DE3635647A1 - Plasmareaktor zum aetzen von leiterplatten od. dgl. - Google Patents
Plasmareaktor zum aetzen von leiterplatten od. dgl.Info
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Plasmareaktor zum
Ätzen von Leiterplatten od. dgl., mit einer Reaktions
kammer, einer Gaszu- und Gasableitung und mit Elektroden,
zwischen denen die zu behandelnden Leiterplatten angeordnet
werden können.
Bei mehrlagigen Leiterplatten sind durchkontaktierte Bohr
löcher vorgesehen, und zwar oft einige tausend Bohrungen
je Platte. Nach dem Bohren der Löcher sollen diese mit
einer Kupferplattierung versehen werden, doch treten beim
Bohren organische Verschmierungen auf, die vor dem Plattieren
entfernt werden müssen, um ein einwandfreies Durchkontaktieren
zu ermöglichen. Zur Entfernung dieser Verschmierungen ist
es bekannt, die Leiterplatten in einem Gasplasma zu reinigen.
Zu diesem Zweck wird ein Gasgemisch, z.B. Sauerstoff und
Tetrafluormethan, in eine Reaktionskammer geleitet,
in welcher die Leiterplatten zwischen Elektroden angeordnet
sind. Eine Hochfrequenzspannung an den Elektroden ionisiert
das Gasgemisch und die Plasmabestandteile (Elektronen,
Ionen, Radikale) tragen die Verunreinigungen ab.
Ein bekannter Reaktor für diesen Zweck (US-PS 42 89 598)
besitzt eine liegende Reaktionskammer mit kreisförmigem
Querschnitt, die an einer Seite mit einer den ganzen Quer
schnitt freigebenden Türe gasdicht verschließbar ist. Im
Inneren der Kammer sind stab- oder plattenförmige Elektroden
parallel zueinander angeordnet, wobei die Elektroden ab
wechselnd an die Pole einer Hochfrequenz-Spannungsquelle
angeschlossen sind. Mittels einer geeigneten Aufhängung
können die zu behandelnden Leiterplatten so in die Kammer
eingebracht werden, daß jede Leiterplatte zwischen
Elektroden unterschiedlicher Polarität liegt. Für das
Reaktionsgas ist ein Gaszuleitung vorgesehen, die zu
drei oder mehr Auslässen im Inneren der Kammer führt.
Die Auslässe sind gegen Prallplatten gerichtet, um eine
gleichmäßigere Gasströmung zu erreichen.
Bei dem bekannten Reaktor ergibt sich jedoch keine zu
friedenstellende Homogenität des Plasmas, da trotz der
Prallplatten für das einströmende Gas im Bereich der
Leiterplatten Turbulenzen bzw. verschiedene Gasge
schwindigkeiten auftreten, die zu ungleichmäßigen Ab
tragraten der Verunreinigungen führen.
Für das Plasmaätzen sehr kleiner Teile ist es bereits
bekannt geworden (DE-OS 31 40 675 und DE-OS 31 19 742),
eine Elektrode aus porösem Material auszubilden und
das Gas durch diese Elektrode einströmen zu lassen, um
auf diese Weise eine gleichmäßigere Gasströmung zu
erhalten. Abgesehen davon, daß diese Lösung nur für
kleine Teile anwendbar ist, ergibt die Kombination
Elektrode-Gasauslaß die Problematik, daß Änderungen der
Elektrodenform zu einer Änderung der Strömungsverteilung
führen. An eine Anwendung für die Reinigung von Leiter
platten ist nicht zu denken, da in diesem Fall viele
Elektroden und große zu reinigende Flächen vorliegen.
Es ist ein Ziel der Erfindung, einen Plasmareaktor zu
schaffen, der die gleichmäßige Behandlung auch groß
flächiger Werkstücke mit sehr gutem Wirkungsgrad er
möglicht.
Dieses Ziel läßt sich mit einem Plasmareaktor der eingangs
angegebenen Art erreichen, bei welchem erfindungsgemäß
vorzugsweise an der Oberseite der Reaktionskammer eine
sich im wesentlichen über deren gesamte Länge und Breite
erstreckende Fritte zur Gaszuführung vorgesehen ist, die
nach außen von einer gasdichten Haube abgedeckt ist.
Dank der Erfindung läßt sich eine homogene und laminare
Gasströmung über den genutzten Reaktorquerschnitt er
reichen, wodurch sich kürzere Durchsatzzeiten ergeben und
die Verunreinigungen auf den Leiterplatten gleichmäßig
abgetragen werden.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung zeichnet
sich dadurch aus, daß die Fritte selbsttragend ausgebildet
und an ihren Rändern an der Wandung der Reaktionskammer
abgestützt ist.
