JPS62267623A - 分光測定センサ - Google Patents
分光測定センサInfo
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- JPS62267623A JPS62267623A JP11149786A JP11149786A JPS62267623A JP S62267623 A JPS62267623 A JP S62267623A JP 11149786 A JP11149786 A JP 11149786A JP 11149786 A JP11149786 A JP 11149786A JP S62267623 A JPS62267623 A JP S62267623A
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮又上五且徂光亘
本発明は、波長によって光電変換率が異なるシリコンフ
ォトダイオードなどの受光素子を列設した受光素子アレ
イと、前記個々の受光素子に対向または接触して配置さ
れ、波長によって透過率が異なる複数のフィルタとから
なる分光測定センサに関する。
ォトダイオードなどの受光素子を列設した受光素子アレ
イと、前記個々の受光素子に対向または接触して配置さ
れ、波長によって透過率が異なる複数のフィルタとから
なる分光測定センサに関する。
従来の皮孔
従来のこの種の分光測定センサとして、特開昭59−2
0804号公報に開示されたものを第4図に示し、以下
これを説明する。
0804号公報に開示されたものを第4図に示し、以下
これを説明する。
第4図において、1)はシリコンフォトダイオード(S
PD)llaを列設したシリコンフォトダイオードアレ
イ (SPDアレイ)である。
PD)llaを列設したシリコンフォトダイオードアレ
イ (SPDアレイ)である。
13は干渉フィルタであり、表面が階段状に、裏面が平
坦に形成された二酸化シリコン(SiO2)層13a、
二酸化シリコンI!!j13aの表裏両面に蒸着された
1艮(Ag)Ji13b、13cおよびi長石13bの
表面、銀層13cの裏面に蒸着された二酸化シリコン(
Sing)の保護膜13d、 13’eからなる。
坦に形成された二酸化シリコン(SiO2)層13a、
二酸化シリコンI!!j13aの表裏両面に蒸着された
1艮(Ag)Ji13b、13cおよびi長石13bの
表面、銀層13cの裏面に蒸着された二酸化シリコン(
Sing)の保護膜13d、 13’eからなる。
中間の二酸化シリコン層13aの表面の階段形状は、測
定すべき波長の数と同数のステップをもち、各ステップ
で構成される個々のフィルタFl−Fllの面積は、各
5PD1)aと同一面積に構成されている。この干渉フ
ィルタ13は、厚みが大きい領域ほどi3i!Aする波
長が長くなる。
定すべき波長の数と同数のステップをもち、各ステップ
で構成される個々のフィルタFl−Fllの面積は、各
5PD1)aと同一面積に構成されている。この干渉フ
ィルタ13は、厚みが大きい領域ほどi3i!Aする波
長が長くなる。
SPDアレイ1)と干渉フィルタ13の保護膜13eと
は、小間隔をおいて対向される場合もあるし、密接され
た状態に一体接合される場合もある。破線は、そのこと
を表している。なお、干渉フィルタ13は、SPDアレ
イ1)に比べ極端に拡大して図示しである。
は、小間隔をおいて対向される場合もあるし、密接され
た状態に一体接合される場合もある。破線は、そのこと
を表している。なお、干渉フィルタ13は、SPDアレ
イ1)に比べ極端に拡大して図示しである。
別の従来例として、特開昭59−43321号公報に開
示されたものを第8図に示し、以下これを説明する。
示されたものを第8図に示し、以下これを説明する。
第8図において、21は白色光の光源、22は試料、2
3は単色光に分散するプリズム、24はSPDアレイ、
25は信号処理部である。SPDアレイ24は、等間隔
に列設された多数の5PD24aを有している。
3は単色光に分散するプリズム、24はSPDアレイ、
25は信号処理部である。SPDアレイ24は、等間隔
に列設された多数の5PD24aを有している。
分散された各波長の単色光が入射する5PD24aの個
数は波長によって異なる。即ち、短波長側ほどプリズム
23によって大きく屈折され、拡がりが大きいため、長
