DE4321639B4 - Plasmaunterstützte, chemische Vakuumbeschichtungsanlage - Google Patents

Plasmaunterstützte, chemische Vakuumbeschichtungsanlage Download PDF

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Abstract

Plasmaunterstützte, chemische Vakuumbeschichtungsanlage mit einem zumindest einen Vakuumpumpenanschluß aufweisenden Vakuumbehälter, in dem zur Beschichtung eines von einem Substrathalter gehaltenen Substrates durch Abscheidung zumindest eines Stoffes aus einem in den Vakuumbehälter einströmenden Gases eine durch eine als gasdichte Wand ausgebildete Abschirmung begrenzte Plasmakammer vorgesehen ist, in welcher eine mit Hochfrequenz verbundene Elektrode und eine Gegenelektrode angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmakammer (4) eine der Elektrode (10) gegenüberliegende, in die Abschirmung (5) mehr oder minder weit hinein in Richtung der Elektrode (10) verschiebliche, an entgegengesetztem Potential wie die Elektrode (10) angeschlossene Stirnwand (6, 7) mit einem mittigen Prozeßgaseinlaß (8, 9) aufweist, daß die Abschirmung (5) im Bereich der Elektrode (10) radial nach außen in den Vakuumbehälter (1) führende Gasaustrittsöffnungen (17, 18) hat und daß der Vakuum-Pumpenanschluß (2, 3) fluchtend zum Prozeßgaseinlaß (8, 9), dem Substrathalter (11) und der Elektrode (10) angeordnet ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine plasmaunterstützte, chemische Vakuumbeschichtungsanlage mit einem zumindest einen Vakuumpumpenanschluß aufweisenden Vakuumbehälter, in dem zur Beschichtung eines von einem Substrathalter gehaltenen Substrates durch Abscheidung zumindest eines Stoffes aus einem in den Vakuumbehälter einströmenden Gases eine durch eine als gasdichte Wand ausgebildete Abschirmung begrenzte Plasmakammer vorgesehen ist, in welcher eine mit Hochfrequenz verbundene Elektrode und eine Gegenelektrode angeordnet sind.
  • Eine Beschichtungsanlage der vorstehenden Art ist beispielsweise in der EP-A-04 78 984 beschrieben. Bei ihr sind sowohl die Vakuumkammer als auch die die Plasmakammer begrenzende Abschirmung zylindrisch ausgebildet. Die Elektrode ragt von einer Stirnseite her in die Plasmakammer. Mehrere Substrate sind quer zur Längsrichtung der Plasmakammer oberhalb der Elektrode angeordnet. Das Prozeßgas strömt radial in die Vakuumkammer und von dort über die offene Stirnseite der Plasmakammer in diese hinein. Der Vakuumpumpenanschluß befindet sich koaxial zur Plasmakammer an der dem Prozeßgas gegenüberliegenden Stirnseite der Plasmakammer.
  • Zum Stand der Technik gehören auch die folgenden Schriften:
    Die Offenlegungsschrift DE 41 15 706 A1 beschreibt eine Vakuumbeschichtungsanlage, bei der eine als Substrathalter dienende Elektrode zur Veränderung des Volumens der Plasmakammer in die Abschirmung einfahrbar ist, wobei ein ringförmiger Spalt zwischen der Elektrode und der Abschirmung als Gasauslass dient. Dies hat den Nachteil, dass sich der Strömungswiderstand des Gasauslasses mit dem Volumen der Plasmakammer ändert. Der Vakuumpumpenanschluss befindet sich seitlich der Plasmakammer.
  • Eine Vakuumbeschichtungsanlage, bei der ebenfalls das Volumen der Plasmakammer veränderbar ist, beschreibt die DE 32 04 311 A1 . Die Absaugung des Prozessgases erfolgt über eine Vielzahl von Bohrungen, die in eine Ringkammer münden, die sich seitlich umlaufend unterhalb der feststehenden Elektrode befindet.
  • In der Offenlegungsschrift DE 41 40 862 A1 wird eine Kathodenzerstäubungsanlage beschrieben, bei der ein gleichmäßiger Gasstrom von einem zentralen Deckeneinlass zu einem zentralen Bodenauslass führt, um eine hohe Druckgleichmäßigkeit zu erzielen.
  • Die bekannte Beschichtungsanlage genügt heutigen Ansprüchen oftmals nicht mehr, wenn Substrate ganz besonders gleichmäßig beschichtet werden sollen. Weiterhin sind die mit ihr erreichbaren Beschichtungsraten bei unterschiedlichen Beschichtungsaufgaben nicht immer optimal, weil die Beschichtungsanlage unterschiedlichen Prozeßbedingungen nicht angepaßt werden kann.
    •
  • Der vorliegenden Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine Beschichtungsanlage der vorstehenden Art so auszu bilden, daß in ihr Substrate ganz besonders gleichmäßig beschichtet werden können und daß eine Anpassung an unterschiedliche Prozeßbedingungen möglich ist.
  • Dieses Problem wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Plasmakammer eine der Elektrode gegenüberliegende, in die Abschirmung mehr oder minder weit hinein in Richtung der Elektrode verschiebliche, an entgegengesetztem Potential wie die Elektrode angeschlossene Stirnwand mit einem mittigen Prozeßgaseinlaß aufweist, daß die Abschirmung im Bereich der Elektrode radial nach außen in den Vakuumbehälter führende Gasaustrittsöffnungen hat und daß der Vakuum-Pumpenanschluß fluchtend zum Prozeßgaseinlaß, dem Substrathalter und der Elektrode angeordnet ist.