In Hinblick auf die Druckdifferenz an den beiden Seiten
der Fritte kann es aber auch empfehlenswert sein, wenn
die Fritte auf einer Lochplatte aufliegt, die mit ihren
Rändern an der Wandung der Reaktionskammer abgestützt ist.
Die zusätzliche Verwendung der Lochplatte stört die
Homogenität der Gasverteilung kaum, da nach Durchtritt
des Gases durch die Fritte dessen Geschwindigkeit und
Druck auf die niedrigen, in der Reaktionskammer vor
herrschenden Werte verringert wird.
Wenn die Dicke der Fritte über die Reaktorlänge bzw.
-breite unterschiedlich ist, lassen sich Unsymmetrien
der Reaktionskammer kompensieren. So wird z.B. bei
gleichmäßiger Dicke der Fritte und zentraler Absaugung
im allgemeinen ein über den Querschnitt ungleichmäßiges
Geschwindigkeitsprofil auftreten. Dies läßt sich ver
meiden, wenn die Dicke der Fritte über den Reaktorquer
schnitt unterschiedlich bemessen ist, z.B. über den
Reaktor von einem Rand bis zur Mitte ansteigt und zum
anderen Rand wieder abfällt.
Die Erfindung samt ihren weiteren Vorteilen und Merkmalen
ist im folgenden an Hand beispielsweiser Ausführungsformen
näher erläutert, die in der Zeichnung veranschaulicht sind.
In dieser zeigen Fig. 1 in schaubildlicher und schematischer
Ansicht einen Plasmareaktor nach der Erfindung, teilweise
geschnitten, Fig. 2 geschnitten und in vergrößerter Dar
stellung in einem Randbereich die Anordnung einer Fritte
auf einer Lochplatte mit einer Abdeckhaube und Fig. 3 und
4 in schematischem Schnitt das Strömungsprofil durch den
Reaktor bei unterschiedlicher Ausbildung der Fritte.
Gemäß Fig. 1 weist der Plasmareaktor eine Reaktionskammer
1 auf, die von einer druckfesten Wandung 2 umschlossen ist.
An der Oberseite der Kammer ist die Wandung geöffnet und
besitzt an ihren Rändern Schultern 3, auf welchen eine
Lochplatte 4 aufliegt, die z.B. aus Stahl besteht und mit
einer größeren Anzahl von Bohrungen 5 durchsetzt ist. Auf
der Lochplatte 4 liegt eine Fritte 6 auf, die aus ge
sintertem, gasdurchlässigem Material, z.B. aus Keramik
od.dgl., bestehen kann. Die Fritte kann auch aus, gegebenen
falls gepreßtem, in geeigneter Weise gehaltenem Schütt
gut bestehen. Die Lochplatte 4 und die Fritte 6 sind nach
oben von einer gasdichten Haube 7 abgedeckt, die an ihrer
Oberseite eine Gaszuführleitung 8 aufweist. Die Haube 7
ist gegen die Wandung 2 der Reaktionskammer 1 abgedichtet
und in üblicher Weise, hier nur angedeutet, mit dieser
fest verbunden, z.B. verschraubt.
An der Unterseite der Kammer 1 sind in deren Wandung 2 eine
oder besser mehrere, nicht gezeigte Gasaustrittsöffnungen
vorgesehen, die mit einer Gasableitung 9 verbunden sind.
An diese Leitung 9 ist eine Vakuumpumpe 10 angeschlossen.
Längs der Reaktionskammer erstrecken sich mehrere Reihen
von Elektroden 11, die platten- oder stabförmig ausgebildet
sein können und hier - als zum Stande der Technik gehörend
(siehe z.B. US-PS 42 89 598) - nur angedeutet sind. Die
Elektroden sind isoliert aufgehängt und abwechselnd mit je
einem Pol einer Hochfrequenz-Spannungsquelle 12 verbunden.
Zwischen die Elektroden 11 können die zu behandelnden Leiter
platten 13 eingebracht werden, wobei je gleicher Abstand zu
der links bzw. rechts benachbarten Elektrode eingehalten
ist. Die Leiterplatten 13 können in Halterungen eingehängt
sein, die längs am oberen Bereich der Reaktionskammer 1
vorgesehener, hier nicht gezeigter, Schienen verfahrbahr
sind, um ein einfaches Be- und Entladen der Kammer 1 zu
ermöglichen. Die Aufhängung der Leiterplatten 13 ist bei
spielsweise in der eben genannten US-Patentschrift beschrieben.
