの貫通案内に役立ちかつ
特別なサデス）Ｌ／−）保持体を備えても備えなくても
よい。サブストレート保持体ｔ−備えなくてもサグスト
レート自体が第２の電極の役目を果す。
所訣の案内装置は図面簡奉のため図示されていない。連
結部材１７　、１７’はサツシ２７　、２７’によって
多かれ少なかれ、いかなる場合も導電的に互いに結合さ
れている。その場合、サツシ２１′の下方の壁は図示し
ない搬送装置の貫通のためのスリット２８を備えている
。
サツシ２７　、２７’の第７図では見えない前方及び後
方の壁には普通の穴が設けられている。
中空１１１　硬３’は固有の高周波源を備えてもよく、
又は他方の中空＋Ｓ極３の高周波源に接続されてもよい
。両中空ＩＩＩ橿３．３′は１つのＩＩｌ極箱にまとめ
られてもよく、その場合この１ｓ極箱はサブストレート
若しくは第２の電極のための入口及び出口を備える。
例　　１ 第４図に示す装置では、中空１１１３の開口の寸法に４
０σ×１０儂である。アルデン分囲気が２　Ｘ　１０−
２　ミリバールに維持され、中空陽極が１３．５６■２
の周波数及び全体で４２０ワツトの出力で稼（６）され
た。第２の電極８はこの時点では未だ開口の前に位置せ
ず、従って「中空陽極」はカソードとして稼働され、こ
のことは明瞭に目視できるプラズマの形成でそれと解っ
た。バイアス電圧は測定されなかった。その後、金Ｉｓ
４製のサブストレー）？ｔ−装着した第２の電極がカソ
ードの前に走行された。中空陽極３が電極８によって覆
われた瞬間、プラズマ内に注入された出力は予定の１Ｋ
Ｗの目標値に跳ね上がり九。これは中空陽極の下方に立
置する２、５Ｗ／ｃ！ＩＬ２のサブストレート面上の面
出力に相応していた。同時に中空陽極とサブストレート
の間にＩＫＶの直流電圧が形成され、これによってサブ
ストレートは負にバイアスされた。電極８はこの位置に
保持され、サブストレートがエツチングされた。サブス
トレートの引続く検査によればエツチング率は１．０ｎ
ｍ／ｓであった。
例　　２ 同じ装置でアセチレン（Ｃ５Ｈａ　）カ３　Ｘ　１０″
″２ミリバールの圧力にダイナミックに維持された。
例１と同様に、高周波源の接続後、中空陽極の開口内に
プラズマが見られ、かつ出力は同様に４２０ワツトに設
定され、バイアス電圧は設定されなかった。電極８が中
空陽極の前に走行し九優に、プラズマに注入された出力
は、予め調節されたＩＫＷの目標値まで跳ね上が９、こ
れは同様に２．５Ｗ／ａｎ”の面出力に相応した。この
場合にはバイアス電圧は６００ｖであった。
この過糧は１００８１’ｅｆｌ［続された。引続く検査
によって、非品性の炭素から成る層の厚さは３００　ｎ
ｍであり、これは３　ｎｍ　／　ｓの静的な被覆率に相
応する。サブストレート表面及び層から轡する干渉色は
中空陽極の全開口領域内でほぼ’ｓ　ｔｚ幅の狭い縁領
域まで、層厚に関して識別できる偏位を生ぜしめなかつ
九。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の１実権例の略示縦断面図、第２図は第
１図の１−１ｆ線に沿った’ｒｒｍ図、第３図一本発明
の別の異なる２つの実施例を第２、、Ｊ′ 図同様に示す図、第４図は本発明のさらに別の実施例の
中空陽極と連結部材との断面を示す斜視脂、第５図は第
４図の符号１９で示す穴の領域を拡大断面して示す斜視
図、第６図に本発明のさらに別の実施例の略示斜視図、
第７図は第４図に示す装置を２つ鏡面対称的に配置した
実施例の斜視図である。 ＦＩＧ、４ ３・・・中空陽極 ８・・・電極 手続補正書（方式） 昭和６２年　６月斗日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、高周波源によつて給電される２つの電極間で高周波
    によつて励起されたプラズマ放電内でサブストレートを
    プラズマ処理するための装置であつて、一方の電極が中
    空陽極として形成されており、サブストレートを支持す
    る他方の電極が中空陽極の中空室の前に配置されるか又
    はこの中空室の近くを通り過ぎるようになつており、中
    空陽極が、他方の電極へ向かつて張出した、中空陽極と
    同じ電位に在る縁を備えており、この縁が他方の電極に
    対してすべての側で最大１０ｍｍ幅のギヤツプ（Ｓ＿１
    ）を形成している形式のものにおいて、中空陽極（３）
    の中空室（１０）内に、その内側の表面（１１）を増大
    させる突出部（１２）が設けられていることを特徴とす
    る高周波によつて励起されたプラズマ放電内でサブスト
    レートをプラズマ処理するための装置。 ２、突出部（１２）が内側の表面（１１）から突起した
    リブとして形成されている特許請求の範囲第１項記載の
    装置。 ３、互いに交差する２つのリブ群が設けられている特許
    請求の範囲第２項記載の装置。 ４、中空陽極（３）の外側がすべての側で暗黒部遮へい
    （１４）によつて取囲まれており、この暗黒部遮へい（
    １４）が同様に、第２の電極へ向かつて張出した、暗黒
    部遮へいと同じ電位に在る縁（１５）を備えており、こ
    の縁（１５）が、第２の電極に対してあらゆる側で最大
    １０ｍｍのギャップ（Ｓ＿２）を形成している特許請求
    の範囲第１項記載の装置。 ５、暗黒部遮へい（１４）の周囲の少なくとも１部に、
    少なくとも１つの電気的な連結部材（１７、１７ａ、１
    ７ｂ）が配置されており、この連結部材がギャップ（Ｓ
    ＿２）の間隔をおいて第２の電極（８、２２）の表面に
    対してほぼ平行に延びている特許請求の範囲第４項記載
    の装置。 ６、中空室内に少なくとも１つのガス供給導管が案内さ
    れている特許請求の範囲第１項記載の装置。 ７、中空陽極（３）及び暗黒部遮へい（１４）の壁面に
    ガスを通す穴（１９、１９ａ）が設けられており、この
    穴内に、高周波に対して透過性の格子（２０、２０ａ）
    が設けられている特許請求の範囲第６項記載の装置。 ８、格子（２０、２０ａ）に遮へい部材（２１）が対置
    されている特許請求の範囲第７項記載の装置。 ９、サブストレートの両側を同時に処理するために鏡面
    対称的な配置の２つの中空陽極（３、３′）が設けられ
    ており、両中空陽極がほぼ閉じた室を形成しており、か
    つ、他方の電極（８）若しくは他方の電極を形成するサ
    ブストレート（７）が両中空陽極（３、３′）間の対称
    平面内で貫通案内される特許請求の範囲第１項記載の装
    置。 １０、対称平面の両側に、連結部材が互いに平行にかつ
    他方の電極若しくはこれを形成するサブストレート（７
    ）に対しても平行に配置されている特許請求の範囲第９
    項記載の装置。 １１、ガス相から析出された層をサブストレート上に形
    成するために、反応能力を有するガスの供給導管が配置
    されている特許請求の範囲第１項記載の装置。