  • Bei einer solchen Beschichtungsanlage erfolgt die Strömung des Prozeßgases koaxial zum Substrat und deshalb symmetrisch. Dadurch läßt sich über den gesamten Querschnitt des Substrates eine sehr gleichförmige Abscheiderate erzielen, was zu einer entsprechend gleichmäßigen Beschichtungsstärke führt. Da die Stirnwand der Plasmakammer axial verschieblich ausgebildet ist, kann man das Volumen der Plasmakammer verändern und deshalb unterschiedlichen Prozeßbedingungen anpassen. Dadurch ist auf einfache Weise eine Optimierung der Prozeßbedingungen bei unterschiedlichen Beschichtungsaufgaben möglich.
  • Zur weiteren Vergleichmäßigung der Gasströmung trägt es bei, wenn in der Plasmakammer mit geringem Abstand zur Stirnwand vor dem Prozeßgaseinlaß ein an gleichem Potential wie die Stirnwand angeschlossenes Prallblech angeordnet ist.
  • Elektrisch leitende Substrate können sehr einfach beschichtet werden, wenn der Substrathalter die Elektrode bildet.
  • Elektrisch nicht leitende Substrate können einseitig dadurch beschichtet werden, daß gemäß einer anderen Weiterbildung der Erfindung der Substrathalter auf der Seite der Plasmakammer unmittelbar vor der Elektrode angeordnet ist.
  • Die Vakuumbeschichtungsanlage ist zum beidseitigen Beschichten elektrisch leitfähiger Substrate geeignet, wenn die Plasmakammer zu beiden Seiten des Substrathalters eine in Richtung des Substrathalters verstellbare Stirnwand mit einem Prozeßgaseinlaß hat.
  • Ein Übertritt von Plasma in die Vakuumkammer und damit ein unerwünschtes Beschichten von Flächen innerhalb der Vakuumkammer kann man nahezu völlig ausschließen, wenn gemäß einer anderen Weiterbildung der Erfindung zur magnetischen Abschirmung des Plasmas Magnete vorgesehen sind, deren Magnetfeld in den Spalt zwischen der Stirnwand und der Abschirmung gerichtet ist.
    •
  • Die Erfindung läßt verschiedene Ausführungsformen zu. Zu ihrer weiteren Verdeutlichung sind zwei davon stark schematisch in der Zeichnung dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Diese zeigt in
  • 1 einen schematischen Längsschnitt durch eine Vakuumbeschichtungsanlage nach der Erfindung,
  • 2 einen schematischen Längsschnitt durch eine zweite Ausführungsform einer Vakuumbeschichtungsanlage nach der Erfindung.
  • Die 1 zeigt einen Vakuumbehälter 1, welcher an zwei gegenüberliegenden Seiten fluchtend zueinander jeweils einen Vakuumpumpenanschluß 2, 3 hat. Innerhalb des Vaku umbehälters 1 ist koaxial zu den Vakuumpumpenanschlüssen 2, 3 eine im Querschnitt kreisförmige Plasmakammer 4 angeordnet, welche durch eine röhrenförmige Abschirmung 5 und zwei Stirnwände 6, 7 begrenzt ist. Wichtig für die Erfindung ist, daß diese Stirnwände 6, 7 mehr oder weniger weit in die Abschirmung 5 eingefahren werden können, was durch zwei Doppelpfeile verdeutlicht wurde und wodurch sich das Volumen der Plasmakammer 4 verändern läßt.
  • Jede Stirnwand 6, 7 hat einen koaxialen Prozeßgaseinlaß 8, 9, über den von außen Prozeßgas in die Plasmakammer 4 eingegeben werden kann. Mittig in der Plasmakammer 4 ist eine Elektrode 10 angeordnet, welche innerhalb der Plasmakammer 4 als Substrathalter 11 ausgebildet ist, der ein elektrisch leitendes Substrat 12 trägt. Ein Generator 13 vermag über eine Anpassungselektronik 14 die Elektrode 10 und damit auch das Substrat 12 mit Hochfrequenz zu beaufschlagen.
  • Vor jeder Stirnwand 6, 7 ist auf der dem Substrathalter 11 zugewandten Seite mit geringem Abstand zur Stirnwand 6, 7 jeweils ein Prallblech 15, 16 angeordnet, welches das einströmende Prozeßgas radial nach außen umlenkt. Das Prozeßgas verläßt die Plasmakammer 4 über radiale Gasaustrittsöffnungen 17, 18 zu beiden Seiten des Substrathalters 11. Eine besonders gleichmäßige Beschichtung des Substrates 12 ergibt sich deshalb, weil die Vakuum-Pumpenanschlüsse 2, 3, die Prozeßgaseinlässe 8, 9 und das Substrat 12 auf einer gemeinsamen Achse 19 angeordnet sind, welche koaxial zur Plasmakammer 4 verläuft.
  • Die Vakuumbeschichtungsanlage nach 2 ist für elektrisch nicht leitende Substrate 20 bestimmt, die in einem Arbeitsgang nur einseitig beschichtet werden. Hierzu ist die Elektrode 21 mit geringem Abstand hinter dem Substrat 20 angeordnet. Im übrigen entspricht die Ausführungsform nach 2 sinngemäß der nach 1. Der Prozeßgaseinlaß 8 ist wiederum koaxial zum Vakuum-Pumpenanschluß 2 und zum Substrat 20 angeordnet.
    • 1
    Vakuumbehälter
    2
    Vakuum-Pumpenanschuß
    3
    Vakuum-Pumpenanschluß
    4
    Plasmakammer
    5
    Abschirmung
    6
    Stirnwand
    7
    Stirnwand
    8
    Prozeßgaseinlaß
    9
    Prozeßgaseinlaß
    10
    Elektrode
    11
    Substrathalter
    12
    Substrat
    13
    Generator
    14
    Anpassungselektronik
    15
    Prallblech
    16
    Prallblech
    17
    Gaseintrittsöffnung
    18
    Gaseintrittsöffnung
    19
    Achse
    20
    Substrat
    21
    Elektrode