波長側よりも多くの5PD24aに入射する。
数は波長によって異なる。即ち、短波長側ほどプリズム
23によって大きく屈折され、拡がりが大きいため、長
波長側よりも多くの5PD24aに入射する。
そこで、同一波長域の単色光を受光する複数の5PD2
4aを互いに接続して1つの信号として取り出すように
構成している。その結果、SPD了レイ24として、多
数の5PD24aが等間隔で列設された通常のSPDア
レイをそのまま利用することができる。
4aを互いに接続して1つの信号として取り出すように
構成している。その結果、SPD了レイ24として、多
数の5PD24aが等間隔で列設された通常のSPDア
レイをそのまま利用することができる。
日が¥1しようとする。J 点
しかしながら、第4図に示した従来例には、次のような
問題点がある。
問題点がある。
SP[)llaの光電変換率は短波長側ほど低く、その
波長−出力特性は第5図のようになる。また、干渉フィ
ルタ13は、その構造上、長波長側ほど二酸化シリコン
層13aの厚みが大きく、その波長−透過率特性は第6
図のようになる。
波長−出力特性は第5図のようになる。また、干渉フィ
ルタ13は、その構造上、長波長側ほど二酸化シリコン
層13aの厚みが大きく、その波長−透過率特性は第6
図のようになる。
このように、各5PD1)aの出力は、干渉フィルタ1
3の透過率と5PD1)aの光電変化率とによって決ま
る。
3の透過率と5PD1)aの光電変化率とによって決ま
る。
第4図の従来例の場合、干渉フィルタ13の各ステップ
に対応した各波長ごとのフィルタF1〜F、。
に対応した各波長ごとのフィルタF1〜F、。
の受光面積も、各5PD1)aの受光面積もすべて同一
であるため、第7図に示すように、波長ごとに対応する
各5PD1)aの出力は、約500(nm)の波長を境
として、それよりも短波長側では5PDllaの光電変
換率が低下することに起因した出力低下があり、長波長
側では干渉フィルタ13の透過率が低下することに起因
した出力低下がある。
であるため、第7図に示すように、波長ごとに対応する
各5PD1)aの出力は、約500(nm)の波長を境
として、それよりも短波長側では5PDllaの光電変
換率が低下することに起因した出力低下があり、長波長
側では干渉フィルタ13の透過率が低下することに起因
した出力低下がある。
このように波長によって出力が変動するという特性があ
るため、従来では、測定波長を異にする5PD1)aご
とに利得の異なる増幅器を使用しなければならず、回路
構成が複雑なものとなっているとともに、S/N比が波
長によって相違するため高精度な測定が困難であるとい
う問題があった。
るため、従来では、測定波長を異にする5PD1)aご
とに利得の異なる増幅器を使用しなければならず、回路
構成が複雑なものとなっているとともに、S/N比が波
長によって相違するため高精度な測定が困難であるとい
う問題があった。
なお、第9図に示すように、二酸化シリコン層13aの
表面を一定の傾斜角の斜面に形成したものも提案されて
いるが、原理的には第4図のものと同様な問題がある。
表面を一定の傾斜角の斜面に形成したものも提案されて
いるが、原理的には第4図のものと同様な問題がある。
また、第8図に示した従来例には、次のような問題点が
ある。
ある。
短波長側において、1つの単色光が複数の5PD24a
に入射するため、これら複数の5PD24aを互いに接
続しなければならない。その接続線の1つが断線したと
しても、出力があるために、断線したことが判らない、
その状態で測定すると、誤差が発生する。
に入射するため、これら複数の5PD24aを互いに接
続しなければならない。その接続線の1つが断線したと
しても、出力があるために、断線したことが判らない、
その状態で測定すると、誤差が発生する。
プリズム23とSPDアレイ24との距離、方向が異な
ると、単色光が入射する5PD24aの数が変化するた
め、前記の距離、方向を厳密に設定しなければならない
し、単色光によって入射する5PD24aの数が異なり
、どの5PD24aどうしを結線すればよいのかについ
て慎重な配慮が必要となるという製造面での制約がある
。
ると、単色光が入射する5PD24aの数が変化するた
め、前記の距離、方向を厳密に設定しなければならない
し、単色光によって入射する5PD24aの数が異なり
、どの5PD24aどうしを結線すればよいのかについ
