JP2020071488A - 階段構造光学フィルタ - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 78
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 173
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 12
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 claims 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIMODRYHNQDMSX-UHFFFAOYSA-N [GeH2].[Si] Chemical compound [GeH2].[Si] JIMODRYHNQDMSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
- G02B5/288—Interference filters comprising deposited thin solid films comprising at least one thin film resonant cavity, e.g. in bandpass filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/26—Reflecting filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Optical Filters (AREA)
- Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
光センサデバイスは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術、電荷結合素子(CCD)技術および/またはその他の1つ以上のセンサ技術を利用してもよい。光学センサデバイスは、それぞれ異なる周波数の光に関する情報を取得するように構成された複数のセンサ素子(例えば、センサ素子のアレイ)を含んでもよい。
このようにして、マルチスペクトルフィルタ200は、共通チャネルを使用して複数のスペクトル範囲を可能にし得る。さらに、移動デバイスは、第1のセンサ素子を第1の位置および第2の位置で読み出しさせてよく、結果として単一のチャネルを使用して複数のスペクトル範囲を取得できる。
110 基板
110-1 第1の基板
110-2 第2の基板
120 媒体
130-1 第1のミラー
130-2 第2のミラー
140 スペーサ
140-1 第1のスペーサ
140-2 第2のスペーサ
200 マルチスペクトルフィルタ
300 マルチスペクトルフィルタ
310 平行移動デバイス
400 マルチスペクトルフィルタを製造するための例示的なプロセス
410 基板上に媒体を配置して階段状構造を形成するプロセス
420 階段状ミラー構造を形成するためにマルチチャネルフィルタ用の第1のミラーを媒体上に配置するプロセス
430 マルチチャネルフィルタ用のスペーサを第1のミラー上に配置するプロセス
440 スペーサの第2の表面上に第2のミラーを配置してマルチチャネルフィルタ用の平坦ミラーを形成するプロセス
552 フォトレジスト
554 フォトマスク
556 フォトマスク
558 第1のミラー
560 スペーサ
562 第2のミラー
610 センサシステム
620 光学フィルタ構造
630 光学フィルタ
640 光学センサ
650 光送信機
660 ターゲット
670 入力光信号
680 出力電気信号
Claims (20)
- フィルタであって、
基板と、
前記基板上に配置された階段状媒体と、
前記階段状媒体上に配置された第1のミラーであって、
該第1のミラーは階段状ミラー表面を形成し、
前記階段状ミラー表面の各段は、前記フィルタのチャネルのセットの一つのチャネルに対応する、前記第1のミラーと、
前記階段状ミラー表面に配置されたスペーサと、
前記スペーサの別の表面に配置された第2のミラーと、を備えるフィルタ。 - 前記階段状媒体が一次元で階段状である、請求項1に記載のフィルタ。
- 前記階段状媒体が二次元で階段状である、請求項1に記載のフィルタ。
- 前記フィルタの前記チャネルのセットの波長範囲は、約380ナノメートル(nm)から780nmの間である、請求項1に記載のフィルタ。
- 前記フィルタの前記チャネルのセットの波長範囲は、約750ナノメートル(nm)から1100nmの間である、請求項1に記載のフィルタ。
- 前記階段状媒体は、前記フィルタの波長範囲で70%を超える透過率と関連し、
酸化物ベースの媒体、
半導体ベースの媒体、
誘電体ベースの媒体、
ポリマーベースの媒体、
窒化物ベースの媒体、
リン化物ベースの媒体、または
炭化物ベースの媒体のうちの1つである、請求項1に記載のフィルタ。 - 前記スペーサは、1.7を超える屈折率と関連し、
水素化シリコンベースのスペーサ、
酸化物ベースのスペーサ、
ゲルマニウムベースのスペーサ、または
シリコンゲルマニウムベースのスペーサのうちの1つである、請求項1に記載のフィルタ。 - 前記スペーサは、
気体状スペーサ、
ポリマースペーサ、または
液体スペーサのうちの少なくとも1つである、請求項1に記載のフィルタ。 - 前記階段状媒体が柱セットを形成し、
前記柱のセットのうちの少なくとも1つの柱は、非アクティブなチャネルを形成する、請求項1に記載のフィルタ。 - 複数のチャネルに関連付けられた複数のセンサ素子を備えるセンサ素子アレイと、
可変スペーサフィルタと、を備えるシステムであって、
前記可変スペーサフィルタは、
第1の基板と、
前記第1の基板上に配置された階段状媒体と、
前記階段状媒体上に配置された第1のミラーであって、
前記第1のミラーは階段状ミラー表面を形成し、
前記階段状ミラー表面の各段は、前記フィルタのチャネルのセットの一つのチャネルに対応する、前記第1のミラーと、
第2の基板上に配置され、前記第1のミラーに位置合わせ可能な第2のミラーであって、
空洞が前記第1のミラーと前記第2のミラーを分離し、
前記第2のミラーは、前記第1のミラーと前記第2のミラーとの間の間隔が可変であるように、第1のミラーに対して平行移動可能である、前記第2のミラーと、を備えるシステム。 - 前記空洞がスペーサで満たされており、
前記スペーサは、気体スペーサ材料または液体スペーサ材料であり、
前記スペーサは、前記第2のミラーが前記第1のミラーに対して平行移動したときに前記スペーサが前記空洞を満たすように制約されている、請求項10に記載のシステム。 - 前記チャネルのセットのうちの1つ以上のチャネルは、前記第1のミラーに対して平行移動する前記第2のミラーに基づいて調整可能である、請求項10に記載のシステム。