JP62047902A 1986-03-04 1987-03-04 高周波によつて励起されたプラズマ放電内でサブストレ−トをプラズマ処理するための装置 Pending JPS62282434A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863606959 DE3606959A1 (de) 1986-03-04 1986-03-04 Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung
DE3606959.0 1986-03-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62282434A true JPS62282434A (ja) 1987-12-08

Family

ID=6295415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62047902A Pending JPS62282434A (ja) 1986-03-04 1987-03-04 高周波によつて励起されたプラズマ放電内でサブストレ−トをプラズマ処理するための装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4767641A (ja)
EP (1) EP0235770B1 (ja)
JP (1) JPS62282434A (ja)
AT (1) ATE73961T1 (ja)
DE (2) DE3606959A1 (ja)
ES (1) ES2030006T3 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0199213A (ja) * 1987-10-13 1989-04-18 Mitsui Toatsu Chem Inc 膜形成装置
JPH01227426A (ja) * 1988-03-08 1989-09-11 Mitsui Toatsu Chem Inc 成膜装置
JPH0298130A (ja) * 1988-10-04 1990-04-10 Ulvac Corp 真空処理装置
US11680322B2 (en) 2011-12-28 2023-06-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for forming a laminated film on a substrate

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784033B1 (en) 1984-02-15 2004-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device
US6786997B1 (en) 1984-11-26 2004-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JPH0752718B2 (ja) 1984-11-26 1995-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜形成方法
US6113701A (en) 1985-02-14 2000-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method, and system
US6230650B1 (en) 1985-10-14 2001-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
US6673722B1 (en) 1985-10-14 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microwave enhanced CVD system under magnetic field
DE3612721C3 (de) * 1986-04-16 1994-07-14 Ver Glaswerke Gmbh Durchlauf-Kathodenzerstäubungsanlage
JPS6393881A (ja) * 1986-10-08 1988-04-25 Anelva Corp プラズマ処理装置
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
JPS63283122A (ja) * 1987-05-15 1988-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜作製装置
JPH0333058Y2 (ja) * 1987-06-26 1991-07-12
US5031571A (en) * 1988-02-01 1991-07-16 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Apparatus for forming a thin film on a substrate
US5275665A (en) * 1988-06-06 1994-01-04 Research Development Corporation Of Japan Method and apparatus for causing plasma reaction under atmospheric pressure
DE68922244T2 (de) * 1988-06-06 1995-09-14 Japan Res Dev Corp Verfahren zur Durchführung einer Plasmareaktion bei Atmosphärendruck.
JPH029115A (ja) * 1988-06-28 1990-01-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
DE3835153A1 (de) * 1988-10-15 1990-04-26 Leybold Ag Vorrichtung zum aetzen von substraten durch eine glimmentladung
JPH02248397A (ja) * 1989-03-20 1990-10-04 Onoda Cement Co Ltd ダイヤモンドの製造装置および製造方法
US4987856A (en) * 1989-05-22 1991-01-29 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. High throughput multi station processor for multiple single wafers