て慎重な配慮が必要となるという製造面での制約がある
。
さらに、単色光が入射する5PD24aの数が短波長側
ほど多いため、5PD24aが短波長側ほど光電変換率
が低くなることをカバーしてはいるが、第5図に示す波
長−出力特性が厳密に考慮されたものではなく、波長に
よって出力が変動する。
ほど多いため、5PD24aが短波長側ほど光電変換率
が低くなることをカバーしてはいるが、第5図に示す波
長−出力特性が厳密に考慮されたものではなく、波長に
よって出力が変動する。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、測定すべき全波長領域において出力を一定にできる
ようにするとともに、回路構成を簡単化できるようにす
ることを目的とする。
て、測定すべき全波長領域において出力を一定にできる
ようにするとともに、回路構成を簡単化できるようにす
ることを目的とする。
ロ 占を ?するための
本発明は、前記のような問題点を解決するために、次の
ような構成をとる。
ような構成をとる。
即ち、本発明の分光測定センサは、
波長によって光電変換率が異なる受光素子を列設した受
光素子アレイと、 前記個々の受光素子に対向または接触して配置され、波
長によって透過率が異なる複数のフィルタとからなり、 前記個々の受光素子の各波長域での出力が互いに実質的
に同一となるように、前記各受光素子アレイと前記各フ
ィルタとによる総合的な分光感度が低い領域ほど前記受
光素子およびフィルタの受光面積が大きい状態に構成し
てあることを特徴とするものである。
光素子アレイと、 前記個々の受光素子に対向または接触して配置され、波
長によって透過率が異なる複数のフィルタとからなり、 前記個々の受光素子の各波長域での出力が互いに実質的
に同一となるように、前記各受光素子アレイと前記各フ
ィルタとによる総合的な分光感度が低い領域ほど前記受
光素子およびフィルタの受光面積が大きい状態に構成し
てあることを特徴とするものである。
作−里
この構成による作用は、次の通りである。
即ち、各受光素子と各フィルタとによる総合的な分光感
度が低い領域ほど受光素子およびフィルタの受光面積が
大きい状態となるようにするに当たり、個々の受光素子
の各波長域での出力が互いに実質的に同一となるように
各受光素子および各フィルタの受光面積を決めであるの
で、受光素子の波長−出力特性とフィルタの波長−透過
率特性に影響されることなく、各受光素子の出力が一定
化する。
度が低い領域ほど受光素子およびフィルタの受光面積が
大きい状態となるようにするに当たり、個々の受光素子
の各波長域での出力が互いに実質的に同一となるように
各受光素子および各フィルタの受光面積を決めであるの
で、受光素子の波長−出力特性とフィルタの波長−透過
率特性に影響されることなく、各受光素子の出力が一定
化する。
尖施勇
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第1図は、本発明が原理とするところの各波長と、個々
のシリコンフォトダイオード(S P D)および個々
のフィルタの受光面積とSPDの出力との関係を示す特
性図である。
のシリコンフォトダイオード(S P D)および個々
のフィルタの受光面積とSPDの出力との関係を示す特
性図である。
この第1図の特性と第7図の特性との関係は、次の通り
である。
である。
第7図において、最大出力0+axに対応した波長をλ
。、任意の波長λに対応した出力を0λとする。SPD
およびフィルタの受光面積s0は波長に無関係に一定で
ある。第1図において、波長λに対応したSPDおよび
フィルタの受光面積をSλとする。そして、任意の波長
についての出力0゜を一定とし、かつ、第7図の最大出
力C)+axと等しいとするためには、 sA、 Sλ So の関係があればよいことになる。この式(1)に従って
作図したのが第1図の特性図である。波長λ。
。、任意の波長λに対応した出力を0λとする。SPD
およびフィルタの受光面積s0は波長に無関係に一定で
ある。第1図において、波長λに対応したSPDおよび
フィルタの受光面積をSλとする。そして、任意の波長
についての出力0゜を一定とし、かつ、第7図の最大出
力C)+axと等しいとするためには、 sA、 Sλ So の関係があればよいことになる。この式(1)に従って
