DE4115706A1 - Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von halbleiteranordnungen - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von halbleiteranordnungenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur
Plasmabehandlung von Halbleiteranordnungen, insbesondere bei
verschiedenen Herstellungsschritten der Anordnungen.
Fig. 1 zeigt im Schnitt eine konventionelle Plasmabehand
lungsvorrichtung mit parallelen Elektrodenplatten. Dabei
liegt eine Halbleiterscheibe 1 auf einer unteren Elektrode 2,
an die eine HF-Spannung von einer HF-Stromversorgung angelegt
wird. An einer Stelle über der unteren Elektrode 2 ist eine
obere Elektrode 4 mit der unteren parallel und ihr gegenüber
stehend angeordnet. Die obere Elektrode 4 ist geerdet. Eine
Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen 5 mündet an der Unterseite
der oberen Elektrode 4 und dient dem Ausstoßen von Bearbei
tungsgas in den Entladungsraum zwischen den beiden Elektroden
4 und 2 und der Verteilung des ausgestoßenen Gases in diesem
Entladungsraum. Die untere und die obere Elektrode 2 und 4
und weitere zugehörige Bauelemente sind in einem Unterdruck
behälter oder Vakuumbehälter 6 angeordnet.
Die so aufgebaute konventionelle Vorrichtung zur Plasmabe
handlung von Halbleiteranordnungen arbeitet wie folgt. Eine
Halbleiterscheibe 1 wird auf die untere Elektrode 2 gelegt.
Das Innere des Unterdruckbehälters 6 wird durch eine Evaku
ierungsöffnung 7, die am Unterdruckbehälter 6 vorgesehen ist,
evakuiert. Wenn der Innenraum des Unterdruckbehälters 6 einen
vorbestimmten Unterdruck erreicht hat, wird durch eine Gas
einführöffnung 8, die an einer oberen Stelle der oberen
Elektrode 4 vorgesehen ist, Bearbeitungsgas eingeleitet. Das
Bearbeitungsgas wird aus den Gasaustrittsöffnungen 5, die an
der Unterseite der oberen Elektrode 4 münden, ausgestoßen und
verteilt sich in dem Entladungsraum zwischen den beiden Elek
troden 4 und 2. Dann wird an die untere Elektrode 2 von der
HF-Stromversorgung 3 eine HF-Spannung angelegt, so daß in dem
Entladungsraum zwischen den beiden Elektroden 2 und 4 ein
Plasma erzeugt und die Halbleiterscheibe 1 mit dem Plasma
behandelt wird. Eine Halbleiteranordnung wird einer Plasmabe
handlung beispielsweise während des Ätzvorgangs und während
der Lackentfernung unterworfen.
Bei der vorstehend beschriebenen konventionellen Plasmabe
handlungsvorrichtung treten die folgenden Probleme auf. Das
aus den Gasaustrittsöffnungen 5, die an der Unterseite der
oberen Elektrode 4 münden, ausgestoßene Gas verteilt sich in
dem Entladungsraum zwischen der oberen und der unteren Elek
trode 4 und 2, und ein Teil des Gases gelangt aus dem Ent
ladungsraum nach außen und wird schließlich durch die Evaku
ierungsöffnung 7 abgeführt. Infolgedessen ist die Gasmenge,
die die Oberfläche der Halbleiterscheibe 1 erreicht, im Hin
blick auf die tatsächlich durch die Gaseinführöffnung 8 ein
geführte Gesamtmenge des Bearbeitungsgases relativ klein. Die
Halbleiterscheibe 1 wird daher nur mit geringem Wirkungsgrad
bearbeitet. Ein weiteres Problem besteht darin, daß das Gas
an der Oberfläche der Halbleiterscheibe 1 ungleichmäßig ver
teilt wird, weil ein Teil des ausgestoßenen Bearbeitungsgases
zur Außenseite des Entladungsraums zwischen den beiden Elek
troden 4 und 2 austritt. Das führt zu einer Verminderung des
Bearbeitungs-Wirkungsgrads und einer ungleichmäßigen Behand
lung verschiedener Teile der Oberfläche der Halbleiterscheibe
1.