Fig. 2 ist entnehmbar, daß die Lochplatte 4 mittels einer
Dichtung 14 gegen die Schulter 3 der Behälterwandung 2 ab
gedichtet ist. Auch die Haube 7, welche die Reaktionskammer
nach oben abschließt, ist mit einer Dichtung 15 gegen die
Wandung 2 abgedichtet. Sofern eine Fritte 6 mit genügend
hoher Festigkeit gewählt wird, kann die Lochplatte 4 ent
fallen und die in diesem Fall selbsttragende Fritte 6 kann
an ihrem Rand, z.B. an einer Schulter, der Behälterwandung
2 abgestützt werden. Sie nimmt dann die vorhandene Druck
differenz (z.B. Außendruck 3,5 bar, Innendruck 10-4 bar)
auf.
Ein weiterer, der Erfindung inhärenter Vorteil ist an Hand
der Fig. 3 und 4 erläutert. Aus der Fritte 6 strömt ein
praktisch homogener Gasstrom, doch wird dieser in der Folge
von der Geometrie der Reaktionskammer bzw. von den
Elektroden- und Leiterplattenaufhängungen etc. beeinflußt.
Insbesondere wird das durch Pfeile angedeutete Geschwindig
keitsprofil in vielen Fällen zur Behälterwandung abnehmende
Gasgeschwindigkeiten aufweisen. Im letztgenannten Fall kann
das Geschwindigkeitsprofil dadurch homogenisiert werden,
daß die Fritte 6 eine zu ihren Rändern abnehmende Dicke
aufweist, wie dies in Fig. 4 dargestellt ist. Aber auch
anders verlaufende Inhomogenitäten des Geschwindigkeits
profils können durch entsprechende Formgebung der Fritte 6
ausgeglichen werden. Die erforderliche Form kann in ein
facheren Fällen unter Zuhilfenahme der Strömungstheorie
berechnet oder aber durch Versuche ermittelt werden.
Die Erfindung ist natürlich auch in Zusammenhang mit anderen
Formen der Reaktorkammer, z.B. stehende Kammer, anderer
Querschnitt usw., anwendbar. Ebenso muß die Fritte nicht
notwendigerweise an der Oberseite der Kammer vorgesehen
sein. Sie soll sich jedoch im wesentlichen über die gesamte
Länge und Breite der Reaktionskammer erstrecken, worunter
zu verstehen ist, daß sie - in Strömungsrichtung des Gases
gesehen - im wesentlichen den genutzten Raum der Reaktions
kammer abdecken soll. Dank der Erfindung können große
Chargen von großflächigen Leiterplatten mit Flächen in
der Größenordnung bis zu einem Quadratmeter je Platte
rasch und gleichmäßig behandelt werden. Ganz allgemein
ist die Erfindung aber auch im Zusammenhang mit der Plasma
behandlung anderer Werstücke einsetzbar, da der Vorteil
der homogenen Gas- und Plasmaverteilung nicht nur beim
Leiterplatten-Plasmaätzen zum Tragen kommt.
Claims (5)
1. Plasmareaktor zum Ätzen von Leiterplatten od. dgl.,
mit einer Reaktionskammer, einer Gaszu- und Gasableitung
und mit Elektroden, zwischen denen die zu behandelnden
Leiterplatten angeordnet werden können, dadurch gekenn
zeichnet, daß vorzugsweise an der Oberseite der Reaktions
kammer (1) eine sich im wesentlichen über deren gesamte
Länge und Breite erstreckende Fritte (6) zur Gaszuführung
vorgesehen ist, die nach außen von einer gasdichten Haube
(7) abgedeckt ist.
2. Plasmareaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Fritte (6) selbsttragend ausgebildet und an ihren
Rändern an der Wandung (2) der Reaktionskammer (1) abge
stützt ist.
3. Plasmareaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Fritte (6) auf einer Lochplatte (4) aufliegt, die
mit ihren Rändern an der Wandung (2) der Reaktionskammer
(1) abgestützt ist.
4. Plasmareaktor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dicke der Fritte (6) über die
Reaktorlänge bzw. -breite unterschiedlich ist.
5. Plasmareaktor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dicke der Fritte (6) über den Reaktorquerschnitt
unterschiedlich bemessen ist, z.B. über die Reaktor
breite von einem Rand bis zur Mitte ansteigt und zum
anderen Rand hin wieder abfällt (Fig. 4).
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