JPH07110991B2 (ja) * 1989-10-02 1995-11-29 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH0423429A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5071670A (en) * 1990-06-11 1991-12-10 Kelly Michael A Method for chemical vapor deposition under a single reactor vessel divided into separate reaction chambers each with its own depositing and exhausting means
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
DE4025396A1 (de) * 1990-08-10 1992-02-13 Leybold Ag Einrichtung fuer die herstellung eines plasmas
DE4037091C2 (de) * 1990-11-22 1996-06-20 Leybold Ag Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes
DE4039930A1 (de) * 1990-12-14 1992-06-17 Leybold Ag Vorrichtung fuer plasmabehandlung
US5190703A (en) * 1990-12-24 1993-03-02 Himont, Incorporated Plasma reactor chamber
DE4109619C1 (ja) * 1991-03-23 1992-08-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
US5286297A (en) * 1992-06-24 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Multi-electrode plasma processing apparatus
US5248371A (en) * 1992-08-13 1993-09-28 General Signal Corporation Hollow-anode glow discharge apparatus
DE4233895C2 (de) * 1992-10-08 1996-11-28 Juergen Prof Dr Engemann Vorrichtung zur Behandlung von durch einen Wickelmechanismus bewegten bahnförmigen Materialien mittels eines reaktiven bzw. nichtreaktiven, durch Hochfrequenz- oder Pulsentladung erzeugten Niederdruckplasmas
US5490881A (en) * 1992-11-02 1996-02-13 Gen Electric Maintaining uniformity of deposited film thickness in plasma-enhanced chemical vapor deposition
IL107827A0 (en) * 1992-12-08 1994-04-12 Hughes Aircraft Co Plasma pressure control assembly
DE4306611B4 (de) * 1993-03-03 2004-04-15 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten durch Plasmaeinwirkung
DE4321639B4 (de) * 1993-06-30 2005-06-02 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Plasmaunterstützte, chemische Vakuumbeschichtungsanlage
US5626963A (en) * 1993-07-07 1997-05-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same
US5415753A (en) * 1993-07-22 1995-05-16 Materials Research Corporation Stationary aperture plate for reactive sputter deposition
US5691010A (en) * 1993-10-19 1997-11-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Arc discharge plasma CVD method for forming diamond-like carbon films
US5472565A (en) * 1993-11-17 1995-12-05 Lam Research Corporation Topology induced plasma enhancement for etched uniformity improvement
US5647911A (en) * 1993-12-14 1997-07-15 Sony Corporation Gas diffuser plate assembly and RF electrode
EP0664347A3 (en) * 1994-01-25 1997-05-14 Applied Materials Inc Plant for the deposition of a uniform layer of a material on a substrate.
SE9403988L (sv) * 1994-11-18 1996-04-01 Ladislav Bardos Apparat för alstring av linjär ljusbågsurladdning för plasmabearbetning
US5656123A (en) * 1995-06-07 1997-08-12 Varian Associates, Inc. Dual-frequency capacitively-coupled plasma reactor for materials processing
JPH09199431A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Canon Inc 薄膜形成方法および薄膜形成装置
US5735960A (en) * 1996-04-02 1998-04-07 Micron Technology, Inc. Apparatus and method to increase gas residence time in a reactor