- 前記空洞が、第1のスペーサ材料によって少なくとも部分的に充填され、第2のスペーサ材料によって少なくとも部分的に充填され、
前記第1のスペーサ材料と前記第2のスペーサ材料は、
2つの固体スペーサ材料、
固体スペーサ材料と液体スペーサ材料、
固体スペーサ材料と気体スペーサ材料、または
液体スペーサ材料と気体スペーサ材料、のうちの一つである、
請求項10に記載のシステム。 - 前記第1のミラーに対して前記第2のミラーを平行移動させる平行移動デバイスをさらに含む、請求項10に記載のシステム。
- 前記第1のミラーに対して前記第2のミラーを角度付ける複数の平行移動デバイスをさらに含む、請求項10に記載のシステム。
- マルチチャネルフィルタであって、
階段状構造を形成する媒体と、
階段状構造上に配置され、階段状ミラー構造を形成する、第1のミラーであって、
前記階段状ミラー構造の各段は、前記マルチチャネルフィルタの波長チャネルを形成する前記第1のミラーと、
前記第1のミラー上に配置されたスペーサであって、
前記スペーサの第1の表面は、前記第1のミラーに対して配置され、階段状表面を形成し、前記スペーサの第2の表面は第1のミラーの反対側に位置し、平坦な表面を形成する前記スペーサと、
前記スペーサの前記第2の表面上に配置され、マルチチャネルフィルタ用の平面ミラーを形成する、第2のミラーと、を備える、マルチチャネルフィルタ。 - 前記媒体は、フォトリソグラフィ手順を使用して形成される、請求項16に記載のマルチチャネルフィルタ。
- 前記スペーサは、単一の配置手順で配置される、請求項16に記載のマルチチャネルフィルタ。
- 前記第1のミラーまたは前記媒体は、前記スペーサの一部を除去するためのエッチストップである、請求項16に記載のマルチチャネルフィルタ。
- 前記媒体の前記階段状構造は、
リフトオフ手順、
エッチング手順
モールディング手順、
キャスト手順、
マシニング手順、
スタンピング手順、または
スクレイピング手順のうちの少なくとも1つによって形成される、請求項16に記載のマルチチャネルフィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023002173A JP2023052306A (ja) | 2018-11-02 | 2023-01-11 | 階段構造光学フィルタ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/179,480 US10962694B2 (en) | 2018-11-02 | 2018-11-02 | Stepped structure optical filter |
US16/179,480 | 2018-11-02 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023002173A Division JP2023052306A (ja) | 2018-11-02 | 2023-01-11 | 階段構造光学フィルタ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020071488A true JP2020071488A (ja) | 2020-05-07 |
JP2020071488A5 JP2020071488A5 (ja) | 2022-05-27 |
JP7210417B2 JP7210417B2 (ja) | 2023-01-23 |
Family
ID=68426196
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019199619A Active JP7210417B2 (ja) | 2018-11-02 | 2019-11-01 | 階段構造光学フィルタ |
JP2023002173A Pending JP2023052306A (ja) | 2018-11-02 | 2023-01-11 | 階段構造光学フィルタ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023002173A Pending JP2023052306A (ja) | 2018-11-02 | 2023-01-11 | 階段構造光学フィルタ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10962694B2 (ja) |
JP (2) | JP7210417B2 (ja) |
KR (2) | KR102565869B1 (ja) |
CN (2) | CN117031607A (ja) |
CA (1) | CA3060740A1 (ja) |
TW (2) | TWI791917B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10962694B2 (en) | 2018-11-02 | 2021-03-30 | Viavi Solutions Inc. | Stepped structure optical filter |
US20210333454A1 (en) * | 2020-04-28 | 2021-10-28 | Viavi Solutions Inc. | Induced transmission filter with hydrogenated silicon and silver |
CN111579067B (zh) * | 2020-05-22 | 2023-03-03 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种具有超宽带外截止的集成窄带分光器件 |
CN113767309A (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-07 | 深圳市海谱纳米光学科技有限公司 | 一种可调光学滤波器件和光谱成像系统 |
EP3943988B1 (en) | 2020-07-20 | 2023-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Spectral filter, and image sensor and electronic device including the spectral filter |
WO2022147920A1 (zh) * | 2021-01-11 | 2022-07-14 | 苏州联讯仪器有限公司 | 用于光通信的光波长测量系统 |
CN113503978A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-10-15 | 苏州联讯仪器有限公司 | 光通信用光波长测量系统 |