Claims (6)

  1. Plasmaunterstützte, chemische Vakuumbeschichtungsanlage mit einem zumindest einen Vakuumpumpenanschluß aufweisenden Vakuumbehälter, in dem zur Beschichtung eines von einem Substrathalter gehaltenen Substrates durch Abscheidung zumindest eines Stoffes aus einem in den Vakuumbehälter einströmenden Gases eine durch eine als gasdichte Wand ausgebildete Abschirmung begrenzte Plasmakammer vorgesehen ist, in welcher eine mit Hochfrequenz verbundene Elektrode und eine Gegenelektrode angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmakammer (4) eine der Elektrode (10) gegenüberliegende, in die Abschirmung (5) mehr oder minder weit hinein in Richtung der Elektrode (10) verschiebliche, an entgegengesetztem Potential wie die Elektrode (10) angeschlossene Stirnwand (6, 7) mit einem mittigen Prozeßgaseinlaß (8, 9) aufweist, daß die Abschirmung (5) im Bereich der Elektrode (10) radial nach außen in den Vakuumbehälter (1) führende Gasaustrittsöffnungen (17, 18) hat und daß der Vakuum-Pumpenanschluß (2, 3) fluchtend zum Prozeßgaseinlaß (8, 9), dem Substrathalter (11) und der Elektrode (10) angeordnet ist.
  2. Vakuumbeschichtungsanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Plasmakammer (4) mit geringem Abstand zur Stirnwand (6, 7) vor dem Prozeßgaseinlaß (8, 9) ein an gleichem Potential wie die Stirnwand (6, 7) angeschlossenes Prallblech (15, 16) angeordnet ist.
  3. Vakuumbeschichtungsanlage nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Substrathalter (11) die Elektrode (10) bildet.
  4. Vakuumbeschichtungsanlage nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Substrathalter (11) auf der Seite der Plasmakammer (4) unmittelbar vor der Elektrode (21) angeordnet ist.
  5. Vakuumbeschichtungsanlage nach den Ansprüchen 1, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmakammer (4) zu beiden Seiten des Substrathalters (11) eine in Richtung des Substrathalters (11) verstellbare Stirnwand (6, 7) mit einem Prozeßgaseinlaß (8, 9) hat.
  6. Vakuumbeschichtungsanlage nach zumindest einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur magnetischen Abschirmung des Plasmas Magnete vorgesehen sind, deren Magnetfeld in den Spalt zwischen der Stirnwand (6, 7) und der Abschirmung (5) gerichtet ist.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19532100A1 (de) * 1995-08-30 1997-03-06 Leybold Ag Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Substraten