JP3437386B2 (ja) * 1996-09-05 2003-08-18 キヤノン株式会社 光起電力素子、並びにその製造方法
US6159763A (en) * 1996-09-12 2000-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Method and device for forming semiconductor thin film, and method and device for forming photovoltaic element
US6113731A (en) * 1997-01-02 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Magnetically-enhanced plasma chamber with non-uniform magnetic field
US6284093B1 (en) 1996-11-29 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US6074488A (en) * 1997-09-16 2000-06-13 Applied Materials, Inc Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring
JP3129265B2 (ja) * 1997-11-28 2001-01-29 日新電機株式会社 薄膜形成装置
CZ286310B6 (cs) * 1998-05-12 2000-03-15 Přírodovědecká Fakulta Masarykovy Univerzity Způsob vytváření fyzikálně a chemicky aktivního prostředí plazmovou tryskou a plazmová tryska
US6204606B1 (en) * 1998-10-01 2001-03-20 The University Of Tennessee Research Corporation Slotted waveguide structure for generating plasma discharges
US7554829B2 (en) 1999-07-30 2009-06-30 Micron Technology, Inc. Transmission lines for CMOS integrated circuits
US6494958B1 (en) 2000-06-29 2002-12-17 Applied Materials Inc. Plasma chamber support with coupled electrode
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
US6852167B2 (en) 2001-03-01 2005-02-08 Micron Technology, Inc. Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions
US8026161B2 (en) 2001-08-30 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-K gate oxide ZrO2
US6844203B2 (en) * 2001-08-30 2005-01-18 Micron Technology, Inc. Gate oxides, and methods of forming
CN1298748C (zh) * 2001-10-10 2007-02-07 乐金电子(天津)电器有限公司 具有多孔、中空电极的等离子体聚合处理装置
US20030092278A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Fink Steven T. Plasma baffle assembly
US6887341B2 (en) * 2001-11-13 2005-05-03 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus for spatial control of dissociation and ionization
US6953730B2 (en) * 2001-12-20 2005-10-11 Micron Technology, Inc. Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics
US6900122B2 (en) 2001-12-20 2005-05-31 Micron Technology, Inc. Low-temperature grown high-quality ultra-thin praseodymium gate dielectrics
US6767795B2 (en) * 2002-01-17 2004-07-27 Micron Technology, Inc. Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY
US6812100B2 (en) * 2002-03-13 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics
US7589029B2 (en) 2002-05-02 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition and conversion
US7160577B2 (en) 2002-05-02 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits
WO2003100817A1 (en) 2002-05-23 2003-12-04 Lam Research Corporation Multi-part electrode for a semiconductor processing plasma reactor and method of replacing a portion of a mutli-part electrode
US7135421B2 (en) 2002-06-05 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide
US7205218B2 (en) * 2002-06-05 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method including forming gate dielectrics having multiple lanthanide oxide layers