Die Erfindung dient dem Zweck der Überwindung der vorgenann
ten Probleme. Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung
eines Verfahrens und einer Vorrichtung zur Plasmabehandlung
von Halbleiteranordnungen, wobei der Umfang, in dem Bearbei
tungsgas die Oberfläche einer Halbleiterscheibe erreicht,
verbessert wird, so daß dadurch der Wirkungsgrad der Bearbei
tung der Halbleiterscheibe erhöht wird; dabei soll außerdem
eine gleichmäßige Verteilung von Bearbeitungsgas zwischen
zwei Elektroden erreicht werden, wodurch die Gleichmäßigkeit
verbessert wird, mit der verschiedene Teile der Oberfläche
der Halbleiterscheibe behandelt werden.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine Vorrichtung zur
Plasmabehandlung von Halbleiteranordnungen angegeben, die
umfaßt: einen Unterdruckbehälter; eine in dem Unterdruckbe
hälter angeordnete untere Elektrode, auf die eine Halblei
terscheibe auflegbar ist; eine an einem oberen Teil des Un
terdruckbehälters vorgesehene obere Elektrode, die der unte
ren Elektrode parallel dazu gegenübersteht; eine Vielzahl von
an der Unterseite der oberen Elektrode geformten Gasaus
trittsöffnungen zum Ausstoßen von Bearbeitungsgas in Richtung
zu der Halbleiterscheibe; eine am Außenrand der oberen und
der unteren Elektrode vorgesehene Abdeckung, die die Art und
Weise, wie das aus den Gasaustritttsöffnungen ausgestoßene
Bearbeitungsgas verteilt wird, sowie das Ausmaß, in dem das
Gas die Halbleiterscheibe erreicht, verbessert; eine HF-
Stromversorgung, die an die obere und die untere Elektrode
eine HF-Spannung zur Erzeugung von Plasma anlegt; und eine an
dem Unterdruckbehälter vorgesehene Evakuierungseinrichtung,
durch die ein Teil des im Unterdruckbehälter befindlichen
Gases abführbar ist.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren
zur Plasmabehandlung von Halbleiteranordnungen angegeben, das
die folgenden Schritte umfaßt: Anordnen einer Halbleiter
scheibe auf einer in einem Unterdruckbehälter befindlichen
unteren Elektrode; Bewirken, daß aus einer Vielzahl von Gas
austrittsöffnungen, die in der Unterseite einer oberen Elek
trode, die im Unterdruckbehälter parallel zu der unteren
Elektrode und ihr gegenüberstehend angeordnet ist, gebildet
sind, Bearbeitungsgas in Richtung zu der Halbleiterscheibe
ausgestoßen wird; Verbessern der Art und Weise, wie das aus
gestoßene Bearbeitungsgas sich verteilt, sowie des Ausmaßes,
in dem das Gas die Halbleiterscheibe erreicht, mittels einer
am Außenumfang der beiden Elektroden vorgesehenen Abdeckung,;
und Anlegen einer HF-Spannung zwischen die obere und die
untere Elektrode unter Erzeugung von Plasma, mit dem die
Halbleiterscheibe behandelt wird.
Die Erfindung wird nachstehend auch hinsichtlich weiterer
Merkmale und Vorteile anhand der Beschreibung von Ausfüh
rungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:
Fig. 1 einen Schnitt durch eine konventionelle Plasmabe
handlungsvorrichtung;
Fig. 2 einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel der
Plasmabehandlungsvorrichtung nach der Erfindung;
und
Fig. 3 einen Schnitt durch ein anderes Ausführungsbeispiel
der Plasmabehandlungsvorrichtung nach der Erfin
dung.
Fig. 2 zeigt im Schnitt ein Ausführungsbeispiel der Plasmabe
handlungsvorrichtung. Dabei sind mit 1-8 Teile bezeichnet,
die den entsprechenden Teilen in der oben beschriebenen kon
ventionellen Plasmabehandlungsvorrichtung für Halbleiteran
ordnungen vollständig entsprechen. An der Unterseite der obe
ren Elektrode 4 ist eine zylindrische Abdeckung 9 vorgesehen
und erstreckt sich von dieser Unterseite. Die Abdeckung 9
umgibt den Entladungsraum zwischen der oberen Elektrode 4 und
der unteren Elektrode 2 am Außenumfang des Entladungsraums.