WO2023027523A1 (ko) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 경북대학교 산학협력단 | 마이크로옵틱 마하젠더 간섭계의 파장대역 특성을 원하는 형상으로 제어하는 방법 |
CN114236663A (zh) * | 2021-12-15 | 2022-03-25 | 浙江大学 | 大面积单片集成的平坦化多通道滤光片阵列及制备方法 |
CN115831041B (zh) * | 2023-01-09 | 2023-04-18 | 北京数字光芯集成电路设计有限公司 | 一种阶梯式线阵MicroLED、扫描装置及扫描方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62267623A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | Minolta Camera Co Ltd | 分光測定センサ |
JP2009545150A (ja) * | 2006-07-25 | 2009-12-17 | コミッサリヤ ア レネルジ アトミック | 光フィルタリングマトリックス構造及び関連する画像センサ |
US20120200852A1 (en) * | 2010-09-10 | 2012-08-09 | Aerospace Missions Corporation | Spectroscopy and spectral imaging methods and apparatus |
JP2017126742A (ja) * | 2015-12-29 | 2017-07-20 | ビアビ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | 誘電体ミラーベースのマルチスペクトルフィルタアレイ |
JP2018132760A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | 偏光フィルタ |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5920804A (ja) | 1982-07-28 | 1984-02-02 | Minolta Camera Co Ltd | 膜厚監視装置 |
JP3375147B2 (ja) | 1992-05-26 | 2003-02-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出装置 |
JPH08508114A (ja) | 1993-12-23 | 1996-08-27 | ハネウエル・インコーポレーテッド | カラーフィルタ・アレイ |
JPH1138397A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-12 | Sharp Corp | 反射型カラー液晶表示素子 |
CA2211655C (en) * | 1997-07-28 | 2003-01-07 | Paul Colbourne | Multi-pass etalon filter |
JP4862008B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2012-01-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US6791736B2 (en) * | 2001-06-19 | 2004-09-14 | Teralum Llc | Optical device for dispersion compensation |
JP2004287191A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタアレイおよび空間光変調装置および投射型表示装置 |
KR100617039B1 (ko) * | 2004-02-26 | 2006-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN104316987A (zh) * | 2006-08-09 | 2015-01-28 | 光学解决方案纳米光子学有限责任公司 | 光学滤波器及其生产方法以及用于检查电磁辐射的装置 |
US7803704B2 (en) * | 2008-08-22 | 2010-09-28 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Reliable interconnects |
JP2010113058A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Seiko Epson Corp | カラーフィルターの製造方法、カラーフィルター、画像表示装置、および、電子機器 |
RU2012101436A (ru) | 2009-06-17 | 2013-07-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Интерференционные фильтры с высоким пропусканием и широким диапазоном подавления для мини-спектрометра |
JP5868706B2 (ja) | 2010-01-21 | 2016-02-24 | 株式会社東芝 | 干渉型フィルタ層付基板及びそれを用いた表示装置 |
CN102798917B (zh) | 2011-05-25 | 2015-02-25 | 苏州大学 | 一种彩色图像制作方法及使用该方法制作的彩色滤光片 |
EP3351981A1 (en) * | 2011-06-23 | 2018-07-25 | Viavi Solutions Inc. | Multi color-shifting devices |
JP5757835B2 (ja) * | 2011-10-04 | 2015-08-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光センサの製造方法 |
CN102832237B (zh) * | 2012-07-03 | 2015-04-01 | 电子科技大学 | 一种槽型半导体功率器件 |
US20160182786A1 (en) | 2013-09-11 | 2016-06-23 | Lytro, Inc. | Hybrid light-field camera |
FR3020878A1 (fr) * | 2014-05-06 | 2015-11-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de filtrage optique comportant des cavites fabry-perot a couche structuree et d'epaisseurs differentes |