作図したのが第1図の特性図である。波長λ。
よりも短波長側でも長波長側でも、受光面積は、波長λ
。のときの受光面積S0よりも大きくなり、かつ、波長
λ。との波長差が大きくなるほど受光面積も大きくなる
。
。のときの受光面積S0よりも大きくなり、かつ、波長
λ。との波長差が大きくなるほど受光面積も大きくなる
。
なお、第1図に示す特性図は、その一定出力o0が第7
図の最大出力Os+axと同一であることを前堤にした
ものであるが、一定出力O0を第7図のどの出力と同一
どしてもよい、その場合は、式(1)に代わる別の変換
式を用いればよく、特性曲線は第1図のものとは相違す
ることになるが、すべての波長に対してSPDの出力を
一定にすることに変わりはない。
図の最大出力Os+axと同一であることを前堤にした
ものであるが、一定出力O0を第7図のどの出力と同一
どしてもよい、その場合は、式(1)に代わる別の変換
式を用いればよく、特性曲線は第1図のものとは相違す
ることになるが、すべての波長に対してSPDの出力を
一定にすることに変わりはない。
第2図は本発明の第1実施例に係る分光測定センサの概
略的な断面図である。
略的な断面図である。
第2図において、従来例に係る第4図に示した符号と同
一の符号は、本実施例においても、その符号が示す部品
1部分等と同様のものを指す、また、特記しない限り、
配置関係についても本実施例と従来例とは同様の構成を
有している。
一の符号は、本実施例においても、その符号が示す部品
1部分等と同様のものを指す、また、特記しない限り、
配置関係についても本実施例と従来例とは同様の構成を
有している。
本実施例において、従来例と異なっている構成は、次の
通りである。
通りである。
受光素子アレイとしてのSPDアレイ1を構成する複数
の5PDlaの受光面積が測定波長に対応して、第1図
の特性図に従って決定された面積となっている。即ち、
測定波長を500(nm3以上として、短波長側の5P
D1aの受光面積は大きく、長波長側の5PDlaほど
受光面積が小さくなるように構成しである。加えて、干
渉フィルタ3における各波長ごとのフィルタF、−FR
の面積も、各5PD1aの面積と等しく構成しである。
の5PDlaの受光面積が測定波長に対応して、第1図
の特性図に従って決定された面積となっている。即ち、
測定波長を500(nm3以上として、短波長側の5P
D1aの受光面積は大きく、長波長側の5PDlaほど
受光面積が小さくなるように構成しである。加えて、干
渉フィルタ3における各波長ごとのフィルタF、−FR
の面積も、各5PD1aの面積と等しく構成しである。
その他の構成は第4図の従来例と同様であるので、説明
を省略する。
を省略する。
照射された光に含まれる各波長成分を透過した干渉フィ
ルタ3の各フィルタF1〜F1.に対応する5PD1a
の出力はいずれも同一となる。
ルタ3の各フィルタF1〜F1.に対応する5PD1a
の出力はいずれも同一となる。
なお、測定波長が500(nm)を挟んでその両側にわ
たる場合には、5PDlaおよび干渉フィルタ3の各フ
ィルタF、〜F1の受光面積は、最短波長から500(
nm)にかけて次第に減少し、500(nm)から最長
波長にかけて次第に増加するように構成する。
たる場合には、5PDlaおよび干渉フィルタ3の各フ
ィルタF、〜F1の受光面積は、最短波長から500(
nm)にかけて次第に減少し、500(nm)から最長
波長にかけて次第に増加するように構成する。
次に、第2実施例を第3図に基づいて説明する。
第2実施例は、干渉フィルタ3における二酸化シリコン
層13Bの表面を滑らかに湾曲する状態に構成したもの
であるが、各5PD1aの受光面積および干渉フィルタ
3の各フィルタF、−F、1の受光面積は、第1実施例
と同様である。
層13Bの表面を滑らかに湾曲する状態に構成したもの
であるが、各5PD1aの受光面積および干渉フィルタ
3の各フィルタF、−F、1の受光面積は、第1実施例
と同様である。
干渉フィルタ3の各フィルタF1〜Fいは、長波長側と
なるほど、傾斜角が大きくなっている。
なるほど、傾斜角が大きくなっている。
第1.第2の各実施例では、干渉フィルタ3の透過率が
特定波長から長波長側となるにつれて減少し、5PD1
aの出力が特定波長から短波長側となるにつれて減少す
るものであったが、■これとは逆の特性をもつ受光素子