Das ferne bzw. untere Ende der Abdeckung 9 liegt unterhalb
der Oberfläche einer auf der unteren Elektrode 2 angeordneten
Halbleiterscheibe 1. Das Material, aus dem die Abdeckung 9
besteht, ist bevorzugt inert und korrosionsbeständig, so daß
es von dem Bearbeitungsgas nicht angegriffen wird. Geeignete
Beispiele hierfür sind Quarz, ein Keramikmaterial und Teflon.
Die so aufgebaute Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Halb
leiteranordnungen arbeitet wie folgt. Eine Halbleiterscheibe
1 wird auf die untere Elektrode 2 gelegt, und das Innere des
Unterdruckbehälters 6 wird durch die Evakuierungsöffnung 7
evakuiert. Dann wird durch die Gaseinführöffnung 8 Bearbei
tungsgas eingeleitet und aus den an der Unterseite der oberen
Elektrode 4 gebildeten Gasaustrittsöffnungen 5 in Richtung
zur Halbleiterscheibe ausgestoßen. Eine HF-Spannung wird von
der HF-Stromversorgung 3 an die untere Elektrode 2 angelegt,
so daß in dem Entladungsraum zwischen den beiden Elektroden 2
und 4 ein Plasma erzeugt und die Halbleiterscheibe 1 mit dem
Plasma behandelt wird.
Da am Außenumfang des Entladungsraums zwischen den Elektroden
die Abdeckung 9 angeordnet ist, verteilt sich das austretende
Bearbeitungsgas gleichmäßig in dem Entladungsraum zwischen
der oberen und der unteren Elektrode 4 und 2, ohne zur Außen
seite des Entladungsraums zu gelangen, und erreicht die Ober
fläche der Halbleiterscheibe 1. Es ist daher möglich, den
Wirkungsgrad zu verbessern, mit dem die Halbleiterscheibe 1
bearbeitet wird, und außerdem die Gleichmäßigkeit zu erhöhen,
mit der verschiedene Teile der Oberfläche der Halbleiter
scheibe 1 behandelt werden. Nachdem das Gas die Oberfläche
erreicht hat, tritt ein Teil des Bearbeitungsgases durch den
Zwischenraum zwischen der unteren Elektrode 2 und dem Unter
ende der Abdeckung 9, das unterhalb der Oberfläche der Halb
leiterscheibe 1 liegt, aus und gelangt in den Raum, der
außerhalb des Entladungsraums zwischen den Elektroden, jedoch
im Inneren des Unterdruckbehälters 6 liegt. Dann wird ein
Teil des Gases durch die Evakuierungsöffnung 7 zur Außenseite
des Unterdruckbehälters 6 abgeführt.
Unter der Voraussetzung, daß das Unterende der Abdeckung un
terhalb der Oberfläche der auf der unteren Elektrode 2 lie
genden Halbleiterscheibe 1 positioniert ist, kann die Abdek
kung 9 des oben beschriebenen Ausführungsbeispiels durch eine
andere Abdeckung ersetzt werden. So kann beispielsweise eine
Abdeckung 10 (Fig. 3) beträchtlicher Länge verwendet werden,
die sich längs der Außenseite der tischförmigen unteren Elek
trode 2 nach unten erstreckt und nur einen kleinen Spalt frei
läßt. Damit wird ein quasi abgeschlossener Behandlungsraum
von der Abdeckung 10 gebildet und eine wirkungsvolle Ausnutzung
des Plasmas gewährleistet.
Wahlweise können eine der oder beide Elektroden 2 und 4 in
ihren Positionen zueinander verschiebbar sein, derart, daß
sich der Abstand zwischen den beiden Elektroden 2 und 4 ein
stellen läßt. Damit kann zugleich das Ausmaß der Überlappung
durch die Abdeckung 9 oder 10, die Feldstärke zwischen den
Elektroden 2 und 4 sowie der Gasdruck bzw. die Gasdichte im
Behandlungsraum eingestellt werden.