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3204311A1 (de) * 1981-02-13 1982-09-09 Lam Research Corp., 95050 Santa Clara, Calif. Plasmaarbeitskammer mit verstellbaren elektroden
DE3606959A1 (de) * 1986-03-04 1987-09-10 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung
DE4115706A1 (de) * 1990-05-18 1991-11-21 Mitsubishi Electric Corp Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von halbleiteranordnungen
JPH0445276A (ja) * 1990-06-12 1992-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜合成装置
EP0478984A1 (de) * 1990-10-05 1992-04-08 International Business Machines Corporation Anlage zur plasmachemischen Dampfbehandlung unter Verwendung des Hohlkathodeneffekts
DE4140862A1 (de) * 1991-12-11 1993-06-17 Leybold Ag Kathodenzerstaeubungsanlage
US5232508A (en) * 1991-10-07 1993-08-03 Commissariat A L'energie Atomique Gaseous phase chemical treatment reactor

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3204311A1 (de) * 1981-02-13 1982-09-09 Lam Research Corp., 95050 Santa Clara, Calif. Plasmaarbeitskammer mit verstellbaren elektroden
DE3606959A1 (de) * 1986-03-04 1987-09-10 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung
DE4115706A1 (de) * 1990-05-18 1991-11-21 Mitsubishi Electric Corp Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von halbleiteranordnungen
JPH0445276A (ja) * 1990-06-12 1992-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜合成装置
EP0478984A1 (de) * 1990-10-05 1992-04-08 International Business Machines Corporation Anlage zur plasmachemischen Dampfbehandlung unter Verwendung des Hohlkathodeneffekts
US5232508A (en) * 1991-10-07 1993-08-03 Commissariat A L'energie Atomique Gaseous phase chemical treatment reactor
DE4140862A1 (de) * 1991-12-11 1993-06-17 Leybold Ag Kathodenzerstaeubungsanlage

Non-Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BUI, V.Q. et al: Etch Gas Distribution Manifold for Plasma Reactor. In: IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 27, No. 4A, Sep. 1984, S.1978 *
BUI, V.Q.; et al: Etch Gas Distribution Manifold for Plasma Reactor. In: IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 27, No. 4A, Sep. 1984, S.1978
FRANZ, Gerhard: Kalte Plasmen, Springer-Verlag Berlin, Heidelberg u.a., 1990, S.128-129 *
JP 4-45276 A. In: Patents Abstracts of Japan, C-944, May 27, 1992, Vol.16, No.228
Patents Abstracts of Japan, C-944, May 27, 1992, Vol.16, No.228 & jp 04 045276 A *
SHENG, T. et al: Decomposition of trimethylgalli-um in the downstream region of a near afterglow plasma. In: Appl.Phys.Lett., 55, 23, 4.12.1989, S.2411-2413 *
SHENG, T.; et al: Decomposition of trimethylgalli- um in the downstream region of a near afterglow plasma. In: Appl.Phys.Lett., 55, 23, 4.12.1989, S.2411-2413
SUGANO, Takuo; KIM, Hyo-Gun: Applications of Plas- ma Processes to VLSI Technology, Verl. John Wiley & Sons, New York et al, 1985, S.164-165
SUGANO, Takuo; KIM, Hyo-Gun: Applications of Plas-ma Processes to VLSI Technology, Verl. John Wiley & Sons, New York et al, 1985, S.164-165 *

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