US9823395B2 (en) * | 2014-10-17 | 2017-11-21 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer optical film having overlapping harmonics |
CN105093376A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-11-25 | 西安工业大学 | 中心波长渐变的带通滤光片制备方法 |
US10170509B2 (en) * | 2016-02-12 | 2019-01-01 | Viavi Solutions Inc. | Optical filter array |
JP2017168822A (ja) | 2016-02-12 | 2017-09-21 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | センサデバイスの製造方法 |
DE102016010078A1 (de) | 2016-08-18 | 2018-02-22 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Optisch variables Sicherheitselement mit Dünnschichtelement |
US10962694B2 (en) | 2018-11-02 | 2021-03-30 | Viavi Solutions Inc. | Stepped structure optical filter |
-
2018
- 2018-11-02 US US16/179,480 patent/US10962694B2/en active Active
-
2019
- 2019-10-29 CA CA3060740A patent/CA3060740A1/en active Pending
- 2019-10-31 TW TW108139486A patent/TWI791917B/zh active
- 2019-10-31 KR KR1020190137902A patent/KR102565869B1/ko active IP Right Grant
- 2019-10-31 TW TW111149950A patent/TW202316146A/zh unknown
- 2019-11-01 JP JP2019199619A patent/JP7210417B2/ja active Active
- 2019-11-04 CN CN202311061226.8A patent/CN117031607A/zh active Pending
- 2019-11-04 CN CN201911067451.6A patent/CN111142179B/zh active Active
-
2021
- 2021-03-17 US US17/249,872 patent/US11892664B2/en active Active
-
2023
- 2023-01-11 JP JP2023002173A patent/JP2023052306A/ja active Pending
- 2023-08-07 KR KR1020230102639A patent/KR20230118795A/ko active Application Filing
- 2023-11-30 US US18/523,975 patent/US20240094450A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62267623A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | Minolta Camera Co Ltd | 分光測定センサ |
JP2009545150A (ja) * | 2006-07-25 | 2009-12-17 | コミッサリヤ ア レネルジ アトミック | 光フィルタリングマトリックス構造及び関連する画像センサ |
US20120200852A1 (en) * | 2010-09-10 | 2012-08-09 | Aerospace Missions Corporation | Spectroscopy and spectral imaging methods and apparatus |
JP2017126742A (ja) * | 2015-12-29 | 2017-07-20 | ビアビ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | 誘電体ミラーベースのマルチスペクトルフィルタアレイ |
JP2018132760A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | 偏光フィルタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111142179A (zh) | 2020-05-12 |
US20210199866A1 (en) | 2021-07-01 |
TWI791917B (zh) | 2023-02-11 |
KR102565869B1 (ko) | 2023-08-10 |
US11892664B2 (en) | 2024-02-06 |
KR20230118795A (ko) | 2023-08-14 |
EP3647839A2 (en) | 2020-05-06 |
CN117031607A (zh) | 2023-11-10 |
EP3647839A3 (en) | 2020-07-29 |
JP7210417B2 (ja) | 2023-01-23 |
CA3060740A1 (en) | 2020-05-02 |
TW202024680A (zh) | 2020-07-01 |
TW202316146A (zh) | 2023-04-16 |
US20200142111A1 (en) | 2020-05-07 |
US10962694B2 (en) | 2021-03-30 |
JP2023052306A (ja) | 2023-04-11 |
US20240094450A1 (en) | 2024-03-21 |
CN111142179B (zh) | 2023-09-08 |
KR20200050882A (ko) | 2020-05-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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