とフィルタとの組み合わせの場合、■透過率、出力がと
もに長波長側ほど減少するような組み合わせの場合、■
透過率。
特定波長から長波長側となるにつれて減少し、5PD1
aの出力が特定波長から短波長側となるにつれて減少す
るものであったが、■これとは逆の特性をもつ受光素子
とフィルタとの組み合わせの場合、■透過率、出力がと
もに長波長側ほど減少するような組み合わせの場合、■
透過率。
出力がともに短波長側ほど残少するような組み合わせの
場合もあり得、本発明は、いずれの場合も実施例として
含む。
場合もあり得、本発明は、いずれの場合も実施例として
含む。
須−米
本発明によれば、次の効果が発渾される。
即ち、受光素子の波長−出力特性とフィルタの波長−透
過率特性に影響されることのないように各受光素子およ
び各フィルタの受光面積を決めであるので、広い波長領
域にわたって一定の出力を得ることができる。従って、
分光測定センサの出力の増幅器としては、単一利得のも
のでよく、回路構成が簡単になる。また、出力が全波長
域で一定であるため、S/N比が向上し、高精度な測定
が可能となる。
過率特性に影響されることのないように各受光素子およ
び各フィルタの受光面積を決めであるので、広い波長領
域にわたって一定の出力を得ることができる。従って、
分光測定センサの出力の増幅器としては、単一利得のも
のでよく、回路構成が簡単になる。また、出力が全波長
域で一定であるため、S/N比が向上し、高精度な測定
が可能となる。
また、個々の受光素子に対する結線数は1つずつでよい
し、フィルタと受光素子との配置関係も比較的簡単に決
定できるため、製造が簡単になる。
し、フィルタと受光素子との配置関係も比較的簡単に決
定できるため、製造が簡単になる。
また、断線した場合には、その受光素子からの出力がな
いため、断線したことが直ちに判る。
いため、断線したことが直ちに判る。
第1図は本発明の詳細な説明する波長−面積。
出力の特性図、第2図は本発明の第1実施例に係る分光
測定センサの概略的な断面図、第3図は第2実施例に係
る分光測定センサの概略的な断面図である。また、第4
図は従来の分光測定センサの概略的な断面図、第5図は
シリコンフォトダイオードの波長−出力特性図、第6図
は干渉フィルタの波長−透過率特性図、第7図は従来の
分光測定センサの波長−出力1面積の特性図、第8図は
別の従来例の分光測定センサの概略的な断面図、第9図
はさらに別の従来例の分光測定センサの概略的な断面図
である。 l・・・シリコンフォトダイオードアレイ(受光素子ア
レイ) 1a・・・シリコンフォトダイオード (受光素子) 3・・・干渉フィルタ (フィルタ) 出願人 ミノルタカメラ株式会社 代理人 弁理士 岡 1)和 秀 第1図 出 力 第2図 籠3図 第4図 田R(逮)0 旧 唄噸丹(波) −
測定センサの概略的な断面図、第3図は第2実施例に係
る分光測定センサの概略的な断面図である。また、第4
図は従来の分光測定センサの概略的な断面図、第5図は
シリコンフォトダイオードの波長−出力特性図、第6図
は干渉フィルタの波長−透過率特性図、第7図は従来の
分光測定センサの波長−出力1面積の特性図、第8図は
別の従来例の分光測定センサの概略的な断面図、第9図
はさらに別の従来例の分光測定センサの概略的な断面図
である。 l・・・シリコンフォトダイオードアレイ(受光素子ア
レイ) 1a・・・シリコンフォトダイオード (受光素子) 3・・・干渉フィルタ (フィルタ) 出願人 ミノルタカメラ株式会社 代理人 弁理士 岡 1)和 秀 第1図 出 力 第2図 籠3図 第4図 田R(逮)0 旧 唄噸丹(波) −
Claims (2)
- (1)波長によって光電変換率が異なる受光素子を列設
した受光素子アレイと、 前記個々の受光素子に対向または接触して配置され、波
長によって透過率が異なる複数のフィルタとからなり、 前記個々の受光素子の各波長域での出力が互いに実質的
に同一となるように、前記各受光素子アレイと前記各フ
ィルタとによる総合的な分光感度が低い領域ほど前記受
光素子およびフィルタの受光面積が大きい状態に構成し
てあることを特徴とする分光測定センサ。 - (2)前記受光素子がシリコンフォトダイオードである
特許請求の範囲第(1)項記載の分光測定センサ。
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