Claims (7)
1. Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Halbleitervor
richtungen,
gekennzeichnet durch
einen Unterdruckbehälter (6) ;
eine in dem Unterdruckbehälter vorgesehene untere Elek trode (2), auf die eine Halbleiterscheibe (1) auflegbar ist;
eine an einer oberen Position des Unterdruckbehälters an geordnete obere Elektrode (4), die parallel zu der unteren Elektrode (2) und ihr gegenüberstehend angeordnet ist;
eine Vielzahl von in der Unterseite der oberen Elektrode (4) gebildeten Gasaustrittsöffnungen (5) zum Ausstoßen von Bearbeitungsgas in Richtung zu der Halbleiterscheibe (1);
eine am Außenumfang der oberen und der unteren Elektrode (4, 2) angeordnete Abdeckung (9; 10) zur Verbesserung der Art und Weise, wie das aus den Gasaustrittsöffnungen (5) ausge stoßene Bearbeitungsgas sich verteilt, und des Ausmaßes, in dem das Gas die Halbleiterscheibe (1) erreicht;
eine HF-Stromversorgung (3), die an die obere und die untere Elektrode (4, 2) eine HF-Spannung zur Erzeugung von Plasma anlegen kann; und
eine Evakuierungseinrichtung (7) an dem Unterdruckbehälter (6), mit der ein Teil des in dem Unterdruckbehälter befindli chen Gases abgezogen werden kann.
einen Unterdruckbehälter (6) ;
eine in dem Unterdruckbehälter vorgesehene untere Elek trode (2), auf die eine Halbleiterscheibe (1) auflegbar ist;
eine an einer oberen Position des Unterdruckbehälters an geordnete obere Elektrode (4), die parallel zu der unteren Elektrode (2) und ihr gegenüberstehend angeordnet ist;
eine Vielzahl von in der Unterseite der oberen Elektrode (4) gebildeten Gasaustrittsöffnungen (5) zum Ausstoßen von Bearbeitungsgas in Richtung zu der Halbleiterscheibe (1);
eine am Außenumfang der oberen und der unteren Elektrode (4, 2) angeordnete Abdeckung (9; 10) zur Verbesserung der Art und Weise, wie das aus den Gasaustrittsöffnungen (5) ausge stoßene Bearbeitungsgas sich verteilt, und des Ausmaßes, in dem das Gas die Halbleiterscheibe (1) erreicht;
eine HF-Stromversorgung (3), die an die obere und die untere Elektrode (4, 2) eine HF-Spannung zur Erzeugung von Plasma anlegen kann; und
eine Evakuierungseinrichtung (7) an dem Unterdruckbehälter (6), mit der ein Teil des in dem Unterdruckbehälter befindli chen Gases abgezogen werden kann.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Abdeckung (9; 10) aus Quarz besteht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Abdeckung (9; 10) aus einem Keramikmaterial besteht.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Abdeckung (9; 10) aus Teflon besteht.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Abdeckung (9; 10) an der oberen Elektrode (4)
vorgesehen ist und sich zur unteren Elektrode (2) erstreckt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Unterende der Abdeckung (9; 10) unterhalb der Ober
fläche der Halbleiterscheibe (1) positioniert ist.
7. Verfahren zur Plasmabehandlung von Halbleiteranordnungen,
gekennzeichnet durch
die folgenden Schritte:
Anordnen einer Halbleiterscheibe auf einer in einem Unter druckbehälter vorgesehenen unteren Elektrode;
Veranlassen, daß Bearbeitungsgas aus einer Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen, die an der Unterseite einer in dem Unterdruckbehälter vorgesehenen oberen Elektrode, die paral lel zu der unteren Elektrode und ihr gegenüberstehend ange ordnet ist, ausgebildet sind, in Richtung zu der Halbleiter scheibe ausgestoßen wird;
Verbessern der Art und Weise, wie das ausgestoßene Bear beitungsgas sich verteilt, und des Ausmaßes, in dem das Gas die Halbleiterscheibe erreicht, mit Hilfe einer am Außenum fang der oberen und der unteren Elektrode vorgesehenen Ab deckung; und
Anlegen einer HF-Spannung zwischen die obere und die untere Elektrode unter Erzeugung eines Plasmas, mit dem die Halbleiterscheibe behandelt wird.