US6804136B2 (en) * 2002-06-21 2004-10-12 Micron Technology, Inc. Write once read only memory employing charge trapping in insulators
US7193893B2 (en) 2002-06-21 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Write once read only memory employing floating gates
US7221586B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide nanolaminates
US7221017B2 (en) 2002-07-08 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Memory utilizing oxide-conductor nanolaminates
US6921702B2 (en) 2002-07-30 2005-07-26 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics
US6884739B2 (en) 2002-08-15 2005-04-26 Micron Technology Inc. Lanthanide doped TiOx dielectric films by plasma oxidation
US20040036129A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
US6967154B2 (en) * 2002-08-26 2005-11-22 Micron Technology, Inc. Enhanced atomic layer deposition
US7199023B2 (en) * 2002-08-28 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited HfSiON dielectric films wherein each precursor is independendently pulsed
US7101813B2 (en) * 2002-12-04 2006-09-05 Micron Technology Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films
US6958302B2 (en) 2002-12-04 2005-10-25 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited Zr-Sn-Ti-O films using TiI4
US7316761B2 (en) * 2003-02-03 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for uniformly etching a dielectric layer
ES2409063T3 (es) * 2003-11-18 2013-06-24 Habasit Ag Cinta transportadora recubierta por plasma
US20050233477A1 (en) * 2004-03-05 2005-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method
US7687409B2 (en) 2005-03-29 2010-03-30 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited titanium silicon oxide films
US7662729B2 (en) 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US7709402B2 (en) 2006-02-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films
US7563730B2 (en) 2006-08-31 2009-07-21 Micron Technology, Inc. Hafnium lanthanide oxynitride films
KR100849929B1 (ko) * 2006-09-16 2008-08-26 주식회사 피에조닉스 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치
DE102007019718B3 (de) * 2007-04-26 2008-11-13 Vtd Vakuumtechnik Dresden Gmbh Großflächige Plasmaquelle für die Plasmapolymerisation und Verfahren zum Betreiben der Plasmaquelle
US20100225234A1 (en) * 2007-09-04 2010-09-09 Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research Hollow-cathode plasma generator
JP5424744B2 (ja) * 2009-07-01 2014-02-26 株式会社フェローテック 分割環状リブ型プラズマ処理装置
DE102010049017A1 (de) * 2010-10-21 2012-04-26 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
CN102333409B (zh) * 2011-06-17 2013-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 大气压等离子装置及其制造方法
CN104485272A (zh) * 2014-12-19 2015-04-01 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备
DE102015101343A1 (de) * 2015-01-29 2016-08-18 Aixtron Se CVD-Reaktor mit dreidimensional strukturierter Prozesskammerdecke
CN109700453B (zh) * 2018-12-15 2022-06-14 深圳市中科先见医疗科技有限公司 一种复合阵列电极及其制备方法和应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2115590A1 (en) * 1971-03-31 1972-10-05 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim
DE2241229C2 (de) * 1972-08-22 1983-01-20 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zum Ätzen von Substraten durch eine Glimmentladung
US4230515A (en) * 1978-07-27 1980-10-28 Davis & Wilder, Inc. Plasma etching apparatus
US4209357A (en) * 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
CA1148895A (en) * 1980-02-06 1983-06-28 Dan Maydan Reactive sputter etching of silicon
SU968097A1 (ru) * 1980-04-30 1982-10-23 Институт механики металлополимерных систем АН БССР Установка дл вакуумной металлизации полимерной пленки
JPS56152973A (en) * 1980-04-30 1981-11-26 Tokuda Seisakusho Ltd Sputter etching device
US4342901A (en) * 1980-08-11 1982-08-03 Eaton Corporation Plasma etching electrode
JPS59207620A (ja) * 1983-05-10 1984-11-24 Zenko Hirose アモルフアスシリコン成膜装置
US4612432A (en) * 1984-09-14 1986-09-16 Monolithic Memories, Inc. Etching plasma generator diffusor and cap
US4637853A (en) * 1985-07-29 1987-01-20 International Business Machines Corporation Hollow cathode enhanced plasma for high rate reactive ion etching and deposition

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0199213A (ja) * 1987-10-13 1989-04-18 Mitsui Toatsu Chem Inc 膜形成装置
JPH01227426A (ja) * 1988-03-08 1989-09-11 Mitsui Toatsu Chem Inc 成膜装置
JP2602881B2 (ja) * 1988-03-08 1997-04-23 三井東圧化学株式会社 成膜装置
JPH0298130A (ja) * 1988-10-04 1990-04-10 Ulvac Corp 真空処理装置
US11680322B2 (en) 2011-12-28 2023-06-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for forming a laminated film on a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
EP0235770A3 (en) 1989-09-06
ATE73961T1 (de) 1992-04-15
DE3777425D1 (de) 1992-04-23
ES2030006T3 (es) 1992-10-16
DE3606959A1 (de) 1987-09-10
EP0235770A2 (de) 1987-09-09
US4767641A (en) 1988-08-30
EP0235770B1 (de) 1992-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62282434A (ja) 高周波によつて励起されたプラズマ放電内でサブストレ−トをプラズマ処理するための装置
KR100228534B1 (ko) 음극스퍼터링을 이용한 플라즈마 발생장치
KR100223394B1 (ko) 플라즈마 처리장치
US7932678B2 (en) Magnetic mirror plasma source and method using same
JPH0778698A (ja) 誘導結合型高周波放電方法および誘導結合型高周波放電装置
DE102010060762B4 (de) Plasmabearbeitungsvorrichtung
JP2002516030A (ja) 誘導プラズマ処理用薄膜静電シールド
KR100388594B1 (ko) 이온빔처리장치
TW201508806A (zh) 等離子體處理裝置
WO1995015672A1 (en) Method and apparatus for planar plasma processing
US6216632B1 (en) Plasma processing system
US9175383B2 (en) Double-coating device with one process chamber
US5397448A (en) Device for generating a plasma by means of cathode sputtering and microwave-irradiation
US5085755A (en) Sputtering apparatus for forming thin films
JP2942899B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置用電極装置
JP4408987B2 (ja) スパッタ処理応用のプラズマ処理装置
TWI414620B (zh) 射頻濺鍍配置
KR20160041875A (ko) Ecr 플라즈마 스퍼터링 장치
KR101160919B1 (ko) 처리효율이 향상된 스퍼터 장치
US6110336A (en) High pressure magnetron cathode assembly and sputtering apparatus utilizing same
JPH0644138U (ja) プラズマｃｖｄ装置
KR20110105308A (ko) 스퍼터링 챔버
CN210469844U (zh) 电极组件及使用该电极组件的等离子体发生装置
KR20110028416A (ko) 유도 결합 플라즈마 방식을 이용한 스퍼터 장치
JPH09180898A (ja) プラズマ発生器及び発生方法