Anordnen einer Halbleiterscheibe auf einer in einem Unter druckbehälter vorgesehenen unteren Elektrode;
Veranlassen, daß Bearbeitungsgas aus einer Vielzahl von Gasaustrittsöffnungen, die an der Unterseite einer in dem Unterdruckbehälter vorgesehenen oberen Elektrode, die paral lel zu der unteren Elektrode und ihr gegenüberstehend ange ordnet ist, ausgebildet sind, in Richtung zu der Halbleiter scheibe ausgestoßen wird;
Verbessern der Art und Weise, wie das ausgestoßene Bear beitungsgas sich verteilt, und des Ausmaßes, in dem das Gas die Halbleiterscheibe erreicht, mit Hilfe einer am Außenum fang der oberen und der unteren Elektrode vorgesehenen Ab deckung; und
Anlegen einer HF-Spannung zwischen die obere und die untere Elektrode unter Erzeugung eines Plasmas, mit dem die Halbleiterscheibe behandelt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2126982A JPH0423429A (ja) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | 半導体装置のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4115706A1 true DE4115706A1 (de) | 1991-11-21 |
Family
ID=14948721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4115706A Withdrawn DE4115706A1 (de) | 1990-05-18 | 1991-05-14 | Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von halbleiteranordnungen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5210055A (de) |
JP (1) | JPH0423429A (de) |
DE (1) | DE4115706A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4321639A1 (de) * | 1993-06-30 | 1995-01-12 | Leybold Ag | Plasmaunterstützte, chemische Vakuumbeschichtungsanlage |
EP0649165A1 (de) * | 1993-09-21 | 1995-04-19 | Applied Materials, Inc. | Verfahren zur Verminderung der Teilchenkontamination während der Plasma-Bearbeitung von Halbleiterbauelementen |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5891350A (en) * | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
US5670218A (en) * | 1995-10-04 | 1997-09-23 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming ferroelectric thin film and apparatus therefor |
US6902683B1 (en) * | 1996-03-01 | 2005-06-07 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US6974523B2 (en) * | 2001-05-16 | 2005-12-13 | Lam Research Corporation | Hollow anode plasma reactor and method |
US7147749B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
WO2005055298A1 (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置及びマルチチャンバシステム |
JP5474291B2 (ja) * | 2007-11-05 | 2014-04-16 | 株式会社アルバック | アッシング装置 |
US8617347B2 (en) * | 2009-08-06 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer |
JP5884500B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US10358721B2 (en) * | 2015-10-22 | 2019-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor manufacturing system including deposition apparatus |
JP6575641B1 (ja) * | 2018-06-28 | 2019-09-18 | 株式会社明電舎 | シャワーヘッドおよび処理装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3606959A1 (de) * | 1986-03-04 | 1987-09-10 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung |
EP0115970B1 (de) * | 1983-01-05 | 1988-06-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Gefäss für die Bearbeitung, insbesondere Ätzung von Substraten durch das Verfahren des reaktiven Plasma |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4512283A (en) * | 1982-02-01 | 1985-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Plasma reactor sidewall shield |
JPS58213427A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング装置 |
US4511593A (en) * | 1983-01-17 | 1985-04-16 | Multi-Arc Vacuum Systems Inc. | Vapor deposition apparatus and method |
US4479455A (en) * | 1983-03-14 | 1984-10-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Process gas introduction and channeling system to produce a profiled semiconductor layer |
US4626447A (en) * | 1985-03-18 | 1986-12-02 | Energy Conversion Devices, Inc. | Plasma confining apparatus |
-
1990
- 1990-05-18 JP JP2126982A patent/JPH0423429A/ja active Pending
- 1990-10-17 US US07/601,914 patent/US5210055A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-05-14 DE DE4115706A patent/DE4115706A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0115970B1 (de) * | 1983-01-05 | 1988-06-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Gefäss für die Bearbeitung, insbesondere Ätzung von Substraten durch das Verfahren des reaktiven Plasma |
DE3606959A1 (de) * | 1986-03-04 | 1987-09-10 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zur plasmabehandlung von substraten in einer durch hochfrequenz angeregten plasmaentladung |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4321639A1 (de) * | 1993-06-30 | 1995-01-12 | Leybold Ag | Plasmaunterstützte, chemische Vakuumbeschichtungsanlage |
DE4321639B4 (de) * | 1993-06-30 | 2005-06-02 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Plasmaunterstützte, chemische Vakuumbeschichtungsanlage |
EP0649165A1 (de) * | 1993-09-21 | 1995-04-19 | Applied Materials, Inc. | Verfahren zur Verminderung der Teilchenkontamination während der Plasma-Bearbeitung von Halbleiterbauelementen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5210055A (en) | 1993-05-11 |
JPH0423429A (ja) | 1992